STM32 内部FLASH读写操作

本文详细介绍了STM32内部FLASH的读取和写入操作。读取数据时,提供了读取半字的函数;写入数据前需要解锁并擦除原有数据,确保数据正确。通过示例的FLASH_EraseInitTypeDef结构体和HAL_FLASH相关的函数,展示了如何进行页擦除和数据编程。
摘要由CSDN通过智能技术生成

关于STM32内部FLASH读写操作

 

  1. 单片机程序flash对应的内部地址。 falsh内部128bytes为一页,32页一个扇区。为了不会破坏到程序一般我们把要存的数据放后面,或者放到最后一页,来读取保存。STM32程序起始地址一般为0x08000000。

 

2.读取数据

//faddr 要读取的地址

uint16_t STMFLASH_ReadHalfWord ( uint32_t faddr )

{

     return *(__IO uint16_t*)faddr;

}

 

uint16_t STMFLASH_Read (uint32_t  Addr )

{

     uint16_t Date = 0;

     Date = STMFLASH_ReadHalfWord(Addr);

     return Date;

}

 

评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值