研二文献阅读（三）

        这是论文中用到的LSCR剖面图。今天要讲的论文主要介绍的是和实测TLP对应的TLP仿真的实验方法，在某些场景下可以进行器件参数变化趋势的预估。

        这是对器件进行单脉冲TLP瞬态仿真用到的电流波形，和实测TLP的电流波形是类似的。因为是瞬态仿真，所以电流和电压响应以波形图的形式进行表现。

        这是使用单脉冲TLP瞬态仿真得到的IV曲线图和实测TLP IV曲线的对比，有一定的符合度，但是局部的数值差距还是挺大的。

        这是进行多脉冲仿真用到的电流脉冲，可以看到其实这是一系列的电流脉冲，上升时间等参数是一致的，但是幅值不同。用这些电流波形分别对器件进行单脉冲仿真，最终得到的电流波形和电压响应波形的70%-90%取平均值，得到一系列电流电压离散数据，绘制在一张图中就可以得到对应的IV曲线。

        上图为不同幅值的单脉冲仿真的电压响应波形图。

        这是得到的多脉冲仿真的IV曲线和实测TLP曲线的对比图，可以看到曲线还是具有很好的符合度的。

        通过提取多脉冲仿真TLP IV曲线和实测TLP IV曲线的特征参数，可以看到该仿真方法对于实际器件的特征预测是具有一定说服力的，也为今后类似的研究工作提供了一种较为有效的方法。

        该论文发表在2012年的电子学报上，标题为《一种新的ESD防护器件的多脉冲TLP仿真方法》，英文标题为A Novel Multi-Pulse TLP Simulation for ESD Protection Device，DOI号为10.3969/j.issn.0372-2112.2013.05.030。