反击式开关电源，变压器计算方法,及相关器件的选型

名称	翻译
N	匝数
D	占空比
Np	变压器初级匝数
Ns	变压器次级匝数
Vinr	输入的电压
Vor	由次级映射到初级的电压（变压器初级充电后，关断所形成的反向电动势）
ILP	变压器初级腰线电流（电流的平均值）
ILS	变压器次级腰线电流（电流的平均值）
Vz	Vor+变压器初级的漏感电压

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在交流供电的时候，需要按照最高供电计算。。。因为mos的雪崩电压。

雪崩电压：在达到MOS的雪崩电压的时候，会钳位住电压，就算同一批次的，雪崩电压，也会不一样。。。雪崩的时候，会使MOS的内部的电流持续增大。虽然，短时间不会坏，但是发热会非常严重。

这里的设计我们采用600V耐压的，MOS
为了保证MOS永远不会到，雪崩电压。（雪崩电压，大概就是耐压值吧？）
所以这里我们取MOS上，所加的最高电压位550V

在所有的反击电源电压设计中，V_z是V_or…1.4倍
所以得出V_or是121V（就是MOS关闭，变压器初级上的线圈电压）
因为我们次级需要的是5V电压。（如果加上整流二极管的压降：5+0.7=5.7V）
所以，由初级电压121V，和次级5V，可得砸比：$$\frac{121V}{5.7V}=22倍（匝）$$

注释：下图，输入电压位270V，整流后变成380V，V_z 范围由图一的，稳压二极管钳位了（初级变绕组那个）。。

。。。。。。。下图是由，供电电压380+mos关断的初级绕组电压V_or+mos关断初级绕组的漏感电压=550V

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1问：取V_or值（MOS关断时。初级绕组的电压）

设：输入交流电压为270。
整流后，初级绕组电压为：270x1.414=380V
选用600V耐压的MOS，留有余量，电路中，最高反向电动势，钳位在550V。
V_z=550-380=170V
V_or=170➗1.4=121.4285V

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2问：取绕组匝比

由1问，V_or值
设我们想要，次级变压器的输出电压为5.7V
匝比=121.4285➗5.7=21.30325

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3问：取漏感电压

由1问，V_or值+初级绕组上的直流电压
漏感电压为：550-380-121.4285=48.5715V

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4问：初级绕组功率

设输出功率为35.3W
由于，反击开关电源的，转换效率只有70%
所以，初级绕组功率为35.3➗70%=50.4285W

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5问：初级变压器电流

由1问可知：初级绕组，在mos关断期间，电压为121.4285V
由4问可知：初级绕组，在mos关断期间，功率为50.4285W
所以，初级变压器，MOS关断时刻的，电流为50.4285W➗121.4285V=0.41529A

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6问：次级绕组的电流

因为我们要输出的功率是35.3W，要输出的电压是5V
所以，35.3W➗5V=7.06A

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7问：I _or（映射MOS关断期间，次级线圈的电流。）

I _or
$$\frac{Ior}{匝数}=MOS关断时候的，初级线圈电流$$

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8问：占空比

由于能量传输，实际上是，电流流过线圈，磁电转换的过程。所以，我们，计算的是电流，导通和关断时间的占空比。

由公式：$$\frac{Iin}{D}=\frac{Ior}{1-D}$$
$$\frac{0.4A}{D}=\frac{0.32A}{1-D}$$

I _in 是mos导通，产生的电流
D是MOS的导通时间
1-D，是MOS的关断，初级线圈，放电的时间

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9问：次级线圈电流是多少（IoL的电流）

设，次级输出的平均功率为，5V 2A
由8问可知，MOS关断时间为1-D=0.45

由于2A是100%的时间，而0.45是关断MOS，次级变压器，放电的时间，为了做功一致，电流就会比平均电流大。。。所以2➗0.45=4.4444A

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10问：次级线圈峰值电流是多少（Io的电流）

由于，电感是由，MOS的导通，和关断，进行放电的，所以，会存在，电流的尖峰。

而图中，IL是，是波形的平均值。。。。称之为腰线电流。

设，次级输出的平均功率为，5V 2A
由9问可知，次级线圈电流为4.444A
将其带入，上图，峰值电流的计算公式中，可以得出，峰值电流为：5.555A

所以，在选择二极管的时候，需要按照最大的峰值电流进行选择。

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11问：变压器的电感值计算

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在部分地区，电源在过认证的时候，需要输入270V电压进行测试。。。韩国有三网电压，最低可到90V。。。最高，可到230V。