差分放大电路

目录

引出

复合管

直接耦合放大电路

问题:

怎么抑制

初代电路(已引入负反馈之后)

分析

怎么解决

镜像电路

两个概念

分析直流通路:

分析交流电路:

差分放大电路的分析

交流通路

简化

 H参数等效

可以得到

其他接法

引出

复合管

目的:获得更大的放大倍数

多只晶体管或者场效应管构成取代电路中的管子,从而进一步改善基本电路中的性能

真正起到功率输出的管子---->功率管,看前面一级的管子,是是什么管等效出来也就是什么管(也就是看电流方向与哪个管子相同)

缺点:放大电流的同时也放大了穿透电流,导致复合管的温度稳定性较差

放大的倍数:近似为两个管子的放大倍数相乘

直接耦合放大电路

问题:

零点漂移:输出随着时间的增加而不断的上下移动,也就是零点不在零点而是在漂移

零点漂移众多产生原因之一:温度

因此由温度产生的零点漂移简称为温漂,其他导致零点漂移的原因是我们都能够忍受的,因此单独拿出温度来讲,因为你不能让元器件只在一个小温度范围内工作,所以必须抑制温漂

怎么抑制

找到一个与其相对抗的东西----我们引入负反馈这个东西,以基本共射放大电路来讲就是,我们在射级上加上一个电阻

对于温度造成的零点漂移,我们增大他的反馈电阻零点漂移的问题就越小

初代电路(已引入负反馈之后)

分析

Ie = Ib + Ic(但是基级的电流太小了,我们直接舍去这个电流,让Ic = Ie)

然后就是简单的公式推导了,得出结论

Re这个反馈电阻越大,我们的抑制效果就越好,但是同时我们的放大倍数也会被削减的非常厉害,因为Rc 与 Re两个电阻近似相等了,导致放大倍数甚至小于一,也就是Au(增益减小了)

怎么解决

我们的矛盾都集中在Re这个电阻上,抑制干扰信号就要大,增益不变就要小

所以我们要设计这样一个电路

这个电路在面对需要放大的信号时,反馈电阻相当于不存在

在面对零点漂移的时候这个反馈电阻又相当于无穷大

镜像电路

 如图我们又加了另外一个与初代电路完全相同的镜像电路

然后将Ui2的电流方向设为与Ui1相反(实际上不是倒着流,要记住交流都是趴在直流上的,实际上还是正着流,但是是其变化与Ui1 +VBB是相反的,需要注意)

两个概念

差模信号:大小相等,方向相反的信号

共模信号:大小相等,方向相同的信号

分析直流通路:

直流通路时,相当于有两倍电流流过Re,Ve分压变大,能够起到抑制温漂的作用

分析交流电路:

交流通路时,流过Re的电流相当于零,因此Re两端电位差为零,Re可以等效为消失

综上,就达到了我们想要达到的理想效果,我们称这个电路为长尾式差分放大电路,因为我们输入的信号就是差模信号

差分放大电路的分析

共模信号:Uo = 0,Auc = 0即增益为零

差模信号:Ui1 = -Ui

交流通路

差模信号时:流过Re的电流方向一上,一下,且大小相等,因此Re可以等效为消失了

简化

 H参数等效

可以得到

其他接法

 双入双出,单入单出,双入单出,单入双出

单入双出相当于加了一对共模信号和一对差模信号

单入单出就相当于双入单出带共模信号

场效应管(FET)用于差分放大电路中可以提供高输入阻抗以及良好的线性度。差分放大器是一种能够接收两个输入信号并放大的电路,其中一个输入被当作正相输入而另一个则被视为反相输入。当这两个输入信号相同的时候,理想的差分放大器不会有任何输出变化;然而,如果有差异,则这些差异会被放大。 ### 场效应管差分放大电路的基本原理 在差分放大电路里,通常有两个相同的场效应管组成一对,它们共享一个公共源极电阻或者电流源。这样的配置使得任何一个晶体管中的电流增加都会导致另一只晶体管的电流减少,从而实现对微小电压差异的高度敏感响应。 ### 差分放大电路图纸分析 虽然无法直接展示图片,在此描述一下典型的场效应管构成的差分放大电路图的主要元素: - **双端输入**:两个场效应管的栅极端分别接受输入信号。 - **共源耦合**:两只场效应管的源极相连,并共同接到一个负反馈元件上,比如一个恒流源或者是简单的电阻。 - **负载电阻或有源负载**:每个场效应管的漏极连接至各自的负载组件,这可能是普通的电阻或是更复杂的有源负载结构以提高性能。 - **偏置网络**:为了确保适当的静态工作点,需要设置合适的偏置条件来稳定直流操作状态下的电压和电流值。 ### 分析方法 要分析这样一个电路的行为,可以从以下几个方面入手: - 计算静态工作点参数,包括各节点上的直流电压和电流; - 应用交流等效电路来进行频率响应预测; - 利用小信号模型评估增益、输入/输出阻抗和其他动态特性; - 考虑温度稳定性以及其他非理想因素的影响。 对于更加深入的理解和具体的设计指导,建议查阅专业的模拟电子教材或参考文献获取详细的理论推导和技术细节。
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