电子电路基础 (7)——PN结与二极管


一、半导体的特点(非常重要)

补充说明导体是容易使电流通过的物质,比如金、银、铜、铁。绝缘体是不容易使电流通过,比如橡胶、塑料。

半导体是介于导体和绝缘体之间的物质,半导体除了在导电能力方面与导体和绝缘体不同之外,还有两个主要特点:

  1. 当半导体受到外界光和热的激发时,其导电能力发生显著变化。(可以简单记下:其导电能力受温度影响)
  2. 在纯净的半导体中加入微量杂质后,其导电能力显著增强。

补充说明:第二点,纯净半导体又叫做本征半导体

二、PN结与二极管的形成(非常重要)

2.1 PN结的形成

利用上述半导体的第二个特点,我们可以做出P型半导体N型半导体

  1. N型半导体:在”硅“的本征半导体中掺入杂质因素”锑“,形成N型半导体,具有带负电的特性。
  2. P型半导体:在”锗“的本征半导体中掺入杂质因素”铟“,形成P型半导体,具有带正电的特性。

补充说明:第一点,杂质锑(ti,一声)N型半导体中的NNegative,我们直接记住它的英文含义就知道它带负电;第二点,锗(zhe,三声) 本征半导体掺入杂质铟(yin,一声)P型半导体中的PPositive,我们直接记住它的英文含义就知道它带正电

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将一块 N型半导体 和一块 P型半导体 通过生产工艺结合,即形成了一个PN结N型半导体P型半导体结合的时候,必然形成一个结合面。其中PN结结合面如下图:
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结合面平时阻挡着P区的空穴N区的电子扩散(这就是阻挡层)。但是当达到一定的条件就可以冲破阻挡层(这个条件后文提到)。又可以把阻挡层理解为势垒

2.2 二极管的形成

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PN结两端引出2根电极就形成了二极管
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2.2.1 二极管的极性

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有标识的一端是负极。

三、二极管的特性(非常重要)

3.1 二极管的单向导电性

3.1.1 电源反接

在这里插入图片描述

这里给二极管正极(阳极)接电源的负极,给二极管负极(阴极)接电源正极(这就是反接)。
现象 当P区接负电,N区接正电时,P区空穴被电源的负极所吸引(向其运动),N区电子被电源的正极所吸引(向其运动),结果使阻挡层加宽,电子无法通过PN结,因而PN结上没有电流通过。(PN的阻挡层相当于空穴把阻挡层向左拉,电子把阻挡层向右拉,使阻挡层加宽。)

3.1.1 电源正接

在这里插入图片描述
这里给二极管正极(阳极)接电源的正极,给二极管负极(阴极)接电源负极(这就是正接)。
现象 当P区接正电,N区接负电时,P区空穴受正电场的排斥力,很容易冲破阻挡层,与N区电子相复合,并通过电源负极形成回路。结果PN结上就有电流通过

外加电压的方向决定了二极管是否导电

总结:二极管单向导电。

3.2 二极管的特性曲线

那么二极管正接一个很小的电源就有电流通过吗?或者二极管的正极加负电,负极加正电就永远不导通呢。不是的。
半导体材料有2种,一种是硅,一种是锗。其特性曲线大体上一致,都如下图:
在这里插入图片描述

  1. 二极管的门限电压锗管0.2 ~ 0.3V硅管0.5 ~ 0.7V。(也就是说在锗管正极施加0.1左右的正向电压它并不导通,直到0.2或0.3时才导通;硅管0.1 ~ 0.4都不导通,只有0.5 ~ 0.7才导通的,这就是二极管的门限电压。)
  2. 对二极管施加反向电压,当逐步增加到一定数值时,反向电流激增,这种现象称为“齐纳”现象。当齐纳现象产生时,即使流过二极管的电流变化很大,但二极管两端的电压也保持一定值。在实际中,利用这个特点,二极管可以起到稳压的作用。

补充说明:第一点,二极管2端的电压在门限电压之内那么他直接就导通了,超过门限电压很大可能会被击穿,而它会不会被烧坏,那就要看二极管的最大电流是多少了。要是超出最大电流那很快就会发热烧断。

3.3 二极管的标识及作用

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二极管的作用如下:

  1. 整流,将交流电整理为直流电。
  2. 稳压。
  3. 发光二极管等。

四、二极管的检测(非常重要)

这里举个例子,测的时候显示0不要一惊一乍,我测102电阻,如下:
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量程太大了,显示了0。调小后如下:
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二极管好坏判断:

  1. 首先使用二极管档或者电阻档检测两只脚的电阻值,然后交换表笔再测一次,若2次阻值不相等,说明二级管基本正常。(好坏判断基本取决于二极管有无正反向电阻,一般来说正反向电阻差值越大越好)(这不就是阻挡层嘛,测它单向导电的特性)

坏的二极管有三种情况:

  1. 正反向电阻均为零,即二极管被击穿。(短路)
  2. 正反向电阻无穷大,二极管断路。
  3. 正反向电阻差值很小,二极管性能不良。

二极管正负极性判断:

  1. 数字万用表2表笔分别测量二极管的两端,测得一组有读数一组无读数,有读数时,红表笔所测的一端为二极管的正极,黑表笔的一端为负极。

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• 由 青梅煮久 写于 2021 年 04 月 27 日

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