模拟电子电路基础——PN结理解与梳理

       本文以杭州电子科技大学刘圆圆老师主编的《模拟电子电路基础》为基础，结合清华大学电子学教研组编著的《模拟电子技术基础》进行相关知识的整理理解分析

基础符号说明

 半导体器件物理基础

本征半导体，纯净无杂质，且无晶格缺陷，作为P型与N型半导体的结构基础，其本身具有极强的稳定性，早期电子器件中用到最多的材料以Si和Ge为主，四价元素独特晶体结构早就其内部共价键结合稳定，正常条件下，空穴与自由电子由本征激发成对产生，由因本征复合成对消亡，总体浓度较低，所以导电能力非常微弱。

无外界特殊条件下，近体内部的载流子以扩散运动为主，扩散运动形成扩散电流，其强度与载流子浓度的梯度成正比。

在电场力的作用下所在的运动称为漂移运动，载流子漂移运动所形成的电流称为漂移电流，飘逸电流与电场强度成正比。

 人为打破本征半导体的稳定结构，在其中有控制的参杂微量特定杂质，可以得到拥有较好的导电能力的半导体，称为杂质半导体

Negative type & Positive type

N type semiconductor

参杂+5价杂质元素，其与周围的硅元素组成四个共价键后，多出一个自由电子，大大提高的半导体的导电能力，施主杂质释放一个自由电子，自由电子的浓度与杂质的浓度有关，而构成其的基本结构仍为硅晶体，其本身的本征激发将产生少量的空穴，形成动态平衡。内部的杂质元素成正电荷，自由电子游离于晶体内，宏观来看成中性，因其导电的主要微粒为自由电子，故称为Negative type semiconductor

P type semiconductor

参杂+3价杂质元素，其与周围的硅元素组成四个共价键后，多出一个空穴可以容纳自由电子，大大提高的半导体的导电能力，受主杂质可以接收一个自由电子，因其导电的主要微粒为空穴，呈阳性，故称为Positve type semiconductor

PN结

由于P型N型半导体特殊的内部结构，当两者结合时，N型半导体中的电子将填满P型半导体中的空穴，从而形成相对稳定的结构。N区的电子向P区移动，从而形成从P区向N区的扩散电流。在两者的接触面会形成部分区域其结构稳定，类似于本征半导体的结构，导电能力差。

当两端加一定的正向电压时，N区的自由电子在电场力的作用下突破P区空穴的吸引作用，形成外电路电流

而在一定的反向电压下，N区的自由电子愈发向远离PN结的方向移动，从而导电能力大大降低，形成反向截至

当反向电压足够大时，从外电路的自由电子，在电场力的作用下突破P区空穴对其的吸引力。从而反向击穿

牢记公式：

牢记伏安特性曲线：

 PN结电容效应

PN结接触面两端，N区电子填充P区空穴，形成耗尽区，其近乎本征半导体的不良导电性可以类比为两极板之间的介质，在外电场的作用下，可以增大或减小耗尽区的大小，从而改变两极板之间的距离，形成容值可变的电容。耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容。启用其变化可以制作变容二极管。

 注释：待研究的点

1.用TINA仿真进行二极管电容特性与实际电容区别的研究

2.扩散电容的形成机理与应用