肖特基二极管的反向恢复过程

目录

1、肖特基二极管

2、反向恢复过程

3、肖特基与普通二极管区别

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1、肖特基二极管

定义：以发明人肖特基博士（Schottky）命名，SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒二极管的缩写，不同于一般二极管的P半导体和N半导体接触形成，肖特基二极管是利用金属和半导体接触形成。

肖特基的两个主要特点，一个是正向导通压降比较低，一般在0.15-0.5V之间，导通压降低可以提高系统的效率。还有一个是反向恢复时间短，一般在几个纳秒。

2、反向恢复过程

二极管从正向导通到反向截止有一个反向恢复的过程，而不是立即由导通到截止。

关于电路：

在0-t1时间内，给二极管加正的VF电压，二极管导通，流过二极管的电流IF=（VF-VD）/RL，VD是二极管的导通压降。

在t1后，