铨力授权一级代理 AP40N100LK N沟道增强型MOSFET

最新推荐文章于 2024-10-09 11:27:45 发布
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版权

特征：

 

100V/25

 

RDS（ON）<25mΩ＠VGS=10V TYP=19.5mΩ

 

RDS（ON）<33mΩ＠VGS=4.5V TYP=27.5mΩ

 

分裂门沟槽技术

 

获得无铅产品

 

优秀的Ros <on）和低门电荷

 

应用：

 

PWM应用

 

负载开关

 

电源管理

恒锐丰科技专业电源芯片
关注
RFP40N10-VB一种N沟道TO220封装MOS管
12-22
RFP40N10-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用TO220封装，专为需要高效能和高温稳定性的应用而设计。这款MOSFET具有以下关键特点： 1. **TrenchFET技术**：RFP40N10-VB采用了TrenchFET结构...
SUD40N06-25L-VB一款TO252封装N沟道的MOS管应用领域讲解
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SUD40N06-25L-VB是一款TO252封装的N沟道MOSFET，具有高温junction温度和低导通电阻的特点。下面是其应用领域的讲解： 一、特性 * 在高温junction温度（175°C）下工作，适合高温环境下的应用 * 低导通电阻（rDS(on...
DTU40N06-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
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09-27 322
1. **电源开关**：由于具有高电压和大电流能力，DTU40N06-VB适用于电源开关模块中的功率开关，如电源适配器、电池充电器等，提供高效的能量转换和稳定的电力输出。4. **汽车电子**：在汽车电子系统中，例如车载充电器、电动汽车驱动系统等模块中，DTU40N06-VB可用于功率开关和电压调节电路，提供可靠的电力控制和转换功能。2. **电机驱动器**：在电机驱动器模块中，DTU40N06-VB可用于控制各种类型的电机，如直流电机、步进电机等，提供高功率转换和精确的速度控制。- 最大电流：45A。
40N06-TO252-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
09-12 406
**电动车辆控制系统：** 由于其高额定电压和电流参数，40N06-TO252-VB 适用于电动车辆控制系统中的各种模块，如电机驱动器、电池管理系统和充电器。- **电源管理模块：** 40N06-TO252-VB 适用于各种电源管理模块，如稳压器、DC-DC 转换器和开关电源。- **工业电子设备：** 这款器件可用于各种工业电子设备中的控制和功率驱动模块，例如工厂自动化设备、机器人控制和电源管理系统。3. **适用领域和模块示例：**2. **详细参数说明：**1. **产品简介：**
AnalogPower美商亚伯AP一级代理分销场效应管选型
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04-18 946
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SQD40N06-25L-GE3-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
09-12 475
2. **电池保护**：适用于移动设备和电池供电系统中的电池保护模块，实现对电池的过充、过放和短路保护，提高电池的安全性和使用寿命。5. **LED驱动**：作为LED驱动器的一部分，可用于LED照明系统中，实现LED灯带、灯泡和灯具等的驱动和亮度控制。1. **电源管理**：可用于开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器等电源管理模块，实现高效能量转换和稳定的电源输出。4. **电机驱动**：适用于小功率电机驱动应用，如风扇、水泵和电动工具等，提供高效、稳定的电机驱动和控制。**适用领域和模块：**
AP40N05 场效应管 MOS管 N道沟MOS管 大小功率MOS管
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T he 40N05 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications.T he 40N05 meet the RoHS and Green ProductBVDSS RDSON ID40V19mΩ7AT he 40N05 is the high cell de
SQD40N06-14L-GE3&38-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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1. **电源管理模块**：SQD40N06-14L-GE3&38-VB可用于设计电源管理模块，如DC-DC转换器、稳压器和充电管理系统，以实现高效的能量转换和稳定的输出电压。3. **开关电源**：SQD40N06-14L-GE3&38-VB适用于设计开关电源模块，如电源适配器、电源开关和直流-直流转换器，以满足各种电子设备的电源需求。4. **LED驱动器**：在LED照明领域，该器件可用于LED驱动器和照明控制模块，以实现精确的电流调节和亮度控制，提高LED照明系统的能效和可靠性。
CK40N成本滚算增强
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CK40N成本核算增强
SAP-ABAP-CK40N返回消息标准ALV列表新增字段增强
Qunending的博客
09-13 1397
原始需求是在CK40N的返回消息屏幕添加一个物料描述字段，我觉得这个程序加字段应该是有标准配置的，但是我找不到，只好用增强解决了，本文提供一种给标准报表新增字段的思路,为ALV添加字段不外乎两个步骤，第一步添加fieldcat，使展示时能够展示在屏幕上面，第二部填充新增字段的数据。找到了最终展示的ALV的fieldcat，里面的参考表主要有两个,通过SE11验证，这两个结构都存在，所以无论对哪个结构新增，应该都可以为ALV新增字段，这里我选择了CMIOBJCK1，因为物料编码参考的是这个结构。
ASEMI代理ON/安森美FGH40N60SMD原厂渠道车规级IGBT
qyx3868的博客
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40N06-TO252-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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60V;45A;RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=1.8V
SUD40N10-25-E3-VB一种N沟道TO252封装MOS管
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【SUD40N10-25-E3-VB N沟道MOSFET】是一种采用TO252封装的功率MOSFET，由VBsemi公司生产。这款器件的特点包括TrenchFET技术，这使得它在设计上具有低热阻特性，能有效提高散热效率。此外，该MOSFET的结温可高达175°...
40N03GP-VB场效应管一款N沟道TO220封装的晶体管
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40N03GP-VB是一款N沟道的场效应晶体管，采用了TO220封装，这使得它适用于各种电力电子应用，如电源管理、开关电源和电机驱动。这款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）由VBsemi公司生产，并且符合RoHS指令2011/...
研发中台拆分之路：深度剖析、心得总结与经验分享
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这里的中台架构不是平台，也不是微服务，使用的是微服务架构，这两个是不一样的概述。中台建设开源项目 alinesno-cloud 开始，社区建议沉淀和企业实践 3 年左右，于 21 年进行拆分，指导思想为轻中台，小前台，大平台，为了更适应行业发展，更好的企业落地，整合出新中台模型，每个企业中台建设不一，这里针对的是自己带队建设过程，我有我思。以上为中台拆分过程的一些过程和思路，每个架构师或者技术负责人有自己的思路，上面是自己在整合过程的总结。
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