存储芯片产业链全景梳理

存储芯片被视作半导体行业的风向标和晴雨表，研究存储芯片框架对于把握半导体市场的发展脉络具有重要参考价值。

从历史周期来看，存储芯片市场和半导体行业景气度同步变化。当半导体行业处于景气周期时，存储芯片行业的增长速度更快，而在半导体行业处于周期下行阶段时，存储芯片的下跌幅度也会更大。

因此，一旦半导体行业周期回暖，存储芯片行业有望成为复苏较快、弹性较大的细分赛道。

为了帮助大家更好地了解存储芯片产业框架，本文将对存储芯片行业进行全面梳理。供学习和参考！

全文约6000字，包括4大部分:

1、存储芯片行业概况
2、存储芯片产业链
3、存储芯片经营模式
4、存储芯片竞争格局和龙头企业

当前全球AI浪潮推动存储需求爆发，叠加终端需求逐步回暖，晶圆代工产能利用率回升，存储芯片市场加速复苏。

2024一季度全球半导体销售额同比+15%，其中存储表现亮眼，同比+86%。

WSTS预计2024年全球存储芯片将同比大增45%，回升至1298亿美元。

资料来源：IC Insights，Semi，WSTS、长城证券

01 

存储芯片行业概览

半导体按照产品分类可分为光电器件、传感器件、分立器件和集成电路四大类。

集成电路占半导体价值量比例最高，约占整个半导体行业市场规模的83%，主要包括模拟芯片、微处理器芯片、逻辑芯片和存储芯片等四种。

存储芯片，也叫半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，用于保存二进制数据的记忆设备，其存储与读取过程体现为电子的存储或释放。

存储芯片是终端电子产品的核心部件，其用途广泛，包括服务器、手机、PC等大宗消费品类对存储芯片均有需求，整体市场规模巨大。

存储芯片具备功能同质化和价格透明度高的特征，其价格变动对于电子行业市场有着重要的指引作用。

半导体存储芯片由译码驱动电路、存储矩阵、读写电路、地址线、数据线、控制线、片选线组成。

其中，译码驱动电路、存储矩阵、读写电路属于核心结构。存储矩阵用来存储0/1代码，地址线、数据线主要用来连接CPU和外部设备。当CPU或者外部设备给出地址，表示要存/取的数据在存储矩阵的哪个存储单元中，然后经过译码驱动电路，选择对应的存储单元，从而完成存/取数据。

按照性质来看，存储芯片可划分为RAM（随机存储器，包括DRAM、SRAM、新型RAM等）、ROM（只读存储器）、Flash（闪存，包括NANDFlash、NOR Flash等）。

从分类来看，存储芯片按照是否需要持续通电以维持数据分为易失性存储和非易失性存储两大类。

易失性存储芯片常见的是DRAM，非易失性存储芯片常见的是NAND闪存芯片和NOR闪存芯片。

存储芯片分类：

资料来源：行行查

易失性存储芯片

易失性存储芯片常见的有DRAM和SRAM，通常和CPU一起使用，为CPU提供运算时中间数据的存储。

DDR、LPDDR、GDDR是基于DRAM的三种内存规范或标准。

DDR因其性能和成本优势成为目前PC和服务器端主流内存；而受益于终端需求快速发展，LPDDR和GDDR也将步入高速迭代期。

DRAM三种内存规范：

资料来源：电子发烧友

非易失性存储芯片

非易失性存储是在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的时候数据不会丢失的技术。

非易失性存储芯片又可以进一步细分为Flash（闪存）和ROM（只读存储器）。

闪存芯片又分NANDFlash和NORFlash两种。

NANDFlash容量大，主要用于大容量数据存储。包括嵌入式存储、固态硬盘、移动存储等，其中嵌入式存储与固态硬盘是NAND Flash 的主要产品类别，市场规模近两年占NAND Flash 市场85%以上。

按存储单元密度来分，NANDFlash又可分为SLC、MLC、TLC、QLC四种。

NORFlash容量较小，但可以直接在芯片内执行程序代码，通常用来存储开机软件程序。

ROM目前应用最多的主要为EEPROM，存储容量更小，但存储时间更长，通常用来存取少量程序代码。

NAND颗粒SLC、MLC、TLC、QLC对比：

资料来源：与非网

DRAM和NAND Flash是两种重要的主流存储芯片。

其中，DRAM主要作为计算机的内存，而NANDFlash被广泛用作大容量数据存储介质。

根据IC Insights的数据，DRAM在整个存储市场的占比约为56%，闪存NAND的占比约为43%，其中NAND闪存为41%，NOR闪存为2%，其他存储芯片（EEPROM、EPROM、ROM、SRAM）将会缓慢成长，但大幅抢占市场的可能性较小。

