FLASH 存储器

1、快闪存储器（英语：flash memory）

是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式，允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用于一般性数据存储，以及在计算机与其他数字产品间交换传输数据，如储存卡与U盘。闪存是一种特殊的、以宏块抹写的EPROM。早期的闪存进行一次抹除，就会清除掉整颗芯片上的数据。

‌2、FLASH存储器主要包括以下几种类型‌：

1. ‌NOR Flash‌：NOR Flash的数据线和地址线分开，可以实现RAM一样的随机寻址功能，可以读取任何一个字节。但是擦除仍要按块进行。NOR Flash适用于需要随机访问的场合，如嵌入式系统的引导代码存储‌1。

2. ‌NAND Flash‌：NAND Flash的数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。读取只能按页进行，擦除和写入速度比NOR Flash快很多。NAND Flash适用于大容量存储，由于其引脚复用，读取速度稍慢，但成本较低，适合大规模存储需求‌1。

3‌、FLASH存储器的技术参数和特性包括‌：

• ‌页、扇区和块‌：Flash存储器中，页是最小的存储单元，通常包含256个字节。扇区由多个页组成，块则由多个扇区组成。NAND Flash按块擦除，按页读取；NOR Flash按块擦除，没有页的概念‌1。
• ‌容量和成本‌：NAND Flash由于结构简单，数据密度大，适合大容量存储，成本较低。NOR Flash适合小容量存储，成本较高，但可以随机访问‌1。
• ‌读写速度‌：NAND Flash的擦除和写入速度较快，但读取速度较慢；NOR Flash的读取速度较快，但擦除和写入速度较慢‌1。

4、分类

按种类分

U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡、固态硬盘(SSD，注意：机械硬盘没有采用闪存技术！)

按品牌分

矽统（SIS）、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士

5、存储原理

要讲解闪存的存储原理，还是要从EPROM和EEPROM说起。

EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路（存储细胞），常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在SiO2绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（譬如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0。若浮空栅极不带电，则不形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。

EEPROM基本存储单元电路的工作原理如下图所示。与EPROM相似，它是在EPROM基本单元电路的浮空栅的上面再生成一个浮空栅，前者称为第一级浮空栅，后者称为第二级浮空栅。可给第二级浮空栅引出一个电极，使第二级浮空栅极接某一电压VG。若VG为正电压，第一浮空栅极与漏极之间产生隧道效应，使电子注入第一浮空栅极，即编程写入。若使VG为负电压，强使第一级浮空栅极的电子散失，即擦除。擦除后可重新写入。

闪存的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用第一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，而是全片或分块擦除。 到后来，随着半导体技术的改进，闪存也实现了单晶体管（1T）的设计，主要就是在原有的晶体管上加入了浮动栅和选择栅，

在源极和漏极之间电流单向传导的半导体上形成贮存电子的浮动棚。浮动栅包裹着一层硅氧化膜绝缘体。它的上面是在源极和漏极之间控制传导电流的选择/控制栅。数据是0或1取决于在硅底板上形成的浮动栅中是否有电子。有电子为0，无电子为1。

闪存就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。

写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。

读取数据时，向栅电极施加一定的电压，电流大为1，电流小则定为0。浮动栅没有电子的状态（数据为1）下，在栅电极施加电压的状态时向漏极施加电压，源极和漏极之间由于大量电子的移动，就会产生电流。而在浮动栅有电子的状态（数据为0）下，沟道中传导的电子就会减少。因为施加在栅电极的电压被浮动栅电子吸收后，很难对沟道产生影响。

6、‌笔记本电脑内部确实包含闪存（Flash存储器）‌。

闪存是一种非易失性存储器，其数据在断电后仍然保留，不需要电源维持。笔记本电脑中常用的闪存类型主要是NAND闪存，这种类型的闪存常用于固态硬盘（SSD）中，提供高速的数据读写能力‌12。

闪存在笔记本电脑中的作用主要是作为存储介质，用于存储操作系统、应用程序和数据。与传统的硬盘相比，闪存具有更快的读写速度、更低的能耗和更高的可靠性，因此在现代笔记本电脑中广泛应用‌12。

此外，闪存在笔记本电脑中还用于BIOS（基本输入输出系统）的存储，BIOS通常使用Flash Memory制造，这也是一种闪存的应用‌1。

其他。