中文资料IRF4905 MOS场效应管

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文章标签：单片机嵌入式硬件

于 2024-04-17 11:32:51 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/2401_84083832/article/details/137865493

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本文详细介绍了IRF4905这款MOSFET的特性，包括高耐压、高电流能力、低导通电阻、快速开关性能以及TO220封装，适用于电源转换和电机驱动应用。

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IRF4905
规格信息：

封装/外壳：TO220

包装类型：管状

水分含量：不适用

RDS（导通）最大值：20.0mΩ

最大VDS：-55.0V

最大内径：-52.0A

包裹：TO-220

最大温度：175.0°C

QG：120.0nC

预算价格 €€/千：0.57

最大压强：200.0W

极性：P

Qgd：57.3nC

最大VGS：20.0V

安装：THT

最大 RthJC：0.75K/W

内径 (@ TC=25°C) 最大值：-74.0A

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

1. 高耐压：IRF4905的最高电压额定值为100V，适用于高压电源转换和控制应用。

2. 高电流能力：IRF4905的典型漏源电流额定值为33A（在特定条件下），使其适用于高功率应用。

3. 低导通电阻：IRF4905的典型导通电阻为0.08Ω（在特定条件下），降低了功耗和开关损耗，提高了系统效率。

4. 快速开关：IRF4905具有较低的开关时间和栅极电荷，实现了快速开关转换，提高了系统的响应速度。

5. 封装：IRF4905采用TO-220、TO-247等封装形式，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，便于在PCB上布局和安装。

总之，IRF4905是一款高性能的N沟道功率MOSFET，适用于各种电源转换和电机驱动应用。

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