【图像传感器】--- 半导体中的光电转换

1. 什么是图像传感器？

 图像传感器（image sensor）是利用光电器件的光电转换将感光位置上的光学图像信号转换为电学信号的一种器件。在现代电子技术中，图像传感器可以实现获取、记录以及重现拍摄对象的光学图像信息。

常见的图像传感器主要有两种：CMOS图像传感器（CMOS image sensor，CIS）和电荷耦合器件（Charge-coupled Device，CCD）。虽然CMOS图像传感器和CCD图像传感器在设计、制备、结构和应用上都存在着很大的区别，但是两者的基本光电转换单元都是一个简单的硅基光电二极管（Photodiode, PD）。本文主要围绕“半导体（硅）材料的光电转换原理来描述”。

2. 半导体中的光电转换原理

当一个光子进入半导体后，如果其所携带的能量Ephoto大于等于半导体的禁带宽度Eg。以硅材料为例，其禁带宽度：Eg=1.12 eV (温度T=300K时)，因此对于硅材料而言，光子进入后能否被吸收的判定条件为：

Ephoto=hc/λ≥Eg=1.12 eV

其中，h为普朗克常量；c为光速。λ为光子波长，这就意味着光子的波长越长，越难被半导体材料吸收，且通过上式可以计算出被硅吸收的波长上限约为1150nm。

当半导体材料吸收这份能量后，并激发价带中的电子跃迁进入导带，同时在价带中留下空穴。并且在硅材料中，光子的吸收概率与其入射硅材料的深度x相关，在深度为x处，增量∆x的范围内，被吸收的光子数目nphoto可以表示为：

nphoto(x)=-α∙Φphoto(x)∙∆x

其中α为光子在硅材料中的吸收系数；Φphoto(x)为在深度x处的光通量。光通量与吸收系数之间的关系可以表示为：

Φphotox=Φphoto∙exp⁡(-αx)

其中Φphoto在硅材料表面的光通量。

另外，当某一波长的光抵达半导体内部的某一位置时，其光通量变为表面的1/e，我们将这一位置称为吸收深度xabs。即：

α∙xabs=1

xabs=1/α

下图给出了硅材料中入射光波长、吸收系数以及吸收深度之间的关系曲线。

硅材料中入射光波长、吸收系数以及吸收深度之间的关系

参考文献：

1. CMOS有源像素电荷传输机理与噪声研究_韩立镪

2. Smart cmos image sensors and applications

下一篇将主要围绕“其光电转换单元---光电二极管描述图像传感器中的感光部分”。

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