【顾邦小讲堂】第十九期 RC Snubber吸收电路详解：抑制MOSFET振铃现象与过冲的设计技巧！

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今天给大家来一篇RC Snubber！

    在功率电子电路设计中，振铃现象是工程师们常见但又难以回避的问题，尤其在MOSFET开关过程中，振铃可能导致电路噪声、EMI等问题，甚至使元器件失效。

    本文将深入探讨如何通过RC Snubber电路有效抑制MOSFET DS端的过冲及振铃现象，帮助工程师们在设计中提升电路的稳定性和可靠性。

什么是 RC Snubber 电路？

    RC Snubber电路为电阻电容组成的缓冲吸收电路，在功率开关电路中经常用于抑制MOSFET的DS两端在开关过程中所产生的振铃，从而降低高频噪音对电路的干扰，改善电磁干扰（EMI），保护敏感电子元件，确保电路的长期可靠运行。

MOSFET中振铃现象的成因

    如下图以一个BUCK电路为例，如果所有器件均为理想器件，且电路走线没有寄生电感，那么SW的开关波形将会非常干净，不会产生振铃：

图1. 理想同步BUCK电路

图2. 理想同步BUCK电路的SW节点波形

    但是，实际电路中功率MOSFET并非理想开关，其GDS三个电极之间均具有寄生电容，并且其各个引脚上也具有寄生电感。

    另外电路布线也会带来布线电感，而正是这些寄生电感电容，导致功率MOSFET在开关时产生振铃。

    下图是带有寄生参数的实际电路，对于BUCK电路，当上管开通或者关断时，上下管都会进行换流，一般换流时间取决于上管的开关速度。

    对于低压电路，一般在10~50ns以内，而且功率电路一般电流都在1~20A左右，从而在换流期间产生很大的di/dt，而这种快速的di/dt 就会在寄生电感以及寄生电容上面形成振铃，从而形成了SW的振荡波形。

图3：带有寄生参数的实际电路

图4：带有寄生参数的实际电路的SW节点电压波形

    振荡形成的根本原因是RLC串联振荡，其中：

        R主要由输入电容的ESR，PCB布线电阻以及MOSFET的内阻组成；

        L主要由输入电容的ESL，PCB布线电感以及MOSFET的引脚寄生电感组成；

        C主要为MOSFET的DS寄生电容。

如何利用RC Snubber改善MOSFET开关振铃？

理论方面

为减小振铃现象，可以从以下4个方面入手：

1. 优化PCB布局布板，从而减小走线寄生电感

2. 选择寄生电容曲线更加平坦的MOSFET

3. 降低MOSFET的开关速度

4. 增加RC Snubber电路

    前两种方法可以以较小的代价，在较少牺牲电路效率的基础上改善开关振铃，应该优先在设计初期尽量优化。

    但对于很多设计，前两条并不能做到较好的改善，这时就需要考虑其他两条。

    第三个方法改善会带来效率的恶化，导致MOSFET的功耗增大，增高MOSFET的温升，一般迫不得已不会选择。

    所以，第四个方法，即增加RC Snubber电路便成为很多设计中抑制振铃的必要选择。

图5.加入R4和C3作为振铃吸收电路

实际方面

    Q: 如何在实际电路中设计RC的参数来改善振铃现象呢？

    A: 可以分为以下5个步骤：

    1. 测量没有加入RC吸收电路前的SW波形，并记录振荡频率f0

图6. 没有加入任何额外器件的原始振铃波形

    2. 查看MOSFET数据手册，根据寄生电容曲线，粗略估算Coss的均值或者直接参照规格书查看Cotr这个参数值，然后将上下管这个参数值相加，记为Cds。

    然后在电路的SW对GND之间并联一颗3倍于Cds的电容，记为Csw，并再次测量SW波形并记录振铃频率f1。

图7. 在SW对GND之间加入4nF电容后的振铃波形

    3. 根据以上两个振铃频率计算出电路的寄生电容Cp和寄生电感Lp：

     4. 计算出原电路的寄生电容和电感后，即可计算出需要的RC Snubber电路的参数:

    以上4个步骤为RC吸收电路的理论设计过程，但由于寄生参数的非线性，尤其是MOSFET寄生电容的强非线性，以上计算出的参数只能作为参考，实践中还需对RC电路进行微调以达到最优效果。

    以下为根据上述步骤设计的RC Snubber电路的效果，其中电阻为2.2Ω，电容为5.6nF：

图8.根据以上步骤设计的RC吸收电路效果

    可以看到加入RC Snubber电路后，不仅抑制了振铃尖峰的幅值，更有效抑制了振铃的次数，将多次振荡抑制到只有一次过冲振荡，能够有效改善电路噪音和EMI。

加入RC Snubber的注意事项

    虽然RC Snubber电路有效改善开关振铃现象，但需要注意的是！电路会引入额外功耗，特别是在高频电路中，加入的电容越大，效率降低越明显。但这部分功耗主要在电阻上，有少部分在MOSFET上，因此对于MOSFET的温升影响不大。

    在设计中，RC Snubber参数的选择需在抑制振铃与维持电路效率之间取得平衡。

    另外由于额外的功耗主要在电阻上，因此所设计RC Snubber电路时要选用适当尺寸的电阻或是多电阻并联，并且测试电阻温升以保证电路的可靠性。

    RC Snubber电路是抑制MOSFET开关振铃的常用而高效的方法，尤其在优化PCB和器件选择无法满足要求时，它提供了更为灵活的补充方案。

    合理设计RC参数，并在实践中不断优化调整，可以在提升电路可靠性的同时，最小化效率损失，助力更高性能的电源系统设计。

    后续我们将以一个实际电路板为例，通过所述方法向您展示具体的RC吸收电路设计过程以及效果！

请小伙伴们敬请期待

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