DRAM

DRAM动态随机存取存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0，主要用于移动终端、服务器等设备内存。

对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。

DRAM 中各层电路主要沉积材料及工艺:

技术路径上看，DRAM最新标准迭代至DDR5，10nm以下制程待突破。Omdia预计2024年DDR5市占率将提升至43%。

此外，JEDEC组织已经开始筹备下一代标准DDR6的制定工作，并在近日披露了相关规划。

从下游供给领域来看，2023年各大存储厂商DRAM供给位元情况，服务器首次超过手机DRAM业务成为供给位元的第一大产出，服务器占比38%，手机占比37%。

DRAM的发展趋势之一是从2D架构过渡到3D架构方向，有利于减少增加存储容量、信号延迟和功耗，提高数据传输速度。

3DDRAM是指将存储单元堆叠至逻辑单元上方以实现在单位晶圆面积上产出上更多的产量，即将多个芯片堆叠在一起，以增加存储容量，相较于普通的平面DRAM，3DDRAM可以有效降低DRAM的单位成本。

当前全球算力芯片的数据吞吐量峰值在TB/s级，主流的DRAM内存或显存带宽一般为几GB/s到几十GB/s量级，与算力芯片存在显著的差距，“内存墙”由此形成。

内存墙问题不仅与内存容量大小有关，也包括内存的传输带宽；内存容量和传输的速度都大大落后于硬件的计算能力。

HBM有效突破“内存墙”，实现高带宽高容量，成为AI芯片最强辅助。

HBM是一款新型的CPU/GPU 内存芯片，目前HBM 占整个DRAM 市场比重约1.5%，为新型高性能存储产品，处于缺货低库存阶段。

HBM是HighBandwidthMemory的缩写，是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量，高位宽的DDR组合阵列。

HBM采用垂直堆叠半导体工艺生产的存储芯片，通过硅透的线相互连接，实现低功耗、超宽带通信通道，减少了通信成本，单位带宽能耗更低，制作工艺更高。

从HBM供给侧趋势看，HBM3及以上版本逐渐成为主流，从容量看24GB/32GB逐渐替代16GB成为主流配置；而HBM4预计于2026年开始量产。

HBM堆叠技术发展趋势：

数据来源：SK海力士

当前DRAM的先进制程工艺已经缩小到15nm以下，各大厂商继续向10nm逼近。

2023年三星电子启动业界首款12nmDRAM的量产工作。

我国本土DRAM厂商长鑫存储、紫光国微、兆易创新、东芯股份和福建晋华等近年来也在加速布局。

2023年末，长鑫存储推出了LPDDR5系列产品，其中包括了12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片，是国内首家自主研发并生产LPDDR5的厂家。

据DigiTimes报道，长鑫存储位于合肥的新工厂已经开始批量生产18.5纳米工艺的 DRAM 芯片，合肥工厂一期已接近满负荷生产，月产量达到 100000 片晶圆。即将进行的二期扩建将在2024年底前完成，每月增加 40000 片晶圆，让长鑫存储的 DRAM 总产能达到全球规模的 10%。

兆易创新是国内NorFlash存储龙头，也开始重点布局DRAM产品，并将加大向关联方长鑫科技的DRAM代工采购规模，交易金额从2023年约3.62亿元预计提升至约8.52亿元。今年3月，兆易创新以15亿元参与长鑫科技增资，从而持有长鑫科技股权比例从0.95%升至1.88%，进一步加强产业链绑定。
 

NAND Flash

NANDFlash存储器是指非易失存储器，是flash存储器的一种。

其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。

应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。

资料来源：elecfans，行行查

Nandflash存储器具有容量较大，适用于大量数据的存储，主要应用于如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。

从发展历程来看，NAND经历了2D NAND时期，现在迈入3D NAND时期。

2DNAND和3DNAND都是闪存存储技术，它们的区别在于颗粒的排列方式。

2DNAND是按照传统二维平面模式进行排列闪存颗粒的，而3DNAND则是在二维平面基础上，在垂直方向也进行颗粒的排列，即将原本平面的堆叠方式进行了创新。

3DNAND将解决方案从提高制程工艺转变为多层堆叠，解决了2DNAND在增加容量的同时性能出现下降的问题，在同样体积大小的情况下，极大的提升了闪存颗粒的容量体积。

