碳化硅MOS电压1200V~1700V~2000V~3300V更高至6500V，单管电流1A-200A模块电流到1000A

碳化硅MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一。（碳化硅MOS管-全碳SiC模块产品应用、驱动、系统方案：百度网盘 请输入提取码  8gj5）
在新能源汽车应用中，有着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本；在光伏领域，SiC MOSFET器件在轻载情况下的高效率使得发电成本降低；在车载电源领域，SiC MOSFET的高频化特性使得整机尺寸、重量降低的同时，还可以节省电容、电感等无源储能器件的成本；在燃料电池空气压缩机应用领域，SiC MOSFET器件的高开关频率使得压缩机的超高速化成为可能，进而能够提高压缩机效率，降低尺寸和冷却需求。

总结：1.宽带隙：碳化硅具有较宽的能带隙，高温下能够有效阻止载流子的激发和导电，使其具有较低的导通电阻。因此，碳化硅MOS可以在高温环境下正常工作，有很好的高温性能。

2.高击穿电场强度：碳化硅具有较高的击穿电场强度，也就是说，相对于硅材料，碳化硅可以承受更高的电压，使得碳化硅MOS可以在高电场环境下工作，有较高的耐压能力。

3.高电流密度：碳化硅具有高电流密度，它的电流密度是硅的数倍，因此碳化硅MOS可以传导更高的电流，有效提高了器件的功率密度。

4.快速开关速度：由于碳化硅MOS具有高载流子迁移率和快速定态电流特性，所以具有较快的开关速度和响应时间，适用于高频率电源转换器等快速控制电路。

5.低导通电阻：与硅相比，碳化硅具有较低的导通电阻，减小了电流导通时的能量损耗和热量，有利于提高器件效率和降低温升。

6.抗辐射性能：碳化硅具有优异的辐射抗性，不易受到电磁辐射的干扰，因此在辐射环境下工作时具有较好的稳定性和可靠性。