基于sivaco设计仿真PT型IGBT和NPT型IGBT结构

本项目基于使用仿真软件SIVACO来仿真研究PT型和NPT型的IGBT结构特点,并且通过仿真研究对于不同的掺杂浓度、沟道宽度等对器件的特性产生不同的影响。

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(1)完成1200V/10A NPT-IGBT结构参数的理论设计;

(2)完成1200V/10A PT-IGBT结构参数的理论设计;

(3)研究P区掺杂、沟道宽度和氧化层厚度对阈值电压的影响;

(4)完成IGBT在Silvaco-TCAD当中的建模,完成网格、材料、电极、掺杂和电学特性求解的语言描述;

(5)通过比较两种不同结构的IGBT,评估节能及对环境发展的的影响。


N-区均匀掺杂,掺杂浓度为4e13~4e14,厚度用1200V计算,不低于50um,宽度10-20um;

P区宽度和N+区的形成都以氧化层左侧作为阻挡,因为ratio.lat参数定义不同而形成的沟道;

P区高斯掺杂,峰值点为0.3um处,掺杂浓度0.5-3e17,结深5-8um,ratio 0.4-0.8,图中P+与P不需定义两次,作为同一区域即可;

N+区宽度为氧化层左侧起再向左3-8um,高斯掺杂,结深在0.6μm以内,掺杂浓度1e19~1e20(5e19), ratio 0.4-0.8,峰值点0.05um;

PT-IGBT的N缓冲区(buff区)掺杂浓度为1e17-3e17,均匀掺杂,厚度1-3um;

P+区高斯掺杂,掺杂1e19~5e19,结深距离底部10~20um,峰值点在0.5um处;

氧化层宽度占总宽度的一半,厚度为0.1um;

门极电极与氧化层宽度一致,集电极电极与器件宽度一致,发射极电极宽度需覆盖P和N+两个区域,所有电极不需要定义厚度。


  1. 分析IGBT的工作原理:

  1. 阻态:门极相对于发射结短接或施加负压,器件呈阻断状态,由于J2结阻断电压,空间电荷区主要向N-区扩展,N-作为最主要的耐压层;
  2. 开通:门极相对于发射结施加15V左右电压,在P区靠近氧化层附近形成反型层,也就是沟道,器件进入导通状态;
  3. 通态:①沟道形成后,电流经右侧PIN流通,大量电子从N+区进入道N-区,大量空穴从P+区进入到N-区,在N-区形成强烈的电导调制效应,从而整个器件导通压降在大电流下也较低;②由于N-区累积大量空穴,部分空穴进入P区从发射区流走,所以器件电流分俩部分,一部分为PNP,一部分为PIN;
  4. 关断:撤掉门极电压,沟道消失,当N-区累积电子和空穴消失殆尽后,器件再次回到阻断状态,由J2结阻断电压;、

2)根据实验要求进行NPT型N-区厚度的计算,确定整体器件宽度和厚度;

3)对器件整体进行规划,按实验要求进行实验器件初步的规划;

  1. 开始程序代码的编写,对网格,电极,掺杂以及进行正向导通,反向阻断,阈值电压进行求解,并改变变量获得不同结果曲线;
  2. 利用Origin软件对图形进行处理,并对结果进行分析;
  3. 对整个实验过程进行总结,遇到问题以及相关思考以及可优化部分。

    计算NPT的N-区厚度:(实验要求掺杂浓度为4e13~4e14)

  4. 首先设定N-漂移区掺杂浓度为5e13,击穿电压为1200v通过公式:

  5. 可以得到NPT型的IGBT的N-区厚度为176um。                                                       

  6.  对于PT型IGBT,掺杂浓度2e17,假设N+厚度2um,由于空间电荷区主要向N-区扩展,确定其单一变量厚度不变于是设计其N-区厚度为174um。

  7. 由实验要求对各个部分进行初步设计如下图所示,分为NPT型和PT型俩种。

  8. NPT型IGBT                  

    4)对于PT型的阈值电压影响因素本次探讨三个因素,其中包括p区掺杂浓度、沟道宽度以及氧化层厚度都对导通特性有影响,那么通过改变其相关结构研究其阈值电压的改变为很重要的部分。


图4.3 PT型IGBT正向阻断特性曲线

图4.3 为PT型IGBT正向阻断特性曲线图,该曲线由电极GE短接,相对于Collector提供高电压获得,该器件的总厚度为197um,N-区厚度为176um,通过观察曲线可以得到igbt在1240v左右电压被击穿,在CD施加正电压时,空间电荷区主要在N-区扩展,N-区作为最主要的耐压层,在1240v时出现击穿,集电极电流开始呈垂直上升。

