1 电容是什么?
电容器: 顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。贴片电容全称为：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器（Multilayer Ceramic Chip Capacitors，MLCC）。任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。
单位:(法毫微纳皮千进制)
备注：
电容器对交流电有特殊的电阻特性，称为容抗。
理想的直流电没有频率，例如电池、蓄电池等，如果是在交流电源整流得来的直流电是有频率的，只不过经滤波稳压后就不那么明显了。
2 作用是什么？
在电路中电容的作用有耦合、滤波、旁路、去耦（退耦）、延时、调谐、震荡。
去耦：数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压，会影响前级的正常工作。这就是耦合。
(突然产生一个大电流,那电容不就可以将这个大电流给存储起来,这个就叫去耦电容吧)
所谓去耦，即防止前后电路网络电流大小变化时，在供电电路中所形成的电流冲动对网络的正常工作产生影响。换言之，去耦电路能够有效的消除电路网络之间的寄生耦合。去耦电容相当于电池，是电路中装设在元件的电源端的电容，此电容可以提供较稳定的电源，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹波。同时也可以降低元件耦合到电源端的噪声，间接减少其他元件受此元件噪声的影响。具体容值可以根据电流的大小、期望的纹波大小、作用时间的大小来计算。
对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。 去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。
经验法则：“在电路板的电源接入端放置一个1～10μF的电容，滤除低频噪声；在电路板上每个器件的电源与地线之间放置一个0.01～0.1μF的电容，滤除高频噪声。”
旁路：什么是旁路？旁路（Bypass），是指给信号中的某些有害部分提供一条低阻抗的通路。电源中高频干扰是典型的无用成分，需要将其在进入目标芯片之前提前干掉，一般我们采用电容到达该目的。用于该目的的电容就是所谓的旁路电容（Bypass Capacitor）,它利用了电容的频率阻抗特性（理想电容的频率特性随频率的升高，阻抗降低，这个地球人都知道），可以看出旁路电容主要针对高频干扰（高是相对的，一般认为20MHz以上为高频干扰，20MHz以下为低频纹波）。
在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路滤掉的电容(所以应该是比较小的)，称做“旁路电容”。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除， 而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。
旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦电容一般比较大，是10u或者更大。
在数字电路中，一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这个去耦电容也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好），这样交流分量就从这个电容接地。因为在这些地方的信号主要是高频信号，使用较小的电容滤波就可以了。
在一个电路中，尤其是高频电路中各个元器件之间是有耦合作用的，这对电路实现其功能是有一定影响的，使用高精度电容就是为了去掉耦合作用，保证电路正常功能的实现，例如，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号有较小的阻抗,这样就减小了电阻产生的耦合效应(交流信号从电容器通过,就减小了在电阻上的压降了)，所以这个电阻很小,信号频率可能很高，一般的电容精度不够,结果会造成去耦效果不好导致电路应用效果不好，电容本身会有容抗,选择不合适也会影响电路的整体性能，所以这个电容一定有精度高，还要考虑耐压分布电感等各种参数，所以一般去耦电容最好用比较好的品牌.
电路中典型的去耦电容值是 0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于 10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。最好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。(所以说大电容滤除低频信号，小电容滤除高频信号；因为小电容ESL基本可忽略，所以是频率越高，阻抗越低，而大电容一般是电解电容，ESL大，频率太高时，阻抗反而会变大，所以只能滤除低频信号）
在供电电源和地之间也经常连接去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。
这三种叫法的电容，其实都是滤波的，只是应用在不同的电路中，叫法和用法不一样。
滤波电容，这是我们通常用在电源电路整流以后的电容，目的是滤除残余的脉动交流成分,把交流整流成脉动直流，通过充放电加以平滑的电容，这种电容一般都是电解电容，而且容量较大，在微法级。
旁路电容，是把输入信号中的高频成份加以滤除，主要是用于滤除高频杂波的，通常用瓷质电容、涤纶电容，容量较小，在皮法级。
去耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象，去耦电容相当于电池，利用其充放电，使得放大后的信号不会因电流的突变而受干扰。它的容量根据信号的频率、抑制波纹程度而定。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取 0.01μF。容量在皮法级.
