计算机组成原理——3.3线，SRAM和SRAM区别

一、芯片组成

主要是那几根线考的多，地址线，数据线，片选线1根，读写控制线2根。

线又称为引脚，所以地址线也叫地址引脚，数据线叫数据引脚，地址线和数据线需要根据芯片来算，可见例题1。

注意⚠️：如果是DRAM，因为DRAM采用地址复用技术，会导致地址线需要减半，片选线从一根变成两根。

二、DRAM和SRAM区别

DRAM：动态随机存储器，一个电容存储信息。

SRAM：静态随机存储器，好几个电容组成双稳态触发器存储信息。

由此比较两者的区别：

1.存储信息：电容，触发器

2.破坏性读出：是，不是

破坏性读出的意思是：一旦读出数据，因为DRAM用电容存储信息，一旦读出就需要重新充电才能再有信息。

SRAM双稳态存储信息，读出后保存在双稳态触发器中的信息不会消失。

3.需要刷新：需要，不需要

刷新的意思是：因为DRAM用电容保存的信息，过一段时间不刷新，电容漏电，信息就没了，所以需要刷新。但是SRAM双稳态不会漏电，所以不用刷新。

4.价格：便宜，贵

DRAM一个电容肯定便宜，SRAM有8个电容加一堆东西肯定贵。

5.运行速度：慢，快

DRAM都那么便宜了，还想速度快，做梦🤤呢。

6.集成度：高，低

集成度可以理解为体积小的集成度高，DRAM一个电容那肯定体积小啊，所以集成度高。

7.发热量：小，大

还是那句话，DRAM一个电容，发热肯定小

8.主要用途：主存，Cache

DRAM综合以上特点，可以做成主存。

SRAM那么贵，肯定当Cache啊

三、DRAM的刷新

由二知道，刷新的意思是：DRAM用电容保存的信息，过一段时间不刷新，电容漏电，信息就没了，所以需要刷新。但是SRAM双稳态不会漏电，所以不用刷新。

那么根据什么时候刷新，可以分成集中刷新，分散刷新，异步刷新。

假设DRAM每过2ms就必须刷新一次，因为如果不刷新，电容保存的信息就没了。再假设刷新所需要的总时间是0.5ms。

集中刷新：因为每过2ms就必须刷新一次，2ms当一个周期，因为刷新需要0.5ms，集中刷新就是前1.5ms进行读写操作，最后0.5ms进行刷新，不进行读写操作。因为不进行读写操作，所以把最后这0.5ms叫死时间。

分散刷新：因为在2ms内要进行读写操作和刷新操作。设读写一次的时间0.5us，那么我让每次读写完一次就刷新一次，且刷新这次的时间和读写操作的时间一样都是0.5us。那么最后其实读写1ms，刷新1ms。本来刷新0.5ms就可以，硬是刷新了1ms，减少了读写时间，所以不存在死时间，但是读写的效率比较低。

异步刷新：因为在2ms内要进行读写操作和刷新操作。异步刷新就是首先把读写操作和刷新分段，假设分成5段，也就是每段有0.4ms，且需要进行一轮读写和刷新。因为必须刷新的总时间是0.5ms，分成5段，也就是每段必须拿0.1ms进行刷新。因为一段0.4ms，刷新0.1ms，所以先读写0.3ms，然后必须刷新0.1ms，就这样完成5轮。因为没段必须拿0.1ms，完成5轮，所以总共0.5ms，被称为死时间。

四、例题

1.某容量为256MB的存储器由若干4M*8位的DRAM芯片构成，该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚总数是（）

A.19

B.22

C.30

D.36

答案：A

解析：先不用管芯片怎么组成的存储器，问引脚主要看芯片的线。因为芯片是4M*8位，第一个4M是地址线组成的，第二个8位是数据线组成的。因为4M=2^22位，所以地址线22根。8位就是数据线8根。

注意⚠️：如果这样选30，那你就掉坑了，题目上说是DRAM芯片，采用地址复用技术，地址线减半，成11根。所以应该是11+8=19。选A