臭名昭著的MOS管米勒效应

已于 2022-04-29 00:46:28 修改
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分类专栏： 电子元器件 文章标签： 米勒效应 MOS管
于 2020-08-12 07:55:58 首次发布
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本文探讨了MOS管中的米勒效应，解释了米勒电容如何影响MOS管的开启时间和导通损耗，并通过改变栅极电阻大小来改善米勒平台。文章详细分析了MOS管导通的四个阶段，以及在不同阶段米勒效应的表现，有助于深入理解MOS管的工作原理。
摘要由CSDN通过智能技术生成

如下是一个NMOS的开关电路，阶跃信号VG1设置DC电平2V，方波（振幅2V，频率50Hz），T2的开启电压2V，所以MOS管T2会以周期T=20ms进行开启和截止状态的切换。

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首先仿真Vgs和Vds的波形，会看到Vgs=2V的时候有一个小平台，有人会好奇为什么Vgs在上升时会有一个小平台？

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MOS管Vgs小平台

带着这个疑问，我们尝试将电阻R1由5K改为1K，再次仿真，发现这个平台变得很小，几乎没有了，这又是为什么呢？

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MOS管开关时的米勒效应——详细分析
weixin_45678750的博客
03-17 8604
前言 对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒效应，MOSFET栅极驱动过程中，会形成平台电压，引起开关时间变长，开关损耗增加，给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。
MOS管的米勒效应简介
莫比乌斯的硬件花果山
08-13 5734
一、弥勒平台介绍 Mos管的三极都会存在以下的三个电容，分别是：Cgs，Cgd，Cds。 米勒电容指的是Cgd。米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应，在MOS管开通过程 中，GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值（图中t2~t3阶段），过后Vgs电压又开始上升直至完全导通。米 勒效应阻止Vgs电压上升，使得导通时间变长，损耗剧增。为什么会有米...
mos管的米勒效应
12-19
详细描述了MOS管的米勒效应，以及米勒效应的危害 。。。。
MOSFET（二）：米勒效应
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既有随处可栖的江湖，也有追风逐梦的骁勇！
01-27 1万+
管做开关，做电源的缓启动，在热拔插、独立模块供电、大功率设备上电，都有很好的益处。的开通损耗，但是在电源缓启动中有很大的用处。米勒平台虽然在高频开关状态会严重增加。的下降区间，大部分都在米勒平台之间完成，如果增加。管的任何两极之间都会存在寄生电容，分别是。没有增加，这段时间就是米勒平台。电压又开始上升直至完全导通。的下降时间，也就可以利用。电压上升到某一电压值后，电压有一段稳定值（图中。，驱动电流主要开始反向给。
MOS管开关时的米勒效应
qlexcel的专栏
04-11 7061
一、MOSFET的开通过程 MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程，当给栅极施加驱动电压后，MOSFET开通过程会分为4个阶段，其中Vgs、Ig、Vds、Id之间的关系如下图： t0-t1：Vgs快速上升，Ig逐渐降低。因为Vgs还没上升到MOSFET的开通电压，因此Id一直为0。 ...
MOS管的米勒效应
04-09
超级详细的关于MOS管的讲解，可以很清楚的看懂MOS管的开通关断过程，轻松搞定米勒效应
MOS管的原理及其米勒效应（学习笔记）
weixin_53175172的博客
10-18 6989
开关电源、N沟道MOS、米勒效应。
浅谈MOS管的米勒效应
Cerman的博客
08-29 8317
浅谈MOS管的米勒效应前言一、什么是MOS管的米勒效应？二、Mos损坏主要原因及开关原理是什么？1.导致Mos损坏主要原因2.Mos开关原理总结：Mos挑选的重要参数简要说明 前言 米勒电容是栅极和源级电容充电的绊脚石，因为栅极给栅-源电容Cgs充电达到一个平台后，栅极的充电电流必须给米勒电容Cgd充电，这时栅极和源级间电压不再升高，达到一个平台，这个是米勒平台。 一、什么是MOS管的米勒效应？ mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程
米勒效应 场效应管驱动
12-11
本资源解释了场效应管桥驱动中米勒效应问题，问题分析到位
MOS管米勒效应电容问题你应该这样处理
08-04
米勒效应是三极管工作中常见的一种作用现象，然而，MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，则会影响整体的开启时间。那么遇到米勒效应电容时你应该怎么处理?
MOS管的米勒效应-讲的很详细.pdf
05-19
米勒效应在MOS驱动中臭名昭著，它是由MOS管的米勒电容引发的。米勒电容会阻止Vgs的上升，从而也阻止Vds的下降，这样就会使损耗的时间加长。 米勒平台是MOSFET中的一个典型标志，用示波器测量GS电压，可以看到在电压...
臭名昭著的mos管米勒效应
01-19
mos管米勒效应的出现，通常会对电路的性能产生不利影响，因此被认为是一种臭名昭著的效应。该效应导致了MOSFET在高频工作时的性能下降，使得其在高频放大电路中的应用受到限制。为了减轻mos管米勒效应带来的影响，...
mosefet米勒电容效应
yuanmeixiang的专栏
11-04 1780
米勒电容与米勒效应
温故知新
12-24 2454
米勒平台是由于mos管的gd两端的电容引起的，即MOS管datasheet中的Crss, 这个过程是在给Cgd充电，所以Vgs变化很小，当Cgd充到Vgs水平时，Vgs才开始继续上升。米勒效应会产生米勒平台，也就是开通阶段阻碍驱动电压的上升，关断阶段阻碍驱动电压的下降，延长了开关时间，导致损耗严重，降低了电路的效率。Cgd在MOS刚开通的时候，通过MOS快速放电，然后被驱动电压反向充电，分担了驱动电流，使得Cgs上的电压上升变缓，出现平台。Crss不是一成不变的，与漏极电压有关，电压越高，米勒效应越明显。
米勒效應拆橋理解筆記
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米勒效應會對輸入與輸出阻抗的變化，其反應在拆橋的結果上。
你真的理解密勒效应吗？
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搞懂MOS管的米勒效应
U_YAO的博客
05-06 2781
在驱动前，Crss上是高电压，当驱动波形上升到阈值电压时，MOS管导通，d极电压急剧下降，通过Crss拉低g脚驱动电压，如果驱动功率不足，将在驱动波形的上升沿阈值电压附近留下一个阶梯，如下图。然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。但因为MOS管的制造工艺，一定会产生Cgd，也就是米勒电容一定会存在，所以米勒效应不能避免。所以在米勒平台，是Cgd充电的过程，这时候Vgs变化很小，当Cgd和Cgs处在同等水平时，Vgs才开始继续上升。
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