索尼的双层晶体管像素堆叠式CIS

这是一篇来自于2023年IISW的文献，主要从“双层晶体管像素堆叠”和“BSCs（Buried Sublocal Connections）”两个方面，在0.6um像素中提高满阱容量（FWC）和降低噪声。

提高FWC：

1. 展示了一种2层晶体管像素堆叠CMOS图像传感器的开发，该传感器通过在3D集成过程中在不同硅（Si）层上制造光电二极管（PD）和像素晶体管，以及引入单个垂直栅门（SVG），实现了高FWC。
2. 为了实现no-lag和no-blooming下的高FWC，PD通过在第一硅层中引入全沟槽隔离（Full Trench Isolation, FTI）来完全分离。
3. 通过优化SVG的几何形状和布局，实现了8000e-的FWC。

FTI增加FWC的原理主要基于以下几点：

1. 物理隔离：FTI通过在硅片中刻蚀深沟槽来实现PDs之间的物理隔离。这种隔离可以防止电荷从充满电荷的PD溢出到邻近的PD，这种现象称为溢光（blooming）。通过防止溢光，可以确保每个PD的电荷被完全收集，从而增加了FWC。
2. 减少电荷共享：在没有FTI的情况下，邻近PD之间可能会发生电荷共享，这会降低单个PD的电荷收集效率。FTI通过隔离减少了这种电荷共享，使得每个PD能够独立地收集更多的光生电荷。
3. 优化PD设计：FTI允许设计者重新配置PD的布局，以便更有效地利用空间并增加PD的体积。更大的PD体积意味着可以存储更多的电荷，从而提高了FWC。
4. 改善电荷收集效率：由于FTI提供了更好的隔离，电荷收集效率得到改善，这意味着更多的光生电荷被有效地收集到PD中，而不是丢失到邻近的PD或电路的其他部分。
5. 提高信号质量：FTI通过减少相邻像素之间的干扰，提高了图像信号的质量。这不仅有助于提高FWC，还能提高整个图像传感器的性能，包括动态范围和信噪比。

引入SVG的优势：

1. 优化转移：SVG是一种垂直于硅片表面的栅门结构，它允许电荷直接从PD垂直转移到下面的像素晶体管，而不是通过水平转移。
2. 加深PD，提高FWC：SVG的设计有助于扩大转移门（TRG）的布局区域，因为它改变了PD的配置，不再需要浅PD来实现高FWC。这样可以在不增加像素尺寸的情况下实现更高的FWC。

降低噪声：

通过引入埋藏式亚局部连接（Buried Sublocal Connections, BSCs）来连接多个浮动扩散（Floating Diffusions, FD）和像素FinFETs，以改善转换增益和降低噪声。

1. 为了改善噪声和转换增益，通过引入BSC来减少扩散层电容，并引入像素FinFET来缩小FD共享单元。
2. 与传统的2层像素相比，BSC可以从TG分离，并且可以降低TGs的电容。
3. 通过优化BSC的布局和深度，FD电容减少了46%。
4. 通过引入BSC和改变FD共享单元，转换增益增加了2.26倍，RN降低了67%。

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