电力电子技术01 电力电子器件（4）---功率MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)

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一、MOSFET原理

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）有三个主要引脚（对于双极性MOSFET，则有四个引脚）。这三个引脚分别是：

1. 栅极（Gate）：通过这个引脚施加电压来控制MOSFET的开关状态。栅极与源极之间的电压（V_GS）决定了MOSFET的导通或关断。

2. 漏极（Drain）：电流从漏极流出（对于N沟道MOSFET）或流入（对于P沟道MOSFET）。漏极与源极之间的电压（V_DS）是影响MOSFET导通状态的重要参数。

3. 源极（Source）：电流流入（对于N沟道MOSFET）或流出（对于P沟道MOSFET）的引脚。源极是MOSFET的一个基准点，通常接地或连接到电源负极。

此外，还有第四个引脚：

1. 衬底（Bulk）或背栅（Body）：这个引脚有时与源极相连，也可以单独连接，用来影响MOSFET的阈值电压（V_th）。在许多应用中，这个引脚与源极连接在一起，因此在电路符号中不总是显示出来。

双极性MOSFET的引脚连接方式

1. N沟道MOSFET：

   • 栅极（G）：控制端。
   • 漏极（D）：电流流出的端。
   • 源极（S）：电流流入的端。
   • 衬底（B）：通常连接到源极。

2. P沟道MOSFET：

   • 栅极（G）：控制端。
   • 漏极（D）：电流流入的端。
   • 源极（S）：电流流出的端。
   • 衬底（B）：通常连接到源极。

如何区分和连接

• N沟道MOSFET：当栅极电压高于源极电压时导通。适用于开关负载到地的场合。
• P沟道MOSFET：当栅极电压低于源极电压时导通。适用于开关负载到正电源的场合。

通过正确连接这几个引脚，MOSFET可以在电路中实现有效的电流控制和开关功能。

不加栅极电压的情况下，只加源极和漏极不会导通。

在栅极加电压，类似于三极管，使其导通源极处是电子的扩散运动，漏极处是电子的漂移运动。

刚开始也是有通道的，是少子运动产生的通道。加了栅极电压后，增强了这个通道。这就是N沟道增强型MOSFET。

如果在栅极和源极处加反向电压，是N沟道耗尽型MOSFET。

二、功率MOSFET的引出及介绍

1.功率MOSFET的工作原理

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）和三极管（BJT，Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管）是两种不同类型的晶体管，它们在结构、工作原理和应用等方面都有显著的差异。

结构

• MOSFET：由金属（栅极）、氧化物（绝缘层）和半导体（源极和漏极）组成。MOSFET有两种主要类型：N沟道和P沟道。
• BJT：由两个PN结形成，有NPN和PNP两种类型。三极管有三个区域：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。

工作原理

• MOSFET：是电压控制器件，通过栅极-源极电压（V_GS）来控制漏极-源极电流（I_D）。栅极与通道之间有绝缘层，几乎不流过电流，主要靠静电效应控制通道的导通与关断。
• BJT：是电流控制器件，通过基极电流（I_B）来控制集电极电流（I_C）。需要基极与发射极之间有一定的电流流动，基极电流对集电极电流起放大作用。

输入阻抗

• MOSFET：高输入阻抗，由于栅极电流极小，可以认为几乎不流电流，非常适合用在高阻抗输入的电路中。
• BJT：较低的输入阻抗，基极需要电流驱动，输入阻抗一般在几百欧姆到几千欧姆之间。

开关速度

• MOSFET：由于高输入阻抗和低栅极电流，可以实现很高的开关速度，适用于高速开关电路。
• BJT：由于基极电流的存在，开关速度相对较慢，但在某些高频应用中依然表现良好。

功率消耗

• MOSFET：在开关过程中功率消耗较低，因为栅极电流极小，尤其适合低功耗应用。
• BJT：由于基极电流的存在，功率消耗相对较高。

热稳定性

• MOSFET：具有负温度系数特性，随着温度升高，电流减少，热稳定性较好。
• BJT：具有正温度系数特性，随着温度升高，电流增加，可能导致热失控。

应用

• MOSFET：广泛用于开关电源、电动机控制、数字电路（如CMOS逻辑电路）、放大器等领域。
• BJT：常用于模拟电路中的放大器、信号放大、音频设备等需要高增益的应用。

