DDR中的DIMM、Rank、bank 几个概念

DDR 全称Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory,中文可以翻译为双倍数据速率同步动态随机存取存储器。双倍速率从哪来，时钟信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，RAM是半导体存储器，掉电就丢失，DRAM是动态RAM，每隔一段时间就要刷新一次数据，SDRAM比DRAM多了一个与CPU时钟同步的功能。所以总结一下，本质上DDR是采样速率翻倍的带时钟同步功能的动态刷新RAM。

DDR存储颗粒在实际硬件上的样子，这里不得不提到DIMM，DIMM（Dual Inline Memory Module，双列直插式内存模块）是一种用于计算机和服务器中的内存组件。它是一块长方形的电路板，上面安装了多个DRAM（动态随机存取存储器）芯片，通过金手指连接到主板上的插座中。DIMM是现代计算机中最常见的内存形式，相比早期的SIMM（单列直插式内存模块），DIMM提供了更高的数据传输速率和更大的容量。DIMM在不同类型的计算机上，尺寸长度不一样，这很好理解，比如个人PC 和服务器用的会有一些差异。

内存通道(channel)

内存通道（Memory Channel）是指计算机主板上用于连接CPU和内存模块（如DIMM）的数据传输路径。通过多个内存通道，可以显著提高内存带宽，即单位时间内能够传输的数据量。一个内存控制器对应一个通道，这个通道是可以插很多块DIMM的，所以要去扩展多通道，跟内存没关系，是看内存控制器。下面这个图还是蛮清楚的，单个通道逻辑上就这么连接。

Data/ECC是双向信号，并且连接内存通道内所有的DIMM。时钟/控制信号/地址信号是单方向的，由内存控制器发出，内存颗粒接收。其中地址信号将连接所有的DIMM。时钟和控制信号将不会连接所有的DIMM。

内存颗粒(chip /die)

构成DIMM的基本存储单元就是内存颗粒。内存颗粒（Memory Chip 或 Memory Die）内部由Row、Column和 Bank组成。内存颗粒的数据位宽一般是4bit 、8bit 和 16bit。一般cpu数据通道位宽32bit 64bit 的，要用多个内存颗粒去并行组合，才能符合通道位宽的需求，组合方式是灵活的，跟你内存颗粒的位宽也有关系。

Rank(DIMM 下面划分Rank)

在DIMM内部，可以划分出若干个独立寻址的逻辑单元，每个这样的单元称为一个Rank。通常，DIMM可以包含1个、2个或4个Rank，具体取决于其设计和容量需求。
每个Rank由一组并行连接的内存颗粒组成，这些颗粒共享同一套控制信号（如地址线、命令线），但拥有独立的数据总线。多个颗粒组成当前内存通道的位宽，这个位宽集合，称之为一个Rank。

Bank(Rank 下面划分 Bank)

每个Rank进一步细分为多个Bank Group，而每个Bank Group又包含若干个Bank。

Bank是实际存储数据的基本单位，它们按照行列矩阵的方式排列。通过指定的行地址和列地址，可以在特定的Bank中读取或写入数据。

几个概念间的层次关系

channel＞DIMM＞rank＞chip＞bank＞row/column

 

 内存颗粒容量怎么去计算

首先看bank数量：bank地址位宽为3，8个bank ;bank地址位宽为2，4个bank ;

行地址位宽 :m ，共 2^m 行

列地址位宽: n ，共2^n 列

颗粒数据位宽：4 8 16bit 三种

容量 = Bank数量 x 行数 x 列数 x 颗粒数据位宽。