由上图可以得到，不同的电容曲线不同，容量大的ESR要小一些，谐振频率低些，主要滤低频；容量小的ESR要大一些，谐振频率高些，主要滤高频。
3 主要参数有哪些？
主要参数：容值，封装，容差，额定电压，温度特性，直流偏压特性，车规认证。(漏电流，频率特性，介质损耗)
3.1 容值
参考村田的器件选型，贴片电容范围0.1pF~330uF，330uF此时额定电压相对较低2.5/4V。
3.2 封装
常见封装主要下面勾选这几种，像电阻封装大小与电阻值、额定功率有关；而电容封装大小则与电容值、额定电压有关；（电感封装大小与电感量、额定电流有关）
3.3 容差
3.4 额定电压
3.5 温度特性
按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：
**超稳定级（Ⅰ类）**的介质材料为COG或NPO（电容范围：1pF～0.1uF）；
NPO(COG) ，NPO是COG常用之叫法，N表负、P表正、O表零，表示此电容器在使用温度范围中，其电容变化量很小，几乎为0。
同时这类陶瓷电容也不受直流偏置电压以及交流电压的影响。
COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产.
**稳定级（II类）**的介质材料为X7R；（电容范围 300pF～3.3uF）
• 第一部分：最低工作温度（例如字母X）；
• 第二部分：有效数字为最高工作温度（例如数字7）；
• 第三部分：随温度变化的容差（以ppm/℃表示）
-X7R：工作温度范围是-55 ℃－125 ℃，温度偏差为±15%
-Z5U：工作温度范围是10 ℃－85 ℃，温度偏差为22%，56%。
**能用级（Ⅲ类）**的介质材料为Y5V。（电容范围 1000pF～22uF）
3.6 直流偏压特性
对于大封装电容会影响更小，如下左图是1206封装的4.7uf电容(额定电压16V)，右图是0805封装的4.7uf电容(额定电压16V)。
对于相同容量和耐压的贴片电容，封装尺寸越大，电容的的损耗越小，漏电流小，耐电压冲击性能越好，不容量发热。相应电容价格也会贵一些。所以如果不考虑以上这些问题点，直流偏压特性也不成问题，那就尽量选小封装电容吧。
Murata的simsurfing工具
3.7 车规认证
AEC-Q200。（AEC-Q200面向如电容、电感和电阻这样的无源器件）
详见10.4 车规标准Automotive standards。
4 相关计算公式
平行板电容器的电容公式：
其中，UA-UB为两平行板间的电势差，εr为相对介电常数，k为静电力常量，S为两板正对面积，d为两板间距离。说明：平行板电容器内的电场是匀强电场。
电容与电容器不同。电容为基本物理量，符号C，单位为F（法拉）。
通用公式C=Q/U，平行板电容器专用公式：板间电场强度E=U/d。
1、如果是RC振荡器，振荡频率与电容容量的关系：
假设频率是f，电容量是C，电阻值是R
有：f=1/(2πRC)
2、如果是LC振荡器，振荡频率与电容容量的关系：
假设频率是f，电容量是C，电感量是L
有：f=1/[2π√(LC)]
3、如果是电容的容抗与频率的关系：
假设频率是f，电容量是C，容抗是Rc
有： Rc=1/(2πfC)=1/ωC
4、如果是电感的感抗与频率的关系：
假设频率是f, 电感是L，感抗是XL，：
XL= 2πfL=ωL
5、电容储存的能量称为静电能，大小等于1/2CVV。（电感存储的能量称为磁能，大小等于1/2LII）
6.电容的充放电时间计算
RC电路的时间常数：τ=RC
充电时，uc=U×[1-e(-t/τ)] U是电源电压
放电时，uc=Uo×e(-t/τ) Uo是放电前电容上电压
7.电容需求大小的计算公式，这个理解挺好的(来源于张飞硬件设计与开发 学习笔记)
可参考张飞电子：按水缸的模型来理解电容，此时公式Q=CV中的Q相当于水缸中的水量，C相当于水缸的底面积，V相当于水缸的高度。
上面这两个计算方法基本是一致的，上面是按频率计算，下面是按时间计算，两者互为倒数，我们通常可以知道电源regulator的工作频率，常见是470Khz跟2.2MHz，如下，计算输出电容C=6/(4700003.35%)=77.37uF，两个47uf考虑直流偏压降额80%，4720.8=75.2uf。
再验证一次，输出电容C=3/(220000055%)=5.45uF，两个22uf考虑直流偏压降额80%，2220.8=35uf。对不上，仅作参考。。。
5 应用注意事项
电容器除了有电容量以外，它还有分布电感(也叫等效串联电感，英文简称ESL），因为微法级别以上的电容器的极板都是用很长的金属箔圈起来制成的，它就类似于一个多匝的线圈，所以就形成了电感效应。旁路电容主要是为了旁路掉工作频段之外的高频信号，而这个分布电感则会阻碍对高频信号的旁路作用。(因为高频因此存在很大的感抗)
