为何掺杂浓度越高,PN结却越窄

首先PN结的维持是依靠PN各区的少子的漂移运动和在PN结形成的空间电场下少部分突破其势垒逃逸的多子的扩散运动，漂移运动的少子和扩散运动的多子数目相同
那么，此时因为少子是半导体自身共价键本征激发所形成的载流子，与掺杂浓度无关，所以在掺杂浓度增大时，少子的数目是不变的，只有在原本没有增大浓度时形成PN结的区域掺杂的杂质元素增多，此区域极易挣脱束缚而进行扩散运动的多子同进行漂移运动的固定数目的少子达到动态平衡时，所需挣脱束缚的多子的范围就更小，所以PN结就更窄。

PN结随正向电压方向及大小的变化
1.当外接正向电压时，靠近PN结两侧电子密度增大，并向两侧递减，又上面结论可得PN结变薄。
2.或者另一种解释，在外接正向电压时，大量电子涌入N区，一部分电子与空间电荷区的正离子结合，从而使其显中性，所以削弱的内电场，且PN结变薄，P区同理
3.当外接正向电压时，漂移运动被削弱，扩散运动加强，又由上面可得，少子和多子严重不等，且少子漂移运动减少，PN结无法正常维持，故缩减

PN结随反向电压方向及大小的变化
1.漂移运动被增强，进行漂移运动的少子增多，由上结论可得PN结变厚