MOSFET损耗计算

本文详细介绍了MOS管在开关电源中的损耗来源,包括开关损耗、导通损耗和驱动损耗,并通过一个BUCK电源的实例计算了MOS管的具体损耗,帮助读者理解和优化MOS管在电路设计中的效率。
摘要由CSDN通过智能技术生成

1. MOS损耗

MOS管是开关电源中常见器件之一,在评估开关电源效率的时候,对于MOS管的选型十分重要,如果选择的MOS不合适,电路该部分的发热会非常严重,影响效率。因此,在考虑到设计开关电源的效率时,MOS管的损耗是不容忽视的一部分。下面将详细计算MOS管的损耗。

2. MOS管的损耗来源

2.1 MOS开关损耗

MOS在开关电源中用作开关器件,顾名思义,MOS会经常的开通和关断。由于电压和电流都是模拟量,这个世界也是模拟的世界,电压和电流都不能突变,将MOS管比如成一个“水龙头”就很好理解MOS管的第一部分损耗:开关损耗

当我们在打开水龙头或者关闭水龙头的时候,并不是等到我们完全打开龙头的阀门,水才出来,也不是等到我们完全关断水龙头,才没有水流出。在我们操作的过程中,其实都有水在流出或者是慢慢停止。对于MOS也是这样,流过MOS管的电流就像是水流,加在MOS管VDS间的电压就像是水龙头的阀门。

因此,MOS管开关损耗产生的本质原因是由于MOS开通和关断并不是瞬间完成,电压和电流存在重叠区。开通过程如图所示:

MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的开关损耗是指当MOS管在开关过程中所消耗的能量。开关损耗主要由以下几个部分组成: 1. 栅极驱动损耗:这是由于MOS管的栅极电容在开关时充放电所产生的损耗。每次MOS管从导通状态变为截止状态,或者从截止状态变为导通状态时,栅极电容都需要充放电。栅极驱动损耗与栅极电容大小和栅极电压变化量成正比。 2. 交越损耗:当MOS管从导通变为截止,或者从截止变为导通时,会有一个短暂的期间,其中漏极电流和漏极-源极电压都不为零,此时MOS管同时承受电压和电流,从而产生损耗。 3. 布尔效应(Miller效应)损耗:在MOS管关闭过程中,漏极-源极间电压快速上升,由于栅极和漏极之间的寄生电容效应,栅极电压上升速度变缓,导致漏极电流持续一段时间才下降到零,这个期间内漏极-源极间电压和漏极电流都非零,产生损耗。 开关损耗计算涉及到多个参数,如栅极驱动电流、栅极电容值、漏极电流、漏极-源极电压、开关频率以及开关时间和MOS管的内阻等。具体的计算方法可以通过以下步骤进行: 1. 确定MOS管的栅极电容值(包括栅极-源极电容Cgs和栅极-漏极电容Cgd)。 2. 计算栅极电容在开关过程中的充放电能量消耗,这可以通过积分栅极电流(Ig)与栅极电压(Vg)的乘积随时间的变化得到。 3. 考虑交越损耗,这通常需要测量在MOS管切换时漏极电流和电压的波形,并计算它们重叠期间的平均功率。 4. 对于布尔效应损耗,需要测量漏极电压和栅极电压的波形,确定两者之间乘积的积分,以获得相关的能量消耗。 具体的数学表达式和计算公式较为复杂,通常需要结合实际电路中的波形图来分析和计算
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