SK 海力士第八代 3D NAND堆叠层数超过 300 层，预估将于 2024 年年底或者 2025 年年初上市发售。

SK海力士正在测试日本半导体设备大厂东京电子（TEL）最新的低温蚀刻设备，可以在-70°C工作，以实现400层以上新型3D NAND。

美光公司232 层 NAND 闪存芯片已实现量产；此外，凯侠和西部数据共同推出218层，国内厂商长江存储在研发超过 300 层的 NAND 闪存之外，还推出 120 层的新产品。

2D NAND到3D NAND 进程：

资料来源：CSDN

02

存储芯片产业链

存储芯片产业链主要由集成电路设计、晶圆制造、封装和测试、模组厂商集成等环节组成。

产业链上游为原材料与半导体设备环节，包括硅片、光刻胶、靶材、抛光材料、电子特种气体等半导体材料供应商和光刻机、PVD、CVD、刻蚀设备、清洗设备、封测设备等半导体设备供应商；中游存储器制造流程主要包括存储芯片的设计、制造和封测；下游是消费电子、汽车电子、信息通信、人工智能等各应用领域。

存储芯片制造全产业链图：

资料来源：行行查

03

存储芯片经营模式

存储器厂商依据是否自建晶圆生产线或者封装测试生产线分为IDM模式和垂直分工模式。

IDM模式：即垂直整合元件制造模式。是指企业从存储器的设计、制造封装测试到销售都全部负责，业务范围涵盖存储器行业的全部业务环节。该模式对企业的技术能力、资金实力、管理组织水平以及市场影响力等方面都有极高的要求。

大部分国际存储芯片大厂均为IDM模式，例如东芝半导体、三星半导体、美光科技等大型跨国企业。

资料来源：兆易创新、东海证券

垂直分工模式：即Fabless（无晶圆制造的设计公司）+Foundry（晶圆代工厂）+OSAT（封装测试企业）。

Fabless模式是将晶圆制造封装和测试外包给专业的晶圆代工厂的半导体公司，代表厂商如高通、联发科、AMD、华大半导体等。

Foundry即晶圆代工厂，是只负责芯片制造，不负责芯片设计环节的一种产业运作模式。这类企业典型代表为台积电、联电、中芯国际等。

OSAT指专门从事半导体封装和测试的企业，比如日月光、Amkor、长电科技、通富微电等。当前封测行业在电子信息科技中功能定位的逐步迭代，以及DDR5、3DNAND等新一代存储器产品的出现，在存储器封测市场中，对于封测技术进步要求更多，未来的增量市场有望进一步提升。

04

存储芯片市场竞争格局

全球存储芯片行业的发展经历了从萌芽到繁荣、从传统到新型的转变。

存储芯片产业发源于美国，此后经历过两次大的产业转移，迁移路径由美国至日本再到韩国。韩国企业抓住了美日半导体竞争的契机，在美国的技术转让和市场准入扶持下，三星电子脱颖而出，逐渐赶超日本。

当前存储芯片市场份额基本被韩国、日本以及美国等国家占据，整体呈现寡头垄断格局。

存储行业属于技术密集型产业，行业的发展需要长期的资金投入和技术革新。

目前DRAM市场由三星、SK海力士和美光三家厂商主导，CR3市占率合计超过95%，市场高度集中，形成了较高的技术、品牌及市场壁垒。

韩国是世界上最大的两家存储芯片生产商的所在地，三星和SK海力士占据全球存储芯片市场绝大多数份额。

SK海力士已经成为英伟达最核心的HBM供应商，英伟达H100AI GPU搭载了SK海力士生产的HBM存储系统；HBM3E供应商则是来自美国存储巨头美光科技。

三星的 HBM3E 内存堆栈是业内速度最快的，额定数据传输率高达 9.8 GT/s。但据路透社近期报道称，三星的部分HBM3和HBM3E设备无法通过英伟达针对特定产品的验证，具体细节尚未透露。

