Everspin四路输出串行MRAM-MR10Q010

Everspin MR10Q010该存储器1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括读写操作，其中在所有四个I/O上输入地址和数据以减少时钟周期。Everspin代理英尚微电子提供产品相关技术支持及应用解决方案。

使用Everspin的专利MRAM技术，读取和写入都可以在内存中随机发生，写入之间没有延迟。支持标准串行外设接口(SPI)、四路SPI和四路外设接口(QPI)模式，时钟频率高达104MHz。所有三种模式下的读取命令都支持XIP操作。MR10Q010 Quad SPI MRAM组织为131,072个8位字

Everspin MR10Q010四路SPI串行MRAM需要3.3vVdd电源，并设计为可在1.8v总线I/O上运行。可以通过电平转换器将MR10Q010连接到总线，从而使MR10Q010适应在3.3v数据总线上运行。线性稳压器可用于提供MR10Q010所需的1.8v电源。

特点
•高带宽–以52MB/秒的速度读取和写入
•QuadI/O使用双用途引脚来保持低引脚数
•在标准、单SPI模式和高速四SPI模式下运行
•具有四路地址输入和四路I/O的快速四路读写
•用于下一代RAID控制器、服务器系统日志、存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序存储器
•数据是非易失性的，保留时间超过20年
•断电时自动数据保护
•无限写入耐久性
•低电流睡眠模式
•双3.3vVDD/1.8vVDDQ电源
•篡改检测功能将检测来自外部磁场的可能的数据修改。
•支持四外设接口(QPI)模式以增强原位执行(XIP)操作的系统性能。
•MSL3级