【顾邦小讲堂】第九期 带你深入理解功率MOSFET规格书中参数和图表（8）

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在一期的文章中，我们聊了MOSFET的开关时间和双脉冲测试。今天，我们将深入探讨规格书中关于MOSFET体二极管的相关参数。

什么是MOSFET体二极管？

首先，我们需要了解，现代工艺MOSFET中都有寄生体二极管。很多人可能会好奇，这个体二极管是专门设计进去的吗？其实并不是的。在MOSFET的制造过程中，这个体二极管自然形成，并不是刻意制造的。

规格书中的体二极管参数

正向导通压降（VSD）

我们来看看规格书中最常见的一个参数——正向导通压降（VSD）。在特定测试条件下，这个参数描述了体二极管的压降情况。以GBS60037为例，当环境温度为25℃，体二极管通过的电流为25A时，正向导通压降的最大值为1.3V。

小知识点： MOSFET的体二极管和常规二极管具有相似的正向导通压降特性——电流越大，正向压降越大；温度越高，正向压降越小。

反向恢复特性

参数分析

接下来，我们看一下规格书中的另一个重要参数：体二极管的反向恢复特性。这里包含了三个关键指标：反向恢复时间（Trr）、反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复峰值电流（Irr）。

- 对于GBS60037，在正向导通电流为25A，反向承压400V，电流变化斜率为100A/us的条件下，Trr为148ns，Qrr为0.95uC，Irr为13A。

**变化规律：** 正向导通电流、反向承压以及反向恢复电流变化率越大，反向恢复时的三个参数也就越大。

测试方法

很多小伙伴可能会问，体二极管反向恢复特性是怎么测试的呢？其实，测试方法和双脉冲测试非常相似。

以下是测试步骤：

1. 给上管一个脉冲，将电感电流充电到测试电流。

2. 关闭上管，使得电感电流通过下管的体二极管续流。

3. 体二极管续流5-10us后，再次开通上管。

4. 通过测试下管的源极或者漏极的电流波形，计算出体二极管的反向恢复参数。

注意： 反向恢复电流的斜率主要取决于上管的开关速度，可通过调节Rg1的阻值大小来控制diF/dt的大小。

结语

以上就是我们本期关于MOSFET体二极管参数的深度解析。希望通过这些内容，大家能对MOSFET的体二极管有更全面的理解。

下期预告：我们将深入探讨MOSFET的应用相关知识，敬请期待！

@顾邦半导体