分压电阻选择要谨慎

MCU的ADC前端接电阻分压电路，往往有坑，电阻值选取不当容易造成误差偏大。

乙方提供的工装底板到货了，固件调试时候发现ADC_H和ADC_L之间电压差有问题。外围电路如下所示，单片机选用的是STM32F103。下面的电路中有个0.91R的电阻，串在高边供电通路中，是一个采集电流的一个方案。是一个节省成本的方案。其实对于我们来说，我们要求的是稳定，当初不如就让上电流感应放大器之类的电路稳妥。

作者的本意是想先利用MCU的ADC取到电压VAdc_H和VAdc_L，再根据电阻的比例关系：Vadc=Vr*Rdown/（Rdown+Rup），分别求出电阻0.91R两个端点的电压Vr和Vr’，之后两值做差得到Vshut=Vr-Vr'，最后根据欧姆定律可以很容易的求出通过0.91R电阻的电流。

这个电路的问题点就是没有重视STM32内部的ADC输入阻抗，若考虑ADC的内部电阻，那么实际电路图应该是下面这种情形：

图上的电路主要是对分压电阻的取值进行了重新选取，因为两边是对称关系，所以只看半边电路分析，下臂电阻R3与R5+ADC0 形成了并联关系，R并=（11K*1K）/11K+1K=11/12=917Ω，这个值更接近于R3的1K ，这就是电阻并联的特点，两只电阻并联，并联后的取值更接近于偏小的那只电阻。

所以开头的那个电路更符合那种ADC输入阻抗非常高的电路，最好这个阻抗比100K高出10倍的关系，也就是说有1000K既1M，而一般MCU的ADC输入阻抗并没有那么高，STM32手册中有的型号提到输入阻抗最大50K，那么在这种情况下输入阻抗也只有100*50/（100+50）=5000/150=33.3K。而STM32F103ZET6的输入阻抗有如下关系

那么可以根据固件中的参数进行相应的求证，反推这个输入阻抗。这个是我今晚想到的偏差原因，

明天上班时候再做进一步的验证吧！

两步骤：

• 问下固件人员是如何配置的Ts（cycles），查上表，正向推导
• 同时再根据万用表实测值，反推并联电阻，根据并联公式反推输入电阻

对了，补充一句，这种问题有一个很明显的现象，就是用万用表测试分压电阻中点的电压值时，再根据原理图中的比例关系计算V上臂电阻输入值，和用万用表实际测量值会出现明显的偏差！

因为是工装测试用的底板，功耗要求不高，所以此例中将下臂电阻选小，这样并联后的阻值也更接近选择值，所以影响会变小。但是不好的地方是通过分压电阻会分走一部分能量。

如果成本不在乎，也可以有其他变通方法，比如说加入一级运放做电压跟随器做阻抗变换；或者加一个电流感应放大器做高边电流检测，单端ADC输出，精度高，计算简单，成本提高不少；变通的电路应该不只这些，也欢迎高手们留言讨论。