存储器分为RAM(随机存储器,一般我们所说的内存)和ROM(只读存储器,一般我们所说的硬盘)。
RAM分为静态存储器SRAM和动态存储器DRAM.
SRAM 是static ram ,不需要刷新,存储容量小,速度快,一般用于cache的制作等。
DRAM 是dynamic ram,需要刷新,存储容量大,速度较SRAM慢。
SDRAM 是synchronous DRAM,即数据的读写需要时钟来同步。
DDR是双通道(double-data-rate)SDRAM,和SDRAM的主要区别是它可以在一个时钟内读写两次数据.
SRAM DRAM
存储信息 触发器 电容
破坏性读出 非 是
需要刷新 不要 需要
送行列地址 同时送 分两次送
运行速度 快 慢
集成度 低 高
发热量 大 小
存储成本 高 低
每单位容量的DRAM使用较少的晶体管而且占用面积小,而SRAM则是用较多晶体管占用的面也要相对大不少;DRAM需要不断刷新来维持所存储的数据,SRAM则不需要;DRAM的存取时钟间隔长,而SRAM的速度快,时间短;DRAM的耗电低,SRAM耗电大。
动态存储器的定期刷新:在不进行读写操作时,DRAM 存储器的各单元处于断电状态,由于漏电的存在,保存在电容CS 上的电荷会慢慢地漏掉,为此必须定时予以补充,称为刷新操作。
ROM有PROM(可编程的ROM,一次性的,不可修改),EPROM(可擦除可编程的ROM).
还有一种flash,成为闪存,即我们平时所用的U盘等,分为NAND flash(容量大,速度慢)和NOR flash(容量小,速度快)。