碳化硅MOSFET/1200V单芯内阻13毫欧国产实现这一突破

碳化硅MOSFET单芯内阻的最小值为13mΩ‌。国产已经实现了这一突破，推出了内阻仅为13mΩ的1200V碳化硅MOSFET芯片‌。这款芯片在高压环境下表现出色，能够在175℃的高温环境下稳定工作，且导通电阻仅为室温下电阻的1.5倍，展现了其优异的耐高温性能‌。此外，该芯片还兼容18V与15V驱动电压，适应不同驱动电路的需求。百度网盘 请输入提取码提取码eu1r

碳化硅MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性：

1. ‌阈值电压（Vth）‌：MOSFET开启的电压。SiC MOSFET的开启电压较高，推荐使用较高的驱动电压（如18V～20V）以获得更好的性能。
2. ‌导通电阻（Rdson）‌：MOSFET在线性区域内的电阻。SiC MOSFET的导通电阻随温度变化较小，高温情况下导通阻抗很低，能在恶劣环境下良好工作。
3. ‌最大漏电流（Idmax）‌：MOSFET在最大允许温度下能承受的最大漏电流。
4. ‌最大额定电压（Vdss）‌：MOSFET能承受的最大电压。
   高工作频率
   碳化硅MOSFET的工作频率远高于传统的硅基MOSFET。传统硅基MOSFET的工作频率大约在60KHZ左右，而碳化硅MOSFET的工作频率可以达到1MHZ甚至更高‌
   。这不仅可以减小电源系统中电容和电感的体积，还能降低电源成本，实现电源的小型化和美观化‌

应用领域
碳化硅MOSFET以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域。其高频高效、高耐压、高可靠性的特点，使得碳化硅MOSFET在这些领域中具有明显的优势。