从器件物理层面看MOSFET的内部结构

最新推荐文章于 2024-01-13 19:03:25 发布
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本文详细介绍了MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的内部结构，包括源、漏、栅和衬底的作用，以及NMOS的工作机制。MOSFET是集成电路的基础，其导电沟道由栅极与衬底间的电场形成。在CMOS技术中，NMOS和PMOS在衬底处理上有不同，NMOS需要考虑体效应。
摘要由CSDN通过智能技术生成

　　接触MOS管已经有很长时间了，关于它的理论分析以及在实际电路中的用法也接触过一部分，但始终没有弄清楚它的内部结构，对其工作原理也是云里雾里的，因为这涉及到半导体器件物理中的好多知识，随便一个小问题都有可能牵扯出一大堆的理论推导出来，因此一直没有把MOS管的基础知识搞清楚。最近抽了些时间，耐心的看了几遍资料，总算是弄清楚了点头目，现在总结一下。

　　MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，是集成电路的基础。MOSFET都是做在衬底上的，以NMOS为例，如右图，在一块p型衬底(p-sub，衬底又叫Bulk或Body)上，形成两块重掺杂的n+区，分别为源(Source)和漏(Drain)；

 

　　衬底之上用SiO2做一块绝缘层，叫栅氧化层或栅绝缘层，用Tox表示其厚度，称为栅绝缘层厚度或栅氧化层厚度；<

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