基于sivaco设计仿真PT型IGBT和NPT型IGBT结构

本项目基于使用仿真软件SIVACO来仿真研究PT型和NPT型的IGBT结构特点，并且通过仿真研究对于不同的掺杂浓度、沟道宽度等对器件的特性产生不同的影响。

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（1）完成1200V/10A NPT-IGBT结构参数的理论设计；

（2）完成1200V/10A PT-IGBT结构参数的理论设计；

（3）研究P区掺杂、沟道宽度和氧化层厚度对阈值电压的影响；

（4）完成IGBT在Silvaco-TCAD当中的建模，完成网格、材料、电极、掺杂和电学特性求解的语言描述；

（5）通过比较两种不同结构的IGBT，评估节能及对环境发展的的影响。

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N-区均匀掺杂，掺杂浓度为4e13~4e14，厚度用1200V计算，不低于50um，宽度10-20um；

P区宽度和N+区的形成都以氧化层左侧作为阻挡，因为ratio.lat参数定义不同而形成的沟道；

P区高斯掺杂，峰值点为0.3um处，掺杂浓度0.5-3e17,结深5-8um，ratio 0.4-0.8，图中P+与P不需定义两次，作为同一区域即可；

N+区宽度为氧化层左侧起再向左3-8um，高斯掺杂，结深在0.6μm以内，掺杂浓度1e19~1e20（5e19）， ratio 0.4-0.8，峰值点0.05um；

PT-IGBT的N缓冲区（buff区）掺杂浓度为1e17-3e17，均匀掺杂