场效应管FET

简称:

场效应管(Field Effect Transistor)

此管解决了什么问题呢?它有什么优势?

1.IC集成电路,越集成那么就越难解决散热的问题,而Mos管是利用电场效应来实现其对应功能的,基本上就没有功率的消耗,因此也不会发热,也就解决了发热的问题

2.同时它的输入电阻非常高,因为没有电流

3.场效应管只有一种粒子在导电,也就是多子在进行导电,因此受温度的影响也非常的小,也就是温度稳定性非常高,不像三极管是双极型晶体管,多子少子同时在导电

类型

结型场效应管

绝缘栅型场效应管(金属M氧化物O半导体S场效应管)MOSFET

绝缘栅型场效应管使用得非常多,但并不是结型的不用,只是绝缘栅型能够替代结型的很多特性

N沟道增强型MOS管(NMOS)

共有三个级G(栅级)D(漏级)S(源极)

删级:控制级

S:载流子的源泉

D:载流子的输出

DS就趴在SiO2上跟谁都绝缘,控制栅级,因此跟谁都不导电

工作原理:

栅级可以加电压,DS之间也可以加电压

分析方法:当有多个变量控制一个东西的时候,先一个一个来看

先让ds等于零再加上gs的电压,而gs的电压一旦加上,在g下方的空穴就会全部被踢走,形成耗尽层,同时有吸引了P型的少子自由电子聚集在一起,构成了一个反型层,这个特定的区域当中的多子是自由电子,所以被称为N沟道,也就是Negetive

注意:gs越小,沟道越窄,电阻越大,gs越大,沟道越宽,电阻越小

也就是说我们得到了一个用电压控制的可变电阻器,更进一步说就是我们的gs决定了ds

此时只需要DS上有电压我们就有电流了

那么怎么加上呢

当gs(gs之间的电压)>gsth(开启电压)时,沟道开始形成

当gs(gs之间的电压)<gsth(开启电压)时,没有电流 

gs之间的电压越来越大时,实际上是左边那一部分的电压逐渐变大,所以左边的通道越来越宽,右边的通道会越来越窄

左边的电位与右边的电位就会出现不一致导致,即左边的电位比右边的电位高ds

 即左边的电位是gs,右边的电位就变成了gs-ds,随着ds的不断增加,就会出现预夹断现象,但是此时还是会有电流的也就是还有缝隙,继续加大ds,那么此时缝隙就会变长,这个过程就相当于

ds电阻不断的增大了,此时我们就得到了一个非常有意思的东西,d基本就不变了,近似出现恒流,也就是增加的电压都去抵抗增加的电阻了,是一个自平衡的一个过程

当ds足够大,出现预夹断之后,那么gs大也就是沟道宽,电阻小,相同电压下电流就大

我们就得到了一个结论

GS栅级和源极之间的电压就能够影响d的大小,也就是成比例

N沟道增强型:

必须有gs>gsth才会有导通出现,而结型是天生导通的无需电压就能够导通

N沟道耗尽型Mos管

直接在Sio2里面添加正电荷,强大到天生导通

 加正向电压沟道就会加宽,加反向电压就会缩小

当电压为时,也就是加到哪一个负电压值的时候才会关断

即>时,此管都可以用,一直开通