MOS管与三极管（BJT）的区别

MOS管与三极管（BJT）的区别

工作方式：

MOS管属于电压控制元件（维持GS之间的电压差即可导通）

三极管属于电流控制元件（be之间需要存在持续的电流才能导通）

MOS管和三级管的选择规律：

在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用MOS管;

而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。

成本：

MOS管成本相较于三极管较高

功耗：

MOS管损耗小，三极管损耗大

（损耗来源？）

三极管（BJT）有两个PN结（bc和be之间），

当导通的时候ce之间可等效为一个二极管，大约0.4V的压降，

而DS之间可以等效为一个电阻，这个电阻大约是mΩ级别，这里假设是20mΩ。

这样的话，通过100ma的时候，三极管的功率P=UI=0.40.1=0.04W=40mW，mos管的功率P=I2R=0.1*0.10.02=0.002W=2mW，所以可以看出mos的功耗相对较小

MOS管损耗分为 导通损耗 以及 开关损耗：

导通损耗是由于MOSFET在导通状态下存在的电阻而产生的功耗，而开关损耗则是由于MOSFET在开关过程中的开关速度和电容充放电过程中产生的能量损耗。

影响因素与关键参数

开关管损失的计算需要考虑多个影响因素，其中包括MOSFET的特性参数（如导通电阻、开关速度等）、电路拓扑结构、负载情况和工作频率等。关键参数如导通电阻（Rds(on)）、开关电容（Coss）以及工作电压和电流等，对于损耗计算具有重要意义。

MOS管优点：

MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺（工艺简单、功耗小）可以很便当地把很多MOS管集成在一块硅片上（灵活性好），因此MOS管在大范围集成电路中得到了普遍的应用。

MOS管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被普遍应用于各种电子设备中。特别用MOS管做整个电子设备的输入级，可以获得普通三极管很难抵达的性能。

BJT优点：

增益高,非线性失真小,性能稳定.

在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势.

三极管在其价格优势方面一般是有两种比较常见的应用：

1.第一种就是小功率的场合，比如说导通电流小于100ma的时候，通过上面的计算可以看出功率大约0.04W，还是相对较低的，性价比较高

2. 第二个就是电平转换电路，比如说把3.3V转换成5V，可以采用图2所用的电路（假设0左边的MCU产生3.3V）

若一电路需要选用一环境条件变化大的情况下仍能保持稳定的管子，应该优先选用？

场效应管内部只有多子参与导电，而晶体管是双极型的，其内部既有多子又有少子参与导电，少子数目受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管较晶体管而言，温度稳定性好、抗辐射能力强。因此，在环境条件变化很大的情况下，应该选用场效应管。