寒假不定时更新921学习笔记,自己有所收获的同时,也希望可以便利大家。
PS:预祝大家2023新年快乐 —2023.1.16
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PN结
由P型半导体和N型半导体组成
一、PN结的构成
P型半导体:在本征半导体中掺杂了少量B硼,B容易得到电子,因此P型半导体中更多的是空穴。
N型半导体:在本征半导体中掺杂了少量P磷,P容易失去电子,因此N型半导体中更多的是自由电子。
巧记:无pp(P型半导体不掺杂P)
二、PN结中的运动
最主要的两个运动:(自己理解的话来描述的,定义题自己看书嗷)
扩散运动:多子从浓度高的区域向浓度低的区域运动
漂移运动:少子在内电场的作用下的运动
2.1 扩散运动
空穴:由P区向N区扩散
自由电子:由N区向P区扩散
两军交战最激烈的地方就是相接处,也是最先安静平定下来的地方。
因此在交界处空穴和自由电子互相结合“吞并”,最终形成内电场,【如上图】左负右正,这就导致电场E的方向,从N向P。
2.1.1 空间电荷区(内电场)对多子的影响
- 对于N区多子:自由电子
其受力与电场反向,由P区指向N区,导致自由电子的扩散运动大大减少;
- 对于P区多子:空穴
其受力方向与电场同向,由N区指向P区,导致空穴的扩散运动大大减少;
- 对于两个区的多子
其空间电场的存在给它们造成了一个势垒,但是仍然有少数“跳高冠军”可以通过势垒,因而在空间电场形成之后,仍然存在少量的扩散运动。
2.1.2 空间电荷区的作用
- 耗尽层:结合其形成过程,电子与空穴结合,直至耗尽为止。
- 阻挡层:在“战争”结束后,左右两派形成一负一正两个区域,形成内电场,阻止各自多子通过。
- PN结:从构成上来看,是P型半导体和N型半导体的交界区。
2.2 漂移运动
空穴:由N区在内电场作用下向P区运动
自由电子:由P区在内电场作用下向N区运动
如果说空间电场阻碍扩散运动;
那么对于漂移运动而言,空间电场的形成就是漂移运动的催化剂,天坑(天选之坑);
电场力作用下,两个区域的少子产生漂移运动。【如下图】
三、PN结的单向导电性:
3.1 PN结正向导通(正偏)
当PN结加【如下图】所示电压时:P接正,N接负,外电场和内电场反向。
外电场像一把铲子,将势垒变小,电子或空穴(每个区的多子)更容易通过,从而电子流动(N到P)产生电流(P到N)。称之为:正向导通。
正向电压:由P指向N(与内电场反向)
R:限流电阻。
外电场削弱了内电场的作用,使得势垒减小,电子或者空穴更容易跨过势垒,自由电子运动产生电流。若外电场持续增加,而没有限流电阻,电流会迅速增大,从而使得PN结烧毁。在限流电阻存在时,Imax = U/R 。
3.2 PN结反向截止(反偏)
若加【如下图】反向电压,则耗尽层变厚,势垒增加,更加抑制扩散运动,几乎无电流。则为:反向截止。
反向电压:由N指向P(与内电场同向)
但是此时少子的漂移电流会增加,由于少子相对多子数目极少,所以可以忽略不计。(少子对温度很敏感)
3.3 PN结的伏安特性
VT:温度相关的量,室温下为26mV。;
U:PN结的电压;
Si(硅)PN结:导通电压为0.6~0.7V;
Ge(锗)PN结:导通电压为0.2~0.3V;
Is:反向饱和电流;
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