IC基础知识（一）CMOS器件

目录

1、MOS晶体管结构与工作原理简述

2、CMOS单元电路与版图

3、CMOS门电路

4、CMOS的功耗表示

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​ 作为一个微电子专业的ICer，应该都学过一些基本的器件知识，今天就来聊聊基本的CMOS器件及其电路。

　　今天的主要内容如下所示：

　　　　·MOS晶体管结构与工作原理简述

　　　　·CMOS单元电路与版图

　　　　·CMOS门电路

　　　　·CMOS的功耗表示

 

 老实说，CMOS比较偏微电子器件，微电子器件和半导体物理是真的很难。这里就主要说一些做数字设计或许要了解的东西吧（以后要是有必要，会补充）。

 

1、MOS晶体管结构与工作原理简述

　　我们或多或少知道，晶体管在数字电路中的主要作用就是一个电子开关，通过电压或者电流，控制这个“开关”开还是关。晶体管大概有两种分类：一种是双极性晶体管（BJT，bipolar  junction  transistor），另外一种是金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET或者MOS，metal-oxide-semiconductor  field effect transistor）。我们这里主要来聊聊MOS了，那个BJT在现在数字IC设计中已经不是主流工艺了。

　　①MOS晶体管分为PMOS和NMOS，是哪一类MOS取决于衬底和掺杂浓度。至于是怎么形成的，这太复杂了，简单的三言两语说不清楚，这里干脆就不说了，我们直接来看他们的截面图和简单地讲解它们的工作原理好了（以下均以NMOS为例）。

    NMOS晶体管的横截面结构如下所示：

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

 

　　最底层是硅晶元圆衬底（substrate）(Body Si那里),最顶上是导电的栅极（gate），中间是二氧化硅构成的绝缘层。在过去栅极是由金属构成的，因此叫做金属-氧化物-半导体，现在的栅极使用的是多晶硅（poly）。MOS结构中，金属(多晶硅)与半导体衬底之间的二氧化硅会形成一个电容。

　　好吧，上面那一段看不懂也没关系，也不重要，需要你记住的是，上述的NMOS晶体管中，衬底是P型的，衬底上有两个n型的掺杂区域分别称为源极（Source）和漏极（Drain）（其实你把左边定义为漏而右边定义为源也没有问题，因为这个时候这个器件是对称的，在连接电源和地之后，S和D才真正确定）,中间最上面的称为栅极（Gate），这就是NMOS的三个电极了（实际上的MOS是一个4端器件，它的衬底也是一个端）。下面来说一下他们怎么工作。

　　前面我们说了，晶体管的作用就是大致就是一个开关，在电流或者电压的控制下进行开和关，对于NMOS晶体管，我们现在给它加上电压，让它开始工作：