pn结原理

转载 2011年01月16日 23:17:00

我有点儿怀疑我的脑子是不是有问题……

 

今天,才算真正弄通pn结的基本原理。

从大一学模拟电路时便开始接触pn结,还记得当时一字一句的阅读那本模电书,

无论怎样也看不懂,看懂了,也记不住,记住了,也用不上……

 

 

pn结】被喻为集成电路的心脏”“太阳电池的心脏

应该也是一切半导体器件的心脏。

 

pn结的原理

 

 

看了很多本书,关于pn结方面的讲述,总是高深莫测,从没有通俗易懂的讲解,

因此我一直囫囵吞枣,希望我的这篇解释能显得通俗一些……

 

 

pn结的制作,以硅为基础,硅之所以是半导体,

和它的最外层有4个电子有很大关系。


真正纯净的晶体硅是不能用作半导体器件的,正所谓【水至清则无鱼】,

必须对其进行【掺杂】,掺杂是工艺方面的术语,

有很多方式,究其效果,和一把沙子投进米中的效果差不多。

 

假设有一块长方体形状的硅砖,左端放入一把磷原子,右端放入一把硼原子;

进行理论分析时,假设为均匀掺杂;


为什么用磷原子和硼原子呢?

因为磷原子的最外层有5个电子,硼原子最外层有3个电子,

原子由原子核和核外电子组成,相对于电子,

原子核很大,大概是足球和足球场相比的结果,很悬殊;

 

因此,当硅、硼、磷原子手牵手排队时,

磷原子的一个外层电子就被无情的挤掉了,

便形成了一种非常重要的载流子——自由的电子;

 

另一方面,硼原子的外层形成一个小的空位,

是另一种载流子——我们称之为【空穴】。

 

水向低处流……

硅砖中的两种载流子——自由电子和空穴也不例外:


由于掺杂的原因,硅砖的左侧聚集了大量的带负电荷的自由电子

(磷原子失去的,我们称磷为【施主】),

右侧聚集了同样多的带正电荷的空穴,它们自然要向密度低的地方【扩散】,

扩散是专业术语,这样的流动形成了扩散电流。


但是有一点需要注意,虽然电子向右流动,

但左端的电子密度无论如何也要比右端大,

因此硅砖左端,也就是掺杂磷原子的部分,

被标记为n区【也就是negative】;

右端空穴密集,也就是正电荷密集,

自然成为p区【positive】。

 

相对于电子和空穴,这时失去电子的磷原子带一个单位正电荷,

成为挺立不动的阳离子;

硼原子带一个单位负电荷,同样不动,成为阴离子。

 

两种离子像两堵墙一样排列在pn结的两侧,专业一点讲,

像平行板电容器,电场方向为从左向右。


这堵墙阻挡了自由电子和空穴的自由流动,我们称之为阻挡层,或者耗尽层,

因为这里充满了固定电荷,它还叫做空间电荷区;

当然,最出名的名字,叫做【内建场】。


唉,真搞不懂,明明不复杂的东西,硬要搞出许多复杂的名号……

 

如上所述,一块完整的pn结产生:


它像一块长方形砖块,

左端充满自由电子,因此叫n区,

右端充满空穴,叫p区;

 

中间部分,靠左些是一排不能动的磷离子,带正电荷,

靠右些是一排不能动的硼离子,带负电荷,

两堵墙组成内建场,使硅砖内部的、微小的、不安分的电子和空穴保持平衡。


这是一种动态平衡。

 

所谓动态平衡,外表看起来是静止,实则有两股相反的电流同时存在,

刚好它们的大小相同,因此看起来平衡。


其中一股就是上边说的【扩散电流】【diffusion】,

另一股,有内建场撑腰,叫做【漂移电流】【drift】。

 

再说说pn结的正偏和反偏:

 

正偏和反偏,都是在pn结的外部加电压,只是方向不同:


所谓正偏,就是在p端加正电压,n端加负电压,

ppositiven=negative,容易记住吧?反之为反偏。

 

正偏时,外电压的方向刚好和内建场的方向相反,半导体的内建场的电压不到1v,很容易湮没在外电场的淫威之下,此时的pn结内部,有如滔滔江水,

电子和空穴自由流动,形成很大的电流,类似于短路;


反偏时,外电压和【内建场】方向一致,帮助【内建场】筑起高墙,

阻隔电子和空穴的流动。

此时只有很小的反偏电流,多数情况下被忽略不计,好像pn结是关断的……

 

大家耳熟能详的二极管的整流特性,就是应用上述原理。

 

 

今天累了,罗里罗嗦写了这多,列为看官辛苦了……

 

今天终于弄通了pn结的原理,所谓一通百通,有关半导体的其它理论,

如【能带】、【费米能级】、【光电效应】、

【光生伏特效应】、【光电导】

 

这些太阳电池的基本理论,也就可以融汇了……

 

 

 

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