模电【第一部分】

1. 在PN结中，P区的电势比N区高（YES）；

2. 在PN结形成过程中，空穴的扩散运动方向是从P区到N区（NO ）；

3. 漂移运动方向是从N区到P区（ YES）；

4. PN结形成后，参与扩散运动的载流子数量大于参与漂移运动的载流子数量（NO）;

5. 在纯净半导体中掺入五价磷元素后，形成__N型__半导体，其导电率__增大__；这种半导体的多数载流子是__自由电子__，少数载流子是__空穴__。

6. 在纯净半导体中掺入三价硼元素后，形成__P型__半导体，其导电率__增大__；这种半导体的多数载流子是__空穴__，少数载流子是__自由电子__。

7. 当PN结外加反向电压时，耗尽层将__变宽__，由__漂移__运动形成电流；

8. 当PN结外加正向电压大于开启电压时，耗尽层将__变窄__，由__扩散__运动形成电流。

9. 设某二极管的正向电流为ID，正向压降为UD。在ID保持不变的条件下，当二极管的结温升高时， UD__减小__；在UD保持不变的条件下，当二极管的结温升高时，ID将__增大__。

10. 在如图所示的电路中，已知二极管的反向击穿电压为50V，V=15V、温度为20℃时，I＝1μA； 当某一物理量参数变化时，其余参数不变。当V降低到5V时，则I__基本不变__；当V降低到-5V时，则I的数值_增大___；当V保持不变，温度降低到10℃时，则I_减小__。
    

U0=3.3mV

12.
（1）晶体管工作在放大区时，发射结为____，流过发射结的主要是____电流；集电结为____，流过集电结的主要是____电流。

（2）在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为 1.2mA、0.03mA、-1.23mA。由此可判断：电极①是____，电极②是____，电极③是____；该晶体管的类型是____；该晶体管的共射电流放大系数约为____。

1[ “正向偏置” ]

2[ “扩散” ]

3[ “反向偏置” ]

4[ “漂移” ]

5[ “集电极” ]

6[ “基极” ]

7[ “发射极” ]

8[ “NPN型” ]