双极晶体管(三极管)

三个区域

简称:三极管BJT

一个晶体管上进行三次掺杂分出三个区域

发射区,基区,集电区三个区练出来有了三个级

2个PN结

发射级:发射载流子

基级:控制信号输入

集电极:储存载流子以待发射

构成方式:NPN型与PNP型

重要作用

三极管本身并不能够控制电流的大小,实际上是重新的控制了电源的能量,使其从一种形式转换为另外一种形式,即是重新调配了电源的能量,让能量跟着三极管走,控制其他的能量实现

放大的真谛:绝对不能失真

Ic(集电极电流)是Ib(基极电流)的倍,就是放大倍数,观察得出

放大基本原理(内部载流子的运动)

 两个名词

正偏,正向导通

反偏:反向击穿

发射结正偏时,发射区高掺杂浓度(含有大量的自由电子),那么,这些自由电子就会向基级进行扩散,基区里的多子空穴也会向发射区扩散,但是基区的掺杂浓度非常低,所以基区流向发射区的空穴根本和发射区流向基区的自由电子比不了,所以在基区边缘部分自由电子浓度非常高就会继续往前扩散,经过基区往集电极进行扩散,此时在基区中比然会发生复合,因为基区是空穴的天下,但是基区薄而且掺杂浓度低,所以绝大部分的子还是能顺利通过,由于基区的复合比例固定所以Ib与Ic成比例,当然了,扩散的速度也需要保持不变

集电极反偏,自由电子到了集电极之后才会被抽走,,但是如果集电极没有反偏了,那么整个过程就会不一样,自由电子来了额之后就呆在这了

总结一下:Ib与Ic成比例条件

1.基区结构不改变

2.扩散速度不改变

3.发射级正偏

4.集电极反偏

放大系数

直流

(注意Iep直接就省略了)

交流

大部分时候他俩都是相似的

Iceo:穿透电流

实际上就是基极电流为零的时候的电流,从Ic走到Ie的微弱电流

小结:

三级管可以实现电流放大,什么条件下实现呢,发射级正偏,集电极反偏的时候实现,实现之后有了两个参数,就是共射放大系数,共基放大系数,实际上是非线性的因为Iceo的存在导致

三级管的应用

Ib:输入的

Ic:输出的

研究输入特性为为输入研究

也就是基级电流受到发射级电压的控制

令Uce为常数

  晶体管的输入特性曲线,就像PN结那样子,因为基级与发射级就是一个PN结

曲线特点

Uce越小曲线越往左进行移动,越大越网右移动

输出特性

当Ib不变时,Ic,Ib应该是不变的

Uce越大,越正偏

 三极管的饱和特性曲线

当Ib不断增大,Uce会不断增大吗?显然不会,最大也只是Vcc/Rc

因为三极管只是重新调配了电源的能量而已

不过只要Uce(导通电压)能够缩小,电流就还有继续增大的前途

从内部来讲,饱和状态就是双结正偏了,Uce非常小,集电级就失去了收集电子的功能,完全就是自由扩散,因为基级电流不断增大,但是集电极电流已经不能够增大,最终基级电势高于集电极电势,导致正偏无法实现收集电子的功能,也就饱和了

总结

 放大区--->c = b

截止区:双结反偏,ce断路,发射级的电子不能够流到集电极了

饱和区:双结正偏,Uce已经减小到最小了,也就是集电极正偏的时候出现,C,E类似于开关的闭合

此时即是b>

三极管为啥能当做开关

基级的电压高时---->CE之间相当于饱和

参数

放大倍数

极限参数,什么样的电压电流下是不会损坏的

温度:温度升高,曲线左移,也就是温度升高会让发射结电压下降,每升高一度,PN结正向压降小2-2.5毫伏,同时放大倍数也会增大