STM32学习---Flash读写

前言

stm32内置RAM和ROM(Flash),根据flash容量可将stm32单片机分为小容量、中容量、大容量产品。

1、小容量：0-32K

2、中容量：64-128K

3、大容量：256K及以上

rct6是256K大容量，以下是其FLASH地址分配：

每一页有2K，每个地址有1B的容量，但FLASH读写默认是以16位数据为单位传输的。

代码

stmflash.c

#include "stmflash.h"
#include "delay.h"
#include "usart.h"


//读取指定地址的半字(16位数据)
//faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
//返回值:对应数据.
u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
{
    return *(vu16*)faddr;
}
#if STM32_FLASH_WREN	//如果使能了写   
//不检查的写入
//WriteAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr, u16* pBuffer, u16 NumToWrite)
{
    u16 i;
    for(i = 0; i < NumToWrite; i++)
    {
        FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr, pBuffer[i]);
        WriteAddr += 2; //地址增加2.
    }
}
//从指定地址开始写入指定长度的数据
//WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
#if STM32_FLASH_SIZE<256
#define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
#else
#define STM_SECTOR_SIZE	2048
#endif
u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE / 2]; //最多是2K字节
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr, u16* pBuffer, u16 NumToWrite)
{
    u32 secpos;	   //扇区地址
    u16 secoff;	   //扇区内偏移地址(16位字计算)
    u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)
    u16 i;
    u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
    if(WriteAddr < STM32_FLASH_BASE || (WriteAddr >= (STM32_FLASH_BASE + 1024 * STM32_FLASH_SIZE)))return; //非法地址
    FLASH_Unlock();						//解锁
    offaddr = WriteAddr - STM32_FLASH_BASE;		//实际偏移地址.
    secpos = offaddr / STM_SECTOR_SIZE;			//扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
    secoff = (offaddr % STM_SECTOR_SIZE) / 2;		//在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
    secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2 - secoff;		//扇区剩余空间大小
    if(NumToWrite <= secremain)secremain = NumToWrite; //不大于该扇区范围
    while(1)
    {
        STMFLASH_Read(secpos * STM_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, STMFLASH_BUF, STM_SECTOR_SIZE / 2); //读出整个扇区的内容
        for(i = 0; i < secremain; i++) //校验数据
        {
            if(STMFLASH_BUF[secoff + i] != 0XFFFF)break; //需要擦除
        }
        if(i < secremain) //需要擦除
        {
            FLASH_ErasePage(secpos * STM_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE); //擦除这个扇区
            for(i = 0; i < secremain; i++) //复制
            {
                STMFLASH_BUF[i + secoff] = pBuffer[i];
            }
            STMFLASH_Write_NoCheck(secpos * STM_SECTOR_SIZE + STM32_FLASH_BASE, STMFLASH_BUF, STM_SECTOR_SIZE / 2); //写入整个扇区
        }
        else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr, pBuffer, secremain); //写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.
        if(NumToWrite == secremain)break; //写入结束了
        else//写入未结束
        {
            secpos++;				//扇区地址增1
            secoff = 0;				//偏移位置为0
            pBuffer += secremain;  	//指针偏移
            WriteAddr += secremain;	//写地址偏移
            NumToWrite -= secremain;	//字节(16位)数递减
            if(NumToWrite > (STM_SECTOR_SIZE / 2))secremain = STM_SECTOR_SIZE / 2; //下一个扇区还是写不完
            else secremain = NumToWrite; //下一个扇区可以写完了
        }
    };
    FLASH_Lock();//上锁
}
#endif

//从指定地址开始读出指定长度的数据
//ReadAddr:起始地址
//pBuffer:数据指针
//NumToWrite:半字(16位)数
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr, u16* pBuffer, u16 NumToRead)
{
    u16 i;
    for(i = 0; i < NumToRead; i++)
    {
        pBuffer[i] = STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr); //读取2个字节.
        ReadAddr += 2; //偏移2个字节.
    }
}

//
//WriteAddr:起始地址
//WriteData:要写入的数据
void Test_Write(u32 WriteAddr, u16 WriteData)
{
    STMFLASH_Write(WriteAddr, &WriteData, 1); //写入一个字
}

stmflash.h

#ifndef __STMFLASH_H__
#define __STMFLASH_H__
#include "sys.h"  

//
//用户根据自己的需要设置
#define STM32_FLASH_SIZE 256 	 		//所选STM32的FLASH容量大小(单位为K)
#define STM32_FLASH_WREN 1              //使能FLASH写入(0，不是能;1，使能)
//

//FLASH起始地址
#define STM32_FLASH_BASE 0x08000000 	//STM32 FLASH的起始地址
//FLASH解锁键值
 

u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr);		  //读出半字  
void STMFLASH_WriteLenByte(u32 WriteAddr,u32 DataToWrite,u16 Len);	//指定地址开始写入指定长度的数据
u32 STMFLASH_ReadLenByte(u32 ReadAddr,u16 Len);						//指定地址开始读取指定长度数据
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite);		//从指定地址开始写入指定长度的数据
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead);   		//从指定地址开始读出指定长度的数据

//测试写入
void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData);								   
#endif

main.c

#define FLASH_SAVE_ADDR  0X08016000		//设置FLASH 保存地址(必须为偶数，且其值要大于本代码所占用FLASH的大小+0X08000000)

int len[200];						//保存内部FLASH各数据长度
int16_t Arr[7] = {12, -345, 1500, 3500, -1275, 98, 4095}; //数据数组
int Arr_cnt = 7;		//存入内部FLASH数据个数
u8 Key_Flag = 3; //按键标志

int main(void)
{

    u8 key;
    Init_All();

    while(1)
    {
        key = KEY_Scan(0);

        if(key == KEY1_PRES)Key_Flag = 1;
        else if(key == KEY2_PRES)Key_Flag = 2;

        /*写入内部FLASH*/
        if(Key_Flag == 2)
        {
            for(int j = 0; j < Arr_cnt; j++)
            {
                u8 g_Text_Buf[] = {"  "};//注意字符数组初始化时的长度，即空格个数，现在是3，因为还要加‘\0’
                sprintf(g_Text_Buf, "%d", Arr[j]);//将数值型转成字符数组
                len[j] = sizeof(g_Text_Buf);//记录每个数据的长度
                STMFLASH_Write(FLASH_SAVE_ADDR + 6 *j , (u16*)g_Text_Buf, len[j]);
            }
            Key_Flag = 0;
        }
        /*读FLASH*/
        if(Key_Flag == 0)
        {
            for(int j = 0; j < Arr_cnt; j++)
            {
                u8 str[len[j]];
                int data;
                STMFLASH_Read(FLASH_SAVE_ADDR +  6 *j, (u16*)str, len[j]);
//                printf("str=%s\n", str);
                data = atoi(str);
                printf("data=%d\n", data);
                delay_ms(5);
            }
        }

    }
}

g_Text_Buf空格个数和读写地址间隔数（FLASH_SAVE_ADDR + 6 *j ）是根据我写入的数值长度决定的，我的最长是-1275，转换成字符型后，占5B，但FLASH以2B读写的，所以占6B，3个半字，所以g_Text_Buf长度为3。