模电
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将唐
在校大学生
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功率放大电路
两个乙类合在一起就能够得到全部的波形,这就是补偿,让正半周的有通路,让负半周也有通路。RL是真正有用的,其余在三极管以及电阻Re上的都去发热去了,是没有意义的消耗,的,因为是直接接到电源上,不加这个电阻电流就会非常大,烧毁二极管,但是呢,我们。基本要求:输出电阻小,功率加大,输出电压不失真,即Ro小,Uo大,P大,只有交流信号进来的时候,电源的功率才会做真正有用的事,这就是纯甲类功放。因此就有了下面这个电路,倍增电路的出现,使得输出的电压能够被调节。的状态就是甲乙类功放,甲乙类功放的特点就是正半周有,而。原创 2024-08-04 17:28:03 · 679 阅读 · 0 评论 -
差分放大电路
Re这个反馈电阻越大,我们的抑制效果就越好,但是同时我们的放大倍数也会被削减的非常厉害,因为Rc 与 Re两个电阻近似相等了,导致放大倍数甚至小于一,也就是Au(增益减小了)Ie = Ib + Ic(但是基级的电流太小了,我们直接舍去这个电流,让Ic = Ie)差模信号时:流过Re的电流方向一上,一下,且大小相等,因此Re可以等效为消失了。Re的电流相当于零,因此Re两端电位差为零,Re可以等效为消失。温度造成的零点漂移,我们增大他的反馈电阻零点漂移的问题就越小。双入双出,单入单出,双入单出,单入双出。原创 2024-08-04 17:27:47 · 563 阅读 · 0 评论 -
放大电路总结
从RsUs看进去,实际上不管接了什么东西都能够看成是一个Ri(输入电阻)Ro--->输出电阻--->将前端的等效成为一个电阻。Ro很大的时候,RL变化对Rio的影响非常小。RL是负载的电阻,Ro大近似与电流源输出。只有直流移动时才有Rbe动态等效电阻。上图当中的Ro--->输出电阻。Ro小的时候近似与电压源输出。当前面是一个电压源的信号。我们就需要输入电阻更大。Rc越小,电压越稳定。Rc越大,电流越稳定。原创 2024-07-26 15:56:54 · 302 阅读 · 0 评论 -
放大电路的分析方法
Q点,再得出此点的斜率也即是电阻值----Rbe。,Rbb就是基区的体电阻,大概是100-300欧。Ui是我们的交流,这个交流信号产生了Ib基级电流。之间的关系,因为很显然他们之间不是线性的关系。也就是左图中放一个动态电阻Rbe,注意这是。Ic与Ib之间的关系就是一个线性的关系。之间的关系绝不是Ube与Ib之间的关系。静态工作点决定了Rbe的大小。等效起来的电阻有Ic的影响。变化量那么就可以近似的等效。至于是饱和还是放大需要判断。这里讨论的等效是仅仅在。我们实际上要解决的问题是。直流决定了动态的参数。原创 2024-07-26 10:14:06 · 226 阅读 · 0 评论 -
基本放大电路
信号源不能够承受,那么就会失真,也就是减小信号源的功率输出,Us不变,我们就需要减小输出电流。,压降就会变大,如果没有这个电阻的话,电路就直接烧了,在漏级上加了一个电阻是因为Ic=Ui的变化引起了Ub的变化,Ub的变化引起了Ib的变化,变化的Ib又引起了Ic的变化。对于输出电压Uo来讲,如果我们需要的是电压几乎不变,也就是等效与一个电压源,那么。,Rb是限流电阻,是不可缺少的元器件,电压的一点点变化就会引起电流的变化,而。电压放大成电压,电压放大成电流,电流放大成电压,电流放大成电流。原创 2024-07-25 21:00:44 · 298 阅读 · 0 评论 -
结型场效应管的特性
而绝缘栅型的管子就非常的娇贵了,因为Sio2上的电容非常小,所以感应出来的电压高,很容易就击穿Sio2了。DS之间加上电压,上面的PN结就会变厚,上方为正极就会吸引电子,而下方为负级就会推电子,所以就形成了。不改变时那么沟道也不会改变,加到底时就会出现夹断,注意这是真正的夹断,就没有电流了,此时。因为负极从左右两边推电子,而正极从ds之间吸引电子,因此越来越窄,与耗尽型的相似,场效应管工作在恒流区,使得Ugs变化,Ugs就控制了Id的变化,Id跟着Ugs变化。,越反偏耗尽层就会越宽,而耗尽层越宽,中间的。原创 2024-07-23 14:51:56 · 439 阅读 · 0 评论 -
场效应管FET
gs的电压一旦加上,在g下方的空穴就会全部被踢走,形成耗尽层,同时有吸引了P型的少子自由电子聚集在一起,构成了一个反型层,gs之间的电压越来越大时,实际上是左边那一部分的电压逐渐变大,所以左边的通道越来越宽,右边的通道会越来越窄。1.IC集成电路,越集成那么就越难解决散热的问题,而Mos管是利用电场效应来实现其对应功能的,基本上就。,也就是温度稳定性非常高,不像三极管是双极型晶体管,多子少子同时在导电。gs大也就是沟道宽,电阻小,相同电压下电流就大。,此时我们就得到了一个非常有意思的东西,原创 2024-07-22 16:59:03 · 1103 阅读 · 0 评论 -
双极晶体管(三极管)
1.基区结构不改变2.扩散速度不改变3.发射级正偏4.集电极反偏放大区--->c =b截止区:双结反偏,ce断路,发射级的电子不能够流到集电极了饱和区:双结正偏,Uce已经减小到最小了,也就是集电极正偏的时候出现,C,E类似于开关的闭合此时即是b>原创 2024-07-22 11:52:43 · 941 阅读 · 0 评论 -
PN结的特性
话不多说先上图l正向特性:锗管的导通电压小于硅管反向特性:反向击穿时的电流锗管大于硅管。原创 2024-07-21 15:41:14 · 384 阅读 · 0 评论 -
二极管的使用
实际中,电流要想变大,电压必须也要变大,只是由于在电流在一个非常大的变化范围之内电压变化得非常小因此可以看成是不变的,也就是它的变化是可以忍受的。大的直流能够让二极管在导通电压左右工作,交流的10mv加上之后,交流电流与直流电流进行了叠加,交流电流就全部出现了。二极管长期工作时所能够通过的正向平均电流的最大值,能够通过的功率电流值。二极管是有结电容的,尽管其非常微小,但是只要频率足够高,就等效于通路了。显然,这个值越小反向电流就越小,反向截止的特性就越好。不支持大负载的场景,只适合与电流小的场景。原创 2024-07-21 20:40:58 · 378 阅读 · 0 评论 -
PN结的形成
就是只能从P区流向N区,而不能从N区流向P区,当然了并不是绝对不导电,还是会有非常微弱的电流的(原因是空穴的漂移运动得到加强)掺杂了少量的P(磷),导电性能瞬间提升,因为有一个外部电子容易逃离原子核的束缚,甚至比原来未掺杂的半导体导电性能提升上百万倍。PN结外加正向电压,削弱了内电场,N区电子就可以流向P区空穴了,同理P区空穴也可以流向N区电子了,宏观上来看就是导电了。实际上温度的上升导致载流子的浓度不断上升,载流子浓度的上升就导致了复合的速度也加快,最后才出现动态的平衡。原创 2024-07-20 17:17:54 · 902 阅读 · 0 评论