【顾邦小讲堂】第二十期 RC Snubber 吸收电路实测调试指南：如何有效抑制开关电源高频震荡？

 

蹡蹡！我们已经第二十期啦！感谢大家的支持与喜爱！

上期！我们纸上谈兵，这期我们挥舞大刀看看实际操作！

        在开关电源设计中，RC Snubber 电路广泛用于抑制高频震荡，保护 MOSFET 免受过压损坏。然而，如何合理设计 Snubber 参数，并在实物调试中实现最佳效果，往往是工程师面临的挑战。

    上期文章《RC Snubber吸收电路详解：抑制MOSFET振铃现象与过冲的设计技巧！》讲述了RC Snubber电路的理论计算和仿真，本期将进一步深入实物调试，通过实验验证 Snubber 电路的优化效果，并分享关键的调试经验。

调试平台&测试条件

DEMO板子简介

    使用15V-5V双向电池充放电电路板（详情可回顾《顾邦方案-电池充放电 高功率密度解决方案》）该电路为双向交错Buck-Boost拓扑，调试目标为充电过程中的Buck模式（15V→5V，主功率原理图见图1）

图1.BUCK主功率原理图

• 关键电路：BUCK SW1开关节点，RC Snubber由C49（电容）和R29（电阻）组成（初始未安装）

• 安全措施：低功率启动（输出电流IOUT=10A），避免开关震荡导致下管MOSFET VDS过压损坏

测试设备配置

• 电源输入：VIN=15V，IIN=15A（限流保护）

• 电子负载：恒压模式（CV=5V），逐步提升输出电流至目标值

• 示波器探头：使用地环短接法测量下管MOSFET的DS两端（见图2），确保高频噪声最小化

图2. 地环线测量法示意图（探头接地环紧贴测试点）

无Snubber的开关波形分析

测试步骤

    移除C49和R29，在IOUT=10A条件下捕获SW1开关波形（图3）

图3.无Snubber时SW1开关波形（震荡频率44.25MHz）

• 关键参数：峰值电压VDS_max=31.4V（超过MOSFET 30V的耐压），震荡频率f0=44.25MHz

    问题分析：开关节点高频震荡由寄生电感和电容（LP, CP）谐振引起，需通过RC Snubber抑制。

联电容初步调试

实验设计

    在C49/R29位置临时安装C=1nF电容（R=0Ω），观察波形变化（图4）

图4.并联1nF电容后SW1波形（震荡频率36.76MHz）

• 结果：峰值电压VDS_max=30.8V，震荡频率降至f1=36.76MHz

• 原理：并联电容增大节点总电容，降低开通速度，降低谐振频率，但未完全抑制震荡

寄生参数计算

    通过频率变化反推寄生参数（公式修正）：

RC Snubber 参数设计

经验公式选型

• 

    选型注意事项：

• 电容类型：优先选择高频低ESR的陶瓷电容（如X7R/X5R）

• 电阻功率：根据电容估算功耗（P = CV2f），选用1206封装2Ω/1W电阻

RC Snubber 参数验证

测试验证（IOUT=10A） 

    安装C49=6.8nF和R29=2Ω后，SW1波形显著改善（图5）

图5.优化后SW1波形

（IOUT=10A RC Snubber生效，震荡抑制）

• 峰值电压：VDS_max=22.7V（满足80%余量设计，MOSFET耐压30V）

• 震荡抑制：高频谐振基本消除，尖峰能量被吸收

最终调试结果验证

高功率测试

    在IOUT=10A测试VDS余量充足，下面可以进行更高输出功率测试（IOUT=30A），SW1波形满足设计余量要求（图6）：

 

图6.最终SW1波形

（IOUT=30A RC Snubber生效，震荡抑制）

• 峰值电压：VDS_max=21.2V（满足80%余量设计，MOSFET耐压30V）

• 震荡抑制：更高工作功率下，Snubber电路同样完美抑制高频震荡

余量计算说明：

设计余量耐压值实测最大峰值耐压值

调试经验总结

1. 探头接地优化：地环线可减少测量回路面积，避免引入额外噪声。

2. 分阶段调试：从低功率到高功率逐步验证，防止器件过应力损坏。

3. 参数微调建议：若余量不足，可适当增大C或R值，但需权衡损耗与抑制效果。

    本次实物调试，我们验证了 RC Snubber 电路的有效性，并优化了参数选择，使 MOSFET 在高功率工作下仍能保持安全余量。合理设计 Snubber 电路，不仅能降低峰值电压、减少震荡损耗，还能提升功率器件的可靠性。

 喜欢我们文章的小伙伴可以绿色泡泡搜索以下名称找到咱们哦！！！！！！

Follow 起来关注我们不迷路~

@顾邦半导体