MOSFET和BJT在许多方面都有显著的差异，具体选择哪种器件取决于应用场景的具体需求。MOSFET更适合用于高输入阻抗、高速开关和低功耗场合，而BJT则适用于需要高增益和低输入阻抗的应用。

MOSFET可以在特定条件下作为二极管使用，但它的行为和特性会与传统的二极管有所不同。

内置体二极管

MOSFET内部本身包含一个内置的体二极管（body diode），这是由于半导体结构和制造工艺决定的。具体来说：

• N沟道MOSFET：在N型沟道和P型衬底之间形成一个PN结，产生一个体二极管。这二极管的阳极连接到源极，阴极连接到漏极。
• P沟道MOSFET：同样有一个体二极管，阳极连接到漏极，阴极连接到源极。

体二极管的特点

1. 正向导通：当源极对漏极电压（对于N沟道MOSFET）正向偏置时（源极电压高于漏极电压），体二极管导通，允许电流通过。
2. 反向阻断：当漏极对源极电压反向偏置时（漏极电压高于源极电压），体二极管阻断，防止电流通过。
3. 反向恢复时间：体二极管的反向恢复时间通常较长，不如专用的快速恢复二极管。这在高频开关应用中可能会导致效率降低和额外的功率损耗。

使用MOSFET作为二极管

虽然MOSFET内部的体二极管可以提供二极管功能，但它并不总是最佳选择。在某些应用中，可以利用MOSFET的导通特性实现更高效的二极管功能：

1. 同步整流：在电源转换器和其他电力电子设备中，MOSFET可以与控制电路一起使用来替代传统的肖特基二极管，以降低导通损耗。通过控制MOSFET的栅极电压，使其在需要的时间段内导通，减少了正向压降。

2. 主动钳位：在某些电路设计中，MOSFET可以用于主动钳位，以保护电路免受过电压冲击。通过精确控制栅极电压，可以实现比体二极管更快的响应时间和更低的导通电压。

实际应用中的考虑

• 效率：专用二极管（如肖特基二极管）通常具有更低的正向压降和更快的反向恢复时间，在高频应用中效率更高。
• 热管理：MOSFET在作为二极管使用时可能会产生更多的热量，需要考虑散热设计。
• 控制电路复杂性：同步整流等应用需要额外的控制电路，以实现MOSFET的正确导通和关断。

总结

虽然MOSFET内部的体二极管可以在某些情况下提供二极管功能，但其性能通常不如专用二极管。通过控制MOSFET的栅极电压，可以实现比体二极管更优越的导通特性，这在同步整流等应用中尤为重要。在选择和设计电路时，需要权衡效率、复杂性和热管理等因素，以决定是否使用MOSFET作为二极管。

2.功率MOSFET的的介绍

增强型与耗尽型MOSFET

1. 增强型MOSFET（Enhancement MOSFET）：

   • 符号：源极和漏极之间的线是虚线，表示在没有栅极电压时没有导电通道。
   • 工作原理：需要施加栅极电压才能形成导电通道并导通电流。

2. 耗尽型MOSFET（Depletion MOSFET）：

   • 符号：源极和漏极之间的线是实线，表示在没有栅极电压时已经有导电通道。
   • 工作原理：默认状态下有导电通道，施加适当的栅极电压可以减少或关断通道。

MOSFET符号中的箭头方向

1. N沟道MOSFET：

   • 增强型：
     • 符号中虚线箭头指向源极（箭头向内）。
     • 表示在栅极电压为零时无导电通道，需要正栅极电压导通。
   • 耗尽型：
     • 符号中实线箭头指向源极（箭头向内）。
     • 表示在栅极电压为零时已有导电通道，负栅极电压减少导通。

2. P沟道MOSFET：

   • 增强型：
     • 符号中虚线箭头指向漏极（箭头向外）。
     • 表示在栅极电压为零时无导电通道，需要负栅极电压导通。
   • 耗尽型：
     • 符号中实线箭头指向漏极（箭头向外）。
     • 表示在栅极电压为零时已有导电通道，正栅极电压减少导通。

总结：

• MOSFET符号中的箭头：箭头方向用于区分N沟道和P沟道MOSFET。箭头指向源极表示N沟道，箭头指向漏极表示P沟道。
• 增强型与耗尽型：增强型MOSFET符号中使用虚线表示在零栅极电压时无导电通道，耗尽型MOSFET符号中使用实线表示在零栅极电压时已有导电通道。

