三星发布的一种DCC式FDTI结构

这同样是一篇来自于2023年IISW的文献，主要讲述了“一种新的全沟槽隔离（FDTI）结构”，通过设计这种新的结构的开口大小，不仅可以提高转换增益（CG）和提高量子效率（QE）还可以抑制暗电流。

1.新的DCC式FDTI结构

 如上图所示，左侧为传统的FDTI结构，白色方框内为像素区域，周边为FDTI区域。新的DCC结构是在传统FDTI的基础上，将2x2像素中间的FDTI省略。

2.新的DCC式FDTI结构如何提高QE

在传统的FDTI结构中，用于填充沟槽的多晶硅会吸收入射光，从而导致QE的损失。新的DCC结构通过从4个像素中心移除DTI，减少了多晶硅对光的吸收，从而降低了因光吸收导致的暗电流。

提高QE的原因：

减少光吸收：传统的FDTI结构中使用的多晶硅会吸收一部分入射光，导致光子无法到达光敏二极管并转换为电子，从而降低了QE。新设计的DCC结构通过移除中心的多晶硅，减少了光在到达光敏二极管前的损失，使得更多的光子能够被有效转换，从而提高了QE。

优化光子溢出（IPO）控制：通过调整DCC的大小和n型掺杂浓度，可以更精确地控制像素间的电势，从而优化电荷的收集和转移。这种优化有助于减少电荷的损失，提高光子转换效率，进一步提升QE。

文中也给出了新结构与传统结构QE的对比

 

3.新的DCC式FDTI结构如何抑制暗电流的

抑制暗电流的原因：

在CIS中，多晶硅通常用于制造像素隔离结构，如深沟隔离（DTI）。在传统的DTI结构中，像素之间的隔离是通过填充多晶硅来实现的，以减少像素间的光学串扰和电气干扰。然而，多晶硅本身对光有一定的吸收能力，这意味着当光照射到传感器上时，部分光子会被多晶硅吸收，而不是被像素下的光敏二极管（光电转换区域）转换为电子。

暗电流是指在没有光照射的情况下，传感器像素产生的电流。理想情况下，暗电流应该是非常低的，因为在没有光信号的情况下，传感器不应该产生电流。然而，由于多晶硅对光的吸收，即使在没有明显光照的情况下，多晶硅中的电荷载流子（电子和空穴）也可能被激发，从而产生电流。这种由多晶硅吸收光子激发的电荷载流子会增加暗电流，导致图像噪声增加，特别是在低光照条件下。

通过精心设计DCC的大小和光敏二极管的n型掺杂浓度，可以控制像素间溢出（IPO）电位。这种控制有助于管理光子在像素间的迁移，防止电子在未被适当收集前就溢出到FD（浮动扩散区），从而减少暗电流。

4.新的DCC式FDTI结构如何提高CG

提高转换增益：DCC结构允许通过减少FD结的数量和FD上的接触点，以及缩短FD金属连接，来减少结电容和金属电容。这种设计有助于提高系统的转换增益，从而降低读出噪声，实现更高的图像质量。更高的转换增益也意味着每个光子产生的电子数量更多，这有助于提高传感器在低光照条件下的性能，进一步抑制暗电流的影响。

文中也给出了新结构与传统结构CG的对比，另外通过优化工艺，可以将CG进一步提高。

5. 新的DCC式FDTI的设计技巧

 DCC尺寸：通过改变DCC的尺寸，可以调整IPO电位的水平。这是因为DCC的大小直接影响到光敏二极管区域的电场分布，从而影响到电子在像素间的迁移和收集。DCC尺寸的变化对于IPO电位的控制非常敏感，因此需要精确的设计和优化。

n型掺杂浓度：光敏二极管的n型掺杂浓度对于控制IPO电位同样至关重要。通过调整n型掺杂浓度，可以改变光敏二极管区域的电导率和电位分布，进而影响IPO电位和电子的迁移行为。

TCAD模拟：文中使用了TCAD（工艺与设备计算机辅助设计）模拟来分析和优化DCC结构的光学和电学特性。通过模拟，研究人员能够预测不同DCC尺寸和掺杂浓度对光子溢出和电位分布的影响，从而为实际的设计提供指导。

像素布局：在设计DCC结构时，还需要考虑整个像素布局的设计，包括浮动扩散区（FD）的位置。文中提到，FD被设计在DCC的中心位置，这样的布局有助于减少FD结的数量和接触点，同时缩短FD金属连接，从而优化电荷转移和降低结电容。

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