三级管、MOS管

三级管（电流控制电流）

SOT23（1：B、 2：E、 3：C）
TO92 （1：E、 2：B 、3：C）

用万用表判断三级管的好坏见下图：

三级管作为开关管时要注意：Ib和Vce
三级管导通后CE之间等效为一个0.4V压降的二级管mos管导通后DS之间等效为一个10毫欧的电阻。

MOS管（电压控制电流）

封装（1 G、2 D、3 S）

原理图

MOS管相当于，给节电容充放电来控制电流，电流的流向与寄生二级管相反。
PMOS管S极接VCC，低电压驱动：,P沟道< 开启电压导通（1.5~2V）,Ugs<Ugs(th)
NMOS管S极接GND，高电压驱动：N沟道> 开启电压导通（1.5~2V）,Ugs>Ugs(th)
在MOS管开启的时候，电阻起到限流作用，保护MOS驱动电路.
在MOS管关闭的时候，电阻和二级管，起到加速电容放电的作用(I=U/R)

判断好坏，以N为例
1、测量寄生二极管法，将万用表拨至二极管档位，红表笔接S极，黑表笔接D极，应该会显示零点几伏的数值，这是MOS管内部二极管的导通压降值，反向测量则无读数显示，说明MOS管正常，如正反测量都有读数则视为损坏（测量前需对三脚进行短路放电）。
2、通过对栅源电容充电，来使漏源两极导通，用二级管档首先将红表笔接G，黑表笔接S，再用电阻档测量DS电阻值很小。将MOS管GS短路，测量DS开路。
Vgsth：打开NMOS的电压
Rdson：mos管导通后DS之间的等效电阻
Cgs：影像NMOS打开速度，当PWM的周期接近于节电容的充电时间时，被控制信号波形就会失真。
Rdson于Cgs成反比的关系。