MCU存储器介绍

HHHHard

于 2024-03-27 01:37:45 发布

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分类专栏：嵌入式基础硬件知识文章标签：单片机学习嵌入式硬件

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简介

主要介绍存储器的基本概念以及分类，不涉及各存储器具体操作以及组成原理。存储器主要分为RAM与ROM

半导体存储器

半导体存储器是一种使用半导体材料制造的存储设备，用于在数字电子设备中存储数据。半导体存储器通常以芯片的形式存在。

基本概念

存储元：一个半导体触发器(电容)保存一个二进制数（bit），称为存储元
存储单元：八个触发器组成一个读写基本单元，称为存储单元，也即一个字节
地址：每个存储单元都有一个编号，称为地址

【计算机组成原理】存储器层次结构总结——基本知识要点汇总_存储器的层次结构的作用-CSDN博客

存储器分类

按使用可以分为只读存储器(ROM，Read Only Memory)和随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)

“随机”是指可以指定地址进行读写。随机访问实在相等的时间内访问序列中的任意元素或从可寻址元素群体中访问任何数据的能力，无论有多少元素，都可以像任何其他元素一样轻松有效地访问在集合中。在计算机科学中，它通常与顺序访问形成对比，顺序访问需要按存储顺序检索数据。

按存储介质特性可以分为易失和非易失两大类。其中“易失/非易失”是指存储器断电后，存储数据内容是否会丢失的特性。

易失性存储器

RAM

随机存取存储器（random-access memory,RAM），是计算机内部存储器中的一种，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。通常是程序的临时数据（包括全局变量、局部变量、堆栈段等）存放的地方。

DRAM

动态随机访问存储器DRAM(Dynamic random-access memory),它使用由一个 MOSFET和一个 MOS 电容器组成的金属氧化物半导体 (MOS) 存储单元来存储每一位。但它会掉电（电容），因此要定期刷新。这种类型的RAM最便宜，密度也最高，因此用于计算机中的主存储器。

基本单元

深入内存/主存：解剖DRAM存储器 - 知乎 (zhihu.com)

SDRAM

同步动态随机存储器 S DRAM（Syncronized Dynamic Ramdam Access Memory），SDRAM是DRAM的升级版，有着如下优点

更高的数据传输速度：SDRAM采用了同步时钟技术，可以在时钟信号的辅助下实现更高的数据传输速度，提高了存取效率。
更高的带宽：SDRAM通过并行传输数据，可以实现更大的数据带宽，适用于需要大量数据传输的应用场景。
内部集成了刷新控制逻辑：SDRAM内部集成了刷新控制逻辑，无需外部刷新电路，简化了系统设计。
低功耗：相对于传统DRAM，SDRAM在相同的工作频率下通常具有更低的功耗，有助于延长电池寿命或减少系统散热需求。
支持多通道操作：SDRAM可以支持多通道操作，提高了内存的并行处理能力，适用于需要高性能计算的场景。

DDR SDRAM

DDR(double rate)，即双倍速度的SDRAM。简而言之，速度更快。往后的DDR2,R3,R4，速度更快。计算机中的内存DDRx就是这个。

SRAM

静态随机访问存储器SRAM(Static random-access memory)，它将每一位数据存储在称为触发器的电路。 与 DRAM 相比，SRAM 的密度更低且每比特更昂贵，但速度更快且不需要内存刷新。它用于计算机中较小的高速缓存。

“静态”是指当设备保持供电时，SRAM中存储的数据可以保持不变

基本结构

6T SRAM的基本结构及其读写操作-CSDN博客

非易失性存储器

ROM

只读存储器（Read-Only Memory），是计算机内部存储器中的一种。顾名思义，只能读不能写。这是在早期，ROM因为技术不成熟所以无法擦写，出厂后就只能读数据，所以叫只读存储器。而现在也出现了可写的ROM。

与RAM相比有着如下区别

可写性：
- ROM：ROM在制造时被写入数据，用户无法直接修改其内容，因此被称为只读存储器。有些ROM类型（如PROM、EPROM、EEPROM）可以被用户编程一次或多次，但无法像RAM那样频繁地写入和擦除数据。
- RAM：用户可以自由地读取、写入和擦除其中的数据。RAM通常用于存储临时数据和程序运行时所需的信息。
数据保持性：
- ROM：ROM中的数据在断电后仍然保持，不会丢失。这使得ROM适合存储固定的程序代码和数据。
- RAM：数据在断电后会丢失。因此，RAM通常用于需要频繁读写的数据存储，但需要电源维持数据内容。
速度和成本：
- ROM：ROM的读取速度通常较慢，但成本较低，适合用于存储固定数据和程序。
- RAM：RAM的读写速度通常较快，但成本也较高，适合用于需要频繁读写的数据存储。

PROM、EPROM、EEPROM

PROM（可编程只读存储器，Programmable Read-Only Memory）：
- PROM是一种一次编程的只读存储器，用户可以通过专门的编程设备将数据写入PROM中，但写入后无法再次修改或擦除。
- PROM通常包含一个阵列，每个存储单元可以存储一个位（0或1），用户可以通过编程将这些位设置为所需的数据。
- 一旦数据被编程到PROM中，它将永久保存在其中，即使断电也不会丢失。
EPROM（可擦除可编程只读存储器，Erasable Programmable Read-Only Memory）：
- EPROM是一种可擦除的只读存储器，用户可以使用紫外线或特殊的擦除设备将其中的数据擦除，然后重新编程。
- EPROM通常具有一个窗口，通过这个窗口可以暴露芯片内部的存储单元，以便进行擦除操作。
- 擦除EPROM需要一定的时间和特殊设备，因此不适合频繁擦写。
EEPROM（电可擦除可编程只读存储器，Electrically-----）：
- EEPROM是一种电擦除的只读存储器，用户可以通过电信号来擦除其中的数据，而无需使用紫外线或其他特殊设备。
- EEPROM具有较快的擦除和编程速度，可以多次擦写，适合用于需要频繁更新数据的应用场景。
- EEPROM的擦除和编程可以通过特定的命令或接口来实现，更加方便和灵活。

FLASH

Flash Memory即闪存，非易失性计算机存储器存储介质，可以电擦除和重新编程。FLASH存储器通常用于存储固件、操作系统、应用程序等数据。主要有如下几类，其中NAND与NOR较为常见

NAND Flash：
- NAND Flash是一种基于NAND门技术构建的FLASH存储器，适合用于大容量数据存储。
- NAND Flash通常用于存储大型文件、媒体内容等，如固态硬盘、USB闪存驱动器等。
NAND是一种逻