HBM（高带宽内存）技术编年史

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选自微信公众号：IPBrain2022 原文链接：HBM（高带宽内存）技术编年史

 

2009年，AMD和海力士决定联合开发HBM技术。

2011年，慢半拍的美光和英特尔另辟蹊径，宣布联合开发HMC。

2013年，AMD和海力士终于推出HBM1；同年，美光和英特尔也量产了HMC2。

2016年，三星跳过HBM1，直接研发HBM2，并在2016年弯道超车，率先抢在海力士前面宣布量产HBM2。

2017年，被三星抢了风头的海力士宣布量产HMB2.0。

2019年，海力士成功研发HBM2E。同年，美光不得不宣布放弃HMC，开始搞HMB。

2020年，三星量产HBM2E。

2021年，海力士发布首款HMB3。

2022年，海力士量产HBM3; 同年，三星也量产HBM3。

2023年，海力士宣布成功开发HBM3E；三星推出HBM3E；销声匿迹很久的美光也推出HBM3E。

2024年，海力士与台积电联合开发HBM4，并计划2025年完成开发；三星量产HBM3E，并计划2025年推出HBM4；美光量产HBM3E，计划2026发布HBM4，比海力士和三星都晚一年。

HBM是一种创新的3D堆叠DRAM技术，由AMD和SK海力士联合开发。它通过将多层DRAM芯片垂直堆叠，并使用高带宽的串行接口与GPU或CPU直接相连，从而提供了远超传统DRAM的带宽和容量。

HBM技术相较于传统内存技术，具有以下几个显著优势：

1. 高带宽：由于采用了串行接口和优化的信号传输技术，HBM能够提供远超传统DRAM的带宽。

2. 高容量：通过3D堆叠技术，HBM在相同的芯片面积内可以集成更多的DRAM层，从而提供更大的内存容量。

3. 低功耗：HBM的垂直堆叠结构减少了数据传输的距离，从而降低了功耗。

4. 小尺寸：HBM的3D堆叠设计使得内存模块的尺寸大大减小。

HBM技术以其卓越的性能，已经被广泛应用于以下领域：

1. 高性能计算：需要处理大量数据和复杂计算，HBM提供了必要的带宽和容量支持。

2. 人工智能（AI）和深度学习：需要处理庞大的数据集，HBM的高带宽和大容量特性使其成为理想的内存解决方案。

3. 数据中心：数据中心对内存的性能要求越来越高，HBM技术能够满足需求。

4. 高端游戏和图形处理：HBM提供的高带宽和快速响应能力能够带来更加流畅和逼真的体验。