MOSFET开关过程分析与损耗计算

        为了方便理解MOSFET的开关过程及其损耗，以Buck变换器为研究对象进行说明（注：仅限于对MOSFET及其驱动进行分析，不涉及二极管反向恢复等损耗。）

        图1所示为Buck变换器拓扑，其中用于减小主功率电路的AC Loop，实际使用视Layout情况决定是否需要添加。  

        图2所示为MOSFET的开关时序及相应，，和波形，其中： 

        ：下降之前MOSFET开始导通所需的电荷量。

        ：下降之前MOSFET的栅极电压从阈值电压升到Miller平台电压所需的电荷量。

        ：开始下降阶段为MOSFET反馈电容充电所需电荷量。

        ：从到达阈值电压开始直到Miller平台结束时栅极电容中的电荷量。

        输入电容：=+（=0）；

        输出电容：=+（=0）；

        反馈电容（反向传输电容）：=。

       和主要由栅极结构决定，由垂直PN结的电容决定。

        图3所示为MOSFET驱动电路的等效框图，在每个开关周期中，所需的栅极电荷均会通过驱动器输出阻抗（和）、外部栅极电阻以及MOSFET内部栅极网状电阻。栅极电阻功率损耗与通过电阻传输电荷速度的快慢无关。

        主要结合图2和图3将MOSFET开通和关断过程各分为4个阶段进行分析并计算相关损耗。

---

1．开通阶段。

        第①阶段：0~。此阶段电平从0开始上升至阈值电压，栅极电流主要给MOSFET的充电，极少部分流经。此过程中和维持上个状态（=，=0）不变，故可称为为开通延时。

        第②阶段：~。时，MOSFET开始通流。持续流入和中，电压逐渐升高直至时刻达到Miller平台电压。与之伴随的是也逐渐增大至最高，但依旧为高电平。因为与成正相关，所以此阶段为MOSFET的线性区。

        将第②阶段中、和波形进行线性近似，则栅极驱动电流和所需时间=-分别为：

           与此对应的开通所耗能量为：

        第③阶段：~。此阶段为Miller平台的维持时间段，栅极电荷持续被充电使得电压稳定保持在，因此其具有足够的能量使MOSFET承载完整的通态电流。在此阶段大量的被转移给充电，使快速下降。栅极驱动电流和所需时间=-分别为：

        与此对应的开通所耗能量为： 

        以上可得整个开关周期的开关损耗约为：         注：MOSFET的开通或关断需要对进行充电或放电，当电容上的电压发生变化时，与之反映的是电荷数量的转移，栅极电压和所需电荷数量的关系一般可由datasheet中的栅极电荷与栅源电压曲线获得。栅极电荷是栅极驱动电压的函数，最高电压会影响Miller平台电荷，从而影响整个开关周期内所需的总栅极电荷。 

        第④阶段：~。此阶段中栅极电流通过对和充电（两者分流），使得从Miller平台电压逐渐上升至最终驱动电压，其最终电平决定了开通期间的最终导通电阻。此阶段依然保持恒定，但是由于的下降，略有降低（=*）。与驱动电压和温度关系如图4所示。

        可得开通阶段的驱动器损耗为：        Buck变换器的MOSFET电流有效值为：        则通态损耗为：

---

 2．关断阶段。

        第①阶段：~。电容放电，使得电平从驱动电压降至Miller平台电压。此阶段栅极电流由自身提供，而非驱动器提供。流经和回到驱动器。随着驱动电压降低，增大，略有上升，保持不变。

        第②阶段：~。此阶段与Miller平台阶段所对应，栅极电流为的充电电流，因此是保持恒定的。栅极电流由功率级旁路电容提供，并从中减去，总仍然等于负载电流。从*上升到最大电压。

        第③阶段：~。栅极电压继续从Miller平台电压下降到阈值电压，绝大部分栅极电流来自于，因为在前一个阶段就被反向充满电了。此阶段结束时，MOSFET又处在线性区，下降导致减小接近于0。

        第④阶段：~。此阶段对完全放电，进一步下降直至为0。与前一阶段类似，栅极电流的大部分电流由提供。MOSFET的和保持不变。

        可得关断阶段的驱动器损耗为：        以上可得整个开关周期的驱动器损耗约为：        需要强调的是，栅极驱动器的最重要特性在于处在Miller平台区时的拉电流及灌电流能力。

此外，MOSFET的输出电容损耗为：

        至此，MOSFET在整个开关周期内相关损耗为：

---

 参考资料：

[1] TI - MOSFET Power Losses and How They Affect Power-Supply Efficiency.

[2] TI - Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits.

[3] Infineon - IPW60R018CFD7 datasheet.