3.功率MOSFET的封装

三、功率MOSFET静态特性

1.静态特性的输出特性

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）的输出特性描述了漏极电流（I_D）与漏-源电压（V_DS）和栅-源电压（V_GS）之间的关系。

MOSFET的工作区域

MOSFET的工作区域可以分为三个主要部分：

1. 截止区（Cut-off Region）：

   • 条件：V_GS < V_th（阈值电压）
   • 在此区域，MOSFET处于关断状态，漏极电流（I_D）接近于零。
   • 无论漏-源电压（V_DS）如何变化，MOSFET都不会导通。

2. 线性区（Linear Region），又称欧姆区（Ohmic Region）或三极区（Triode Region）：

   • 条件：V_GS > V_th 且 V_DS < V_GS - V_th
   • 在此区域，MOSFET处于导通状态，漏极电流（I_D）与V_DS和V_GS线性相关，表现出电阻特性。
   • 漏极电流公式：I_D ≈ k[(V_GS - V_th)V_DS - 0.5V_DS^2]，其中k是过程参数。

3. 饱和区（Saturation Region），又称恒流区（Active Region）：

   • 条件：V_GS > V_th 且 V_DS > V_GS - V_th
   • 在此区域，MOSFET仍然导通，但漏极电流（I_D）主要由V_GS控制，几乎与V_DS无关。
   • 漏极电流公式：I_D ≈ 0.5k(V_GS - V_th)^2

输出特性的物理解释

1. 线性区（欧姆区）：

   • 在这个区域，MOSFET表现为一个电压控制电阻器，导电通道的电阻随着V_GS增加而减小。
   • 导电通道的长度相对较短，电流通过电阻性导电通道流动。

2. 饱和区（恒流区）：

   • 一旦V_DS超过V_GS - V_th，导电通道在靠近漏极的地方出现“钳制”现象（Pinch-off），电流不再显著增加。
   • 此时，电流主要由栅极电压决定，形成一个稳定的电流源。

输出特性曲线

MOSFET的输出特性曲线通常显示为一组I_D对V_DS的曲线，每条曲线对应一个固定的V_GS值。以下是一些关键特性：

1. 截止区：

   • 当V_GS < V_th时，所有曲线在I_D接近零的水平线上。

2. 线性区：

   • 在V_DS较小时（V_DS < V_GS - V_th），曲线呈现出斜率较大的上升部分，表示漏极电流随着V_DS的增加而线性增加。

3. 饱和区：

   • 当V_DS > V_GS - V_th时，曲线趋于平坦，表示漏极电流达到饱和，不再显著随V_DS增加。
   • 不同的V_GS值对应不同的饱和电流水平，V_GS越大，饱和电流越大。

三极管和MOSFET的输出特性比较:饱和区的位置是相反的。

2.功率MOSFET的安全工作区

在右侧的耗散功率限制中，时间越长，被限制的越多，因为耗散的功率较多。

实际应用中的考虑

1. 开关应用：

   • 在开关电源和数字电路中，MOSFET通常在截止区和饱和区之间切换。
   • 截止区对应于开关断开，饱和区对应于开关闭合。

2. 放大器应用：

   • 在模拟放大器中，MOSFET通常工作在线性区或饱和区。
   • 线性区用于线性放大应用，饱和区用于恒流源应用。

3.静态特性的关键参数

四、功率MOSFET动态特性

1.动态特性的测试电路

2.导通的动态特性

• 导通过程：

  • 栅极电压上升：在开启瞬间，栅极电压开始上升。
  • 栅极电容充电：栅极-源极电容（C_gs）和栅极-漏极电容（C_gd）开始充电，栅极电压逐渐升高。
  • 临界电压：当栅极电压达到阈值电压（V_th）时，漏极电流开始流动，但此时电流变化缓慢。
  • 导通完成：栅极电压继续上升，MOSFET完全导通，漏极电流迅速增加到最大值。

3.关断的动态特性

关断过程：

• 栅极电压下降：在关断瞬间，栅极电压开始下降。
• 栅极电容放电：C_gs和C_gd开始放电，栅极电压逐渐降低。
• 临界电压：当栅极电压下降到V_th以下时，漏极电流开始显著减少。
• 关断完成：栅极电压继续下降，MOSFET完全关断，漏极电流减少到零。