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选自微信公众号:IPBrain2022 原文链接:HBM(高带宽内存)技术编年史
2009年,AMD和海力士决定联合开发HBM技术。
2011年,慢半拍的美光和英特尔另辟蹊径,宣布联合开发HMC。
2013年,AMD和海力士终于推出HBM1;同年,美光和英特尔也量产了HMC2。
2016年,三星跳过HBM1,直接研发HBM2,并在2016年弯道超车,率先抢在海力士前面宣布量产HBM2。
2017年,被三星抢了风头的海力士宣布量产HMB2.0。
2019年,海力士成功研发HBM2E。同年,美光不得不宣布放弃HMC,开始搞HMB。
2020年,三星量产HBM2E。
2021年,海力士发布首款HMB3。
2022年,海力士量产HBM3; 同年,三星也量产HBM3。
2023年,海力士宣布成功开发HBM3E;三星推出HBM3E;销声匿迹很久的美光也推出HBM3E。
2024年,海力士与台积电联合开发HBM4,并计划2025年完成开发;三星量产HBM3E,并计划2025年推出HBM4;美光量产HBM3E,计划2026发布HBM4,比海力士和三星都晚一年。
HBM是一种创新的3D堆叠DRAM技术,由AMD和SK海力士联合开发。它通过将多层DRAM芯片垂直堆叠,并使用高带宽的串行接口与GPU或CPU直接相连,从而提供了远超传统DRAM的带宽和容量。
HBM技术相较于传统内存技术,具有以下几个显著优势:
1. 高带宽:由于采用了串行接口和优化的信号传输技术,HBM能够提供远超传统DRAM的带宽。
2. 高容量:通过3D堆叠技术,HBM在相同的芯片面积内可以集成更多的DRAM层,从而提供更大的内存容量。
3. 低功耗:HBM的垂直堆叠结构减少了数据传输的距离,从而降低了功耗。
4. 小尺寸:HBM的3D堆叠设计使得内存模块的尺寸大大减小。
HBM技术以其卓越的性能,已经被广泛应用于以下领域:
1. 高性能计算:需要处理大量数据和复杂计算,HBM提供了必要的带宽和容量支持。
2. 人工智能(AI)和深度学习:需要处理庞大的数据集,HBM的高带宽和大容量特性使其成为理想的内存解决方案。
3. 数据中心:数据中心对内存的性能要求越来越高,HBM技术能够满足需求。
4. 高端游戏和图形处理:HBM提供的高带宽和快速响应能力能够带来更加流畅和逼真的体验。