此外，在角逐HBM3E的同时，三大存储原厂已经开始排布下一代存储产品HBM4。

英伟达下一代 AI 平台“Rubin”将集成 HBM4 内存，存力成为重要升级方向。

目前，SK海力士已宣布研发HBM4，并与台积电就HBM4研发和下一代封装技术合作签署谅解备忘录，计划从2026年开始批量生产HBM第六代产品—HBM4。

全球DRAM主要厂商市场竞争格局：

NAND Flash的供给主要由海外厂商主导，三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔六大原厂组成的稳定市场格局，六者合计占比超过95%。该领域国内代表企业为长江存储。

NOR行业经历二十多年演变，头部厂商经历多次洗牌，国际存储巨头相继退出NOR Flash市场。2017年之后，全球NOR Flash市场被旺宏、华邦电子、赛普拉斯、美光和中国大陆厂商兆易创新垄断。NORFlash芯片技术基本成熟，兆易创新的NORFlash在全球已经取得前三市占率。

目前我国已初步完成在存储芯片领域的战略布局。

大型存储项目有长鑫存储、长江存储、福建晋华等，还有众多企业布局利基型市场，国产化替代空间广阔。

长鑫存储专注于 DRAM 存储，长江存储专注于 NAND 闪存，采用不同的战略加快了发展步伐。

在DRAM和NANDFlash领域，除长鑫存储和长江存储外，我国大部分厂商还是与国际龙头进行错位竞争，聚焦利基型市场。

从产业链细分领域来看，国内存储芯片设计领先厂商为东芯股份（纯利基型存储，SLCNAND占比高）；车载存储龙头北京矽成（北京君正全资收购）、紫光国微等；多品类存储模级厂商以江波龙、德明利和佰维存储厂商为代表；非易失性存储新星普冉股份（利基型NorFlash）、EEPROM龙头聚辰股份、武汉新芯等。

兆易创新、普冉股份、聚辰股份24Q1收入利润同环比高增长，兆易利基存储产品出货量同环比均有增加；聚辰股份Q1 SPD产品销量受益于DDR5模组渗透率提升而同比大幅增长；东芯等24Q1收入和利润同比仍有一定承压，主要系工业占比偏大。

在存储模组环节，头部厂商通常有自己的模组品牌对外销售，同时也对外出售闪存颗粒。

国内存储模组厂的增长包括双供应链体系建设，包括依托国内领先的存储芯片厂商共同切入终端品牌客和多领域发力。存储模组头部厂商包括佰维存储、江波龙、德明利、金泰克和时创意等。

目前江波龙、德明利和佰维存储等国内主要模组厂正积极布局企业级SSD领域。

存储接口和配套芯片领域壁垒较高，竞争格局较优。国内澜起科技和聚辰股份是主要参与者。澜起科技是全球可提供DDR5内存接口及模组配套芯片全套解决方案的两家龙头厂商之一；聚辰股份与澜起科技全资子公司Montage合作，共同开发DDR5内存条模块。

整体来看，如前文所述，存储行业的核心看点在于DRAM、NANDFlash和NORFlash。

行业其他企业由于各家处于的发展阶段不同，在以领先企业为目标进行技术赶超的同时，结合自身技术特点和市场需求，专注于成熟产品的细分市场并实现填补和替代效应，与行业领先企业形成差异化竞争，迎来了新的发展机遇。

国内存储芯片是半导体核心环节，产业链上下游布局厂商众多，各环节相关代表厂商还包括华虹公司（NOR Flash 与 EEPROM代工）、香农芯创(主要代理产品为SK海力士存储产品及联发科主控芯片）、北方华创、中微公司（DRAM、3DNAND存储芯片刻蚀）、华海诚科（环氧塑封料）、深科技（为DRAM和Flash产品提供完整的芯片终测服务）、拓荆科技（PECVD+ALD+键合设备）、华海清科（减薄+CMP）、华卓精科（键合设备）、芯源微（临时键合与解键合）等；天承科技（RDL+TSV电镀添加剂）、艾森股份（先进封装电镀）、同有科技、灿芯股份、全志科技、雅克科技等。

随着下游应用领域的复苏，汽车、电信和基础设施带动需求，叠加人工智能算力的提升，存储芯片国产替代有望迎来新一轮机遇。

当前国产半导体存储行业机遇和挑战并存。相关政策对存储芯片相关的集成电路将重点支持，主要包括先进制程、高端IC设计和先进封装技术、关键的半导体设备和材料、第三代半导体等领域。

《中国制造2025》白皮书在内的一系列政策都对国产芯片提出了扶持政策，促进国产半导体器件、集成电路等自主创新，有利于加快国产化的步伐。