半导体
半导体是在元素周期表中金属与非金属的交界处。常温下半导体导电性能介于导体与绝缘体之间。
半导体的晶体结构
- 半导体的晶体结构
载流子
在半导体物理学中,电子流失导致共价键上留下的空位(空穴引)被视为载流子。电流载体,称为载流子。在物理学中,载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒,如电子和离子。
- 本征激发
电子吸收能量,跃迁离开共价键,产生一个自由电子和自由空穴,这一过程称为本征激发。 - 自由电子
产生了自由电子就可以 - 空穴
- 复合
自由电子和空穴重新组合
载流子的浓度
杂质半导体
- 概念:掺入少量杂质元素
- 多子:对于N型半导体,多子是自由电子,反之,P型的是空穴
- 少子:对于N型半导体,多子是空穴,反之,P型的是电子
N型半导体
- 掺入P(磷,15号元素,多电),使半导体多出很多的自由电子
P型半导体
- 掺入B(硼),使半导体多出很多的空穴
PN结的形成
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PN结的开启
(1)、 多子的扩散运动
由于P和N两个半导体结合,故在它们的结合区会形成N区的电子跑向P区的空穴,形成稳定的共价键,从而在那个区域形成一个势垒区,即空间电荷区,这个空间电荷区达到了一定的稳定度(够高的势垒,这个扩散运动就会停止,只有少子在做漂移运动) -
空间电荷区:也叫耗尽层、阻挡层、Pn结
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如何开启
看上图(b)及下图,加个正向电压,让其产生与势垒区本身产生的内电场相反的外电场,势垒减薄,多子的扩散运动重新活跃起来,让Pn结有电流载体(载流子),恢复导通性。
- 单向导通性
如下图,加个反向电压,让其产生与势垒区本身产生的内电场相同的外电场,势垒加厚,扩散运动更难,只有仅有的少子在做漂移运动,但因为太少量了,微乎极微,可以直接看成没有,即断开
5. Pn结伏安特性曲线
PN结的电流方程
不同材料的PN结的导通电压
GE 锗:0.2-0.3v
SI 硅:0.6-0.7
稳压二极管是利用PN结反向击穿临界,电压不管如何增加,它都不会再往上涨,只有电流再增加。当然正向也可以做一个0.7V 的稳定管,但是由于这个不能像反向状态一样可以有不向的反向击穿电压,故一般来说稳压管都是利用反向(反接)来使用,当然稳压管也有其自己其他的优点的,是有所选择的。