Memory:DRAM SRAM PROM EPROM EEPROM FLASH 区别 定义
一. RAM 和 ROM 分为两大类,如图:
1) SRAM与SDRAM的比较 :
因为RAM是内存其中最重要的存储器,所以通常我们直接称之为内存。
内存就是存储程序以及数据的地方,比如当我们在使用WPS处理文稿时,当你在键盘上敲入字符时,它就被存入内存中,当你选择存盘时,内存中的数据才会被存入硬(磁)盘。
RAM就是既可以从中读取数据,也可以写入数据。当机器电源关闭时,存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存,内存条(SIMM)就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板,它插在计算机中的内存插槽上,以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有 128M/条、256M/条、512M/条等。
第一代与第二代SDRAM均采用单端(Single-Ended)时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快,所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。
SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率,第一代内存用时钟频率命名,如pc100,pc133则表明时钟信号为100或133MHz,数据读写速率也为100或133MHz。
之后的第二,三,四代DDR(Double Data Rate)内存则采用数据读写速率作为命名标准,并且在前面加上表示其DDR代数的符号,PC-即DDR,PC2=DDR2,PC3=DDR3。如PC2700是DDR333,其工作频率是333/2=166MHz,2700表示带宽为2.7G。
DDR的读写频率从DDR200到DDR400,DDR2从DDR2-400到DDR2-800,DDR3从DDR3-800到DDR3-1666。
很多人将SDRAM错误的理解为第一代也就是 SDR SDRAM,并且作为名词解释,皆属误导,SDR不等于SDRAM。
SIMM:Sigle In-line Memory Module,单列内存模组。内存模组就是我们常说的内存条,所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚(虽然两侧都有金手指)。
DIMM:Double In-line Memory Module,双列内存模组。是我们常见的模组类型,所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚,模组电路板两侧的金手指对应一列引脚。
RDIMM:registered DIMM,带寄存器的双线内存模块
SO-DIMM:笔记本常用的内存模组。
工作电压:
SDR:3.3V
DDR:2.5V
DDR2:1.8V
DDR3:1.5V
一种是置于CPU与主存间的高速缓存,它有两种规格:一是固定在主板上的高速缓存(Cache Memory );二是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)扩充用的高速缓存,另外在CMOS芯片1468l8的电路里,它的内部也有较小容量的128字节SRAM,存储我们所设置的配置数据。
◎优点,速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。
◎缺点,集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。
◎SRAM使用的系统:
○CPU与主存之间的高速缓存
○CPU内部的L1/L2或外部的L2高速缓存
○CPU外部扩充用的COAST高速缓存
○CMOS 146818芯片(RT&CMOS SRAM)
SRAM是靠双稳态触发器来记忆信息的;SDRAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏,需要定时给与补充,所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低,从而成本也低,适于作大容量存储器。所以主内存通常采用SDRAM,而高速缓冲存储器(Cache)则使用SRAM,在存取速度上,SRAM>SDRAM。另外,内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中,用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。
EEPROM
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程。一般用在即插即用
EPROM
EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可编程ROM)芯片可重复擦除和写入,解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压(VPP=12—24V,随不同的芯片型号而定)。EPROM的型号是以27开头的,如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后,还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住,以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。
FLASH
Flash Memory指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格), 而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上,用来保存BIOS程序,便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品,具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点,但是将其用来取代RAM就显得不合适, 因为RAM需要能够按字节改写,而Flash ROM做不到。
其实对于用户来说,EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是:
1、EEPROM 可以按“位”擦写,而FLASH 只能按“块”一大片一大片的擦写。
2、EEPROM 一般容量都不大,如果大的话,EEPROM相对与FLASH 就没有价格上的优势了。市面上卖的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下,而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上(NOR 型)。
3、读的速度的话,应该不是两者的差别,只是EERPOM一般用于低端产品,读的速度不需要那么快,真要做的话,其实也是可以做的和FLASH差不多。
4、因为EEPROM的存储单元是两个管子,而FLASH 是一个(SST的除外,类似于两管),所以CYCLING 的话,EEPROM比FLASH 要好一些,到1000K次也没有问题的。
总的来说,对于用户来说,EEPROM和 FLASH没有大的区别,只是EEPROM是低端产品,容量低,价格便宜,但是稳定性较FLASH要好一些。
但对于EEPROM和FLASH的设计来说,FLASH则要难的多,不论是从工艺上的还是从外围电路设计上来说。