图4.4  NPT型IGBT正向阻断特性曲线 

图4.4 为PT型IGBT正向阻断特性曲线图,该曲线与PT型方法一致,由于PT型存在缓冲区,在相同厚度下PT型能阻断更多的电压,NPT相同厚度阻断电压为1160v,在阻断相同电压情况下,PT型厚度更小。

图4.5  PT型IGBT正向导通特性曲线

图4.5为IGBT正向导通特性曲线图、该仿真曲线给基极施加一个超过阈值电压的电压,使得MOS出现反型层(沟道),通过给gate施加正向电压而得到、通过改变阈值电压的大小从而得到5条曲线、分析最下面一条曲线,首先为线性上升区,然后变为缓变上升区最后到水平稳定区、这是由于当Vds小于某一值时,沟道不发生改变,可以将沟道看成是一个电阻,满足伏安特性于是为线性增大,当Vds逐渐变大后,使得漏极电流上升,沟道会逐渐夹断,于是会出现电流呈一个弧线上升,当Vds不断增大,沟道会夹断,使得器件进入饱和区,器件电流饱和,漏电流不会随着漏极电压上升而上升,于是在曲线中表现为一条水平直线,而施加不同的阈值电压会改变沟道的性质,从而导致不同的饱和电流。

 图4.6 NPT型IGBT正向导通特性曲线

图4.6为IGBT正向导通特性曲线图,其得到方式和PT型一致,由于PT型IGBT缓冲区的存在,使得N-区的厚度更薄,而NPT型由于N-后厚度较厚,于是阻断相同电压的情况下其导通电流更小,是由于电子需要经过更长的路径。


影响阈值电压因素分为三种:P基区掺杂浓度、沟道宽度、氧化层厚度。其中P基区掺杂浓度影响阈值电压原因为:由于p区多子为空穴,少子为电子,沟道是由p区电子构成的,当p区浓度增大时少子浓度下降,于是需要更高的电压来吸引电子来构成沟道、沟道宽度影响阈值电压原因为:由于沟道是由少子电子构成的,当沟道长度增大则需要更多的电子去构成,便需要更高的电压去吸引电子聚集、氧化层厚度影响阈值电压原因为:在沟道部分可以看出MOS结构,其中当氧化层厚度增大后则在gate上表面电压相应的减小,为了能够达到吸引等量数量的电子便需要更高的电压,使得gate上表面电压上升,总的来说是构成沟道电子有等数量才能构成同样的沟通。

在Silvaco TCAD中,可以通过使用Atlas进行IGBT器件仿真,并且考虑温度对器件性能的影响。下面是一个简单的IGBT的Atlas代码,其中考虑了温度的影响: ``` # IGBT model # Temperature-dependent parameters .global temp = 27 .let t1 = 273 + temp .let eg = 1.16 - (7.02E-4 * t1 * t1) / (t1 + 1108) .let xti = 3 - 0.044 * (t1 - 300) .let vtf = xti * kb / q * log(t1 / 300) .let kappa = 1.3807E-23 / q .let k = kappa * t1 / q .let rs = 1 / (2 * beta * nsub * q * mu * tt) .let rb = 1 / (2 * beta * nsub * q * mu * tau) .let d1 = nsub * mu * cjo * vtf * vtf / (2 * k * tau) .let d2 = nsub * mu * cjo * vtf * vtf / (2 * k * tt) # IGBT structure # Temperature-dependent doping concentration .region p1_reg .let tempdep = nsub * exp(eg / (2 * kb * temp)) .material p-type .doping tempdep .contacts anode cathode gate .region cathode_reg .material n-type .doping nsub .contacts cathode base emitter # IGBT simulation # Temperature-dependent mobility and lifetime .electrode anode .mobility mobility * (temp / 300) ** (-muexp) .lifetime tau0 * (temp / 300) ** (3 / 2) .electrode cathode .mobility mobility * (temp / 300) ** (-muexp) .lifetime tau0 * (temp / 300) ** (3 / 2) .electrode gate .mobility mobility * (temp / 300) ** (-muexp) .lifetime tau0 * (temp / 300) ** (3 / 2) .equation solve heat solve poisson solve charge ``` 在这个代码中,我们定义了一个IGBT结构,并且指定了一些温度相关的参数,如离子化能(VTF)、反向漏电阻(RB)、串联电阻(RS)等等。我们还定义了一些材料和掺杂参数,如p-type、n-type、doping等等。在这里,我们特别考虑了温度对电子迁移率和寿命的影响,通过计算温度相关的一些参数来考虑温度的影响。同时,我们还使用了heat、poisson和charge三个方程来求解电子和热传输方程、泊松方程和电荷方程,来模拟IGBT的性能表现。这个模可以帮助我们更准确地预测IGBT在不同温度下的性能表现。
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