重复雪崩EAR

最新推荐文章于 2024-08-21 16:36:25 发布

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文章探讨了重复雪崩在MOSFET中的特点，指出其能量较低但可能导致渐进式损坏，影响器件寿命。重复雪崩分为稳态和瞬态两种类型，其中瞬态对器件影响较小。为了避免雪崩事件，建议调整栅极驱动速度和使用RC缓冲器来吸收关断瞬态。

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重复雪崩的特点是高频率重复发生，这通常与应用电路的开关频率 ( ${f}_{SW}$ ) 相同。

发生重复雪崩时，每个事件的能量远低于单脉冲雪崩。

现有的重复雪崩模式可分为两种主要类型，如图27 所示。

1. 在某些情况下，我们可以谈论“稳态”重复雪崩，因为雪崩事件发生在整个产品生命周期的每个开关周期中。
2. 在其他情况下，我们面临某种“瞬态或故障条件”重复雪崩，因为雪崩只发生在特定的瞬态(例如启动) 或故障(例如短路) 条件下，在此期间，发生 10~50 次可观察到的连续雪崩事件，之后雪崩将停止，直到下一次启动或短路导致多个连续电压脉冲上再次发生雪崩。

在大多数重复雪崩情况下，由于每次雪崩事件的能量较低，与单脉冲雪崩时的最坏情况相比，硅材料的温度几乎没有升高。因此，观察到的 Vds 尖峰仅略微超过 MOSFET 的 VBR(DSS)(min,25) 额定值，而在高能量单脉冲雪崩期间记录的幅度为 1.2~1.3 x VBR(DSS)(min,25) 。

EAS 与EAR 额定值之间的差异与此类事件期间允许的 Tj,max 有关。事实上，单脉冲雪崩期间允许结温超过 Tj,max，但对于重复雪崩却不是这样。如果重复雪崩期间超过 Tj,max，此类事件的累积效应可能会降低器件在其生命周期内的可靠性，从而导致过早失效，这是不能接受的。

器件的 Tj,max 通常受封装本身限制，而不受芯片技术限制。因此，在某些情况下，当采用不同封装形式时，具有相同管芯的 MOSFET，其额定温度可能不同。

失效机制

单脉冲雪崩的两种损坏模式是由高电流 (闩锁效应) 或高能量 (热损坏) 引起的。这些损坏模式动静大、损坏速度快。

在重复雪崩的情况下，损坏过程是渐进的，通过重复的微损伤非常缓慢地影响器件。即使是低能量的雪崩事件也会产生一些热载流子，这些载流子电荷沿着MOSFET 的沟槽氧化物注入。这种雪崩事件不断重复，导致电荷积累，慢慢损害器件的可靠性。这可能导致一段时间后发生现场失效。

显而易见，“瞬态或故障条件”重复雪崩对 MOSFET 的影响比“稳态”重复雪崩更温和，因为前者可能为累积电荷在两次雪崩事件之间重新结合提供时间。

确定雪崩发生位置

与单脉冲雪崩相反，重复雪崩情况下经历的较低能量导致更小范围的雪崩发生。

随着电场增加，所产生自由载流子的数量迅速增加（因此电流也随之增加），雪崩极有可能发生在较高电场的区域，当器件所施加的漏源电压 ${V}_{ds}>{V}_{BR(DSS)}$ 时，这个区域的电场强度最可能超过临界电场(Ec)。如图28所示。

最后一种说法实际上对使用场板的电荷补偿器件提出了挑战，例如沟槽 MOSFET。实际上，插入场板使电场在整个沟槽上更为均匀，可以降低 Rdson 。如图29 所示，这种均匀性理想地体现为电场沿沟槽的矩形分布形状，这与传统的方法（基本沟槽或平面结构[7]）的三角形状相反。参考上一段，对于分布非常均匀的电场，其雪崩发生位置可能非常随机。不可避免，必须在减小 Rdson 与抗重复雪崩稳健性之间找到折衷方案。

重复雪崩下 OptiMOS™ 系列的额定值

大多数英飞凌 OptiMOS™ 系列的产品在设计阶段都考虑了重复雪崩。观察到一些参数随时间漂移，漂移量和实际参数取决于技术。图30 所示为特定技术的参数漂移示例。可以看到，在大多数情况下，当在该器件定义的条件下经历重复雪崩时，零栅极电压漏极电流 (Idss) 和跨导 (gfs) 会发生漂移，更接近数据表极限。除参数在多个生产批次上的自然分布之外，还存在参数超出规范要求的明显风险。

考虑到这一点，为显著降低重复雪崩对器件参数的影响，Infineon需要在绝大多数应用中占主导地位的其他品质因数上做出重大妥协。这对于与 MOSFET 的正常使用不相符的事件而言，代价太高了，设计人员应尽力避免。因此，Infineon不会在 OptiMOS™ “工业和标准等级”datasheet 中加入重复雪崩的额定值。

如何避免雪崩事件

用于减少关断瞬态的方法包括：

1) 通过调整栅极驱动网络来减缓 MOSFET 的关断速度

如图6，栅极驱动电路之一可用于控制导通和关断速度。调整 Rg_off 可在不影响导通速度的情况下降低关断瞬态电压。然而，在硬开关半桥电路中，Rg_off 值不能太高，因为这可能会导致在低侧栅极处出现感应导通尖峰，此现象由 Cgd .di/dt 效应引起。如果值足够大，此尖峰可能会超过MOSFET 的 Vth，并产生危险的击穿电流。因此，仔细考虑栅极驱动电阻值对于在最小化关断瞬态振幅、避免感应导通（如适用）和控制 EMI 之间实现最佳平衡至关重要。