stm32的内部flash，怎么读写flash

我用#CSDN#这个app发现了有技术含量的博客，小伙伴们求同去《STM32F103使用内部Flash保存参数》, 一起来围观吧 https://blog.csdn.net/foxclever/article/details/52241744?utm_source=app&app_version=5.0.1&code=app_1562916241&uLinkId=usr1mkqgl919blen

虽然ST的库函数比较全面，但都是基本操作，为了使用方面，根据我们自己的需要对其进行再次封装。

对于读操作相对比较简单，内置闪存模块可以在通用地址空间直接寻址，就像读取变量一样。

//从指定地址开始读取多个数据
void FLASH_ReadMoreData(uint32_tstartAddress,uint16_t readData,uint16_t countToRead)
{
uint16_tdataIndex;
for(dataIndex=0;dataIndex<countToRead;dataIndex++)
{
readData[dataIndex]=FLASH_ReadHalfWord(startAddress+dataIndex2);
}
}

//读取指定地址的半字(16位数据)
uint16_t FLASH_ReadHalfWord(uint32_t address)
{
return*(__IO uint16_t*)address;
}

//读取指定地址的全字(32位数据)
uint32_t FLASH_ReadWord(uint32_t address)
{
uint32_ttemp1,temp2;
temp1=(__IO uint16_t)address;
temp2=(__IO uint16_t)(address+2);
return(temp2<<16)+temp1;
}
对于写操作相对来说要复杂得多，写操作包括对用户数据的写入和擦除。为了防止误操作还有写保护锁。但这些基本的操作ST的库函数已经为我们写好了，我们只需要调用即可。