如果我们把0.4微法的电容分成4个0.1微法的小电容，那么每个电容的分布电感就会大大减小，而且，当我们把这4个小电容并联后，电容量是相加，总容量还是0.4微法，但是分布电感则是相减，其结果是大大小于一个0.4微法大电容的分布电感，就可以更好地起到去耦的作用。
大电容由于结构问题存在电感特性，即分布电感比较大，存在感抗，可等效为电容和电感的串联。
大电容容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作，电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小ESL，这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。
所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。
大容量电解电容旁边并联一只小电容的电路结构，这样大容量电解电容肩负着低频交变信号的去耦，滤波，平滑之作用；而小容量电容则消除电路网络中的中，高频寄生耦合。在这些电路中的这一大一小的电容均称之为去耦电容。 (大电容滤低频,小电容滤高频)
特点：
1.它具有充放电特性和阻止直流电流通过，允许交流电流通过的能力。
2.在充电和放电过程中，两极板上的电荷有积累过程，也即电压有建立过程，因此，电容器上的电压不能突变。
电容器的充电：两板分别带等量异种电荷，每个极板带电量的绝对值叫电容器的带电量。
电容器的放电：电容器两极正负电荷通过导线中和。在放电过程中导线上有短暂的电流产生。
3.电容器的容抗与频率、容量之间成反比。即分析容抗大小时就得联系信号的频率高低、容量大小。
问题：用多个陶瓷电容代替大电解电容是否可行，有什么优缺点？
深入理解电容器的等效串联电阻（ESR），多个小电容并联取代大电解电容的作用
6 软端子电容&三端电容
目前murata的GCJ系列的电容应该都是软端子的电容,在规格书上可以看到
有如下描述,电极上加了树脂的应该就是软端子电容.
Murata GCJ系列电容
新版规格书:
旧版规格书:
TAIYO YUDEN的软端子:
三端子电容：NFM18HC106D0G；NFM15HC105D0G3 (噪声对策的基础.doc)
图1为普通的引线型陶瓷电容器（二端子）结构。在单板的电介质两侧涂上电极，再安装上引线端子即构成引线型陶瓷电容器结构。由于其引线端子部分带有微小的电感（残留电感），因此在作为旁路电容使用时，会与地面产生电感。
图2是将电容器作为旁路电容使用时的插入损耗特性示例。在插入损耗图中，越往下干扰越小。由于理想电容器的阻抗随着频率的增大而减小，因此在高频范围内，插入损耗也应该如图中虚线所示，逐渐增大。然而，如上所述，由于电容器在实际使用中带有残留电感，因此会产生干扰，降低频率性能，故表现出如实线所示的V字型插入损耗曲线。
三端子电容器是为改善二端子电容器的高频特性而对引线端子的形状进行改进后形成的陶瓷电容器。如图3所示，三端子电容器在单侧引出两根引线端子。将两根引出的引线分别连接至电源和信号线的输入、输出端，将相反一侧接地，即可形成如右图所示的等效电路图。通过这种连接方式，两根引线侧的引线电感将不进入大地侧，由此可极大地减小接地电感。此外，由于两根引线侧的引线的电感作用类似T型滤波器的电感，能够起到降低干扰的作用。(此外，由于接地端连接距离较短，因此该部分的电感也非常微小。并且，由于接地端连接两端，因此呈并联连接状态，电感也将降低一半。)
如图5所示，片状三端子电容器虽名为三端，但实为四端结构。
图6中对片状三端子电容器与片状二端子多层电容器的插入损耗特性进行了比较。两种元件的静电容量相同，因此在低频范围内特性相同。但是二端子电容器在频率超过10MHz后性能便开始下降，而三端子电容器则在超过100MHz后才会出现性能下降。由于片状三端子电容器在一定程度的高频范围内都不会出现性能下降，因此它适用于需要去除高频干扰的情况。
7 参考网站
张飞硬件设计与开发 学习笔记（第一部 线性稳压电源设计） 含理解，超详细！
屁股决定脑袋–是否可以把0603电容换0402的电容
（在低速电路中可以直接换，高速电路中要关注它的等效阻抗曲线）
什么是介电常数？介电常数的计算方法及影响因
(介电常数表征材料储存电能的能力。真空的介电常数为1，介电常数大电容就大，介电常数与绝缘性没有必然关系)
为什么你的4.7uF电容变成0.33uF.pdf
这个意思应该是想说：X7R只能说明温度特性好，并不代表它的直流偏压特性就一定比X5R好。
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