单片机FLASH和RAM内存分布

本文详细介绍了STM32单片机的内存分布,包括MDK编译过程中的Code、RO-data、RW-data和ZI-data段。讲解了SRAM的四个分区:代码区、全局静态区、堆和栈,以及它们的特点和用途。同时讨论了变量的生命周期和作用域,以及堆和栈的管理策略。
摘要由CSDN通过智能技术生成

STM32内置有Flash和RAM(Flash分为Nor Flash和Nand Flash,STM32 M3、M4内核的单片机内为Nor Flash,程序可以直接在其运行;RAM分为SRAM和DRAM,STM32内为SRAM),硬件上他们是不同的设备存储器、属于两个器件,但这两个存储器的寄存器输入输出端口被组织在同一个虚拟线性地址空间内,也称存储器的地址映射。

在这里插入图片描述

1、MDK预处理、编译、汇编、链接后编译窗口会显示如下一段关于程序和数据大小的信息:

在这里插入图片描述

Code:代码所占字节大小;

RO-data(Read Only-Data):程序只读的变量,也就是带const的,和已初始化的字符串等;

RW-data(Read Write-Data):已初始化的可读写全局/静态变量;

ZI-data(Zero Initialize-Data):未初始化的可读写全局/静态变量;

在主存储器占用的空间大小=Code(可细分为中断向量表+代码)+RO data+RW data = 生成的.bin文件大小。
如下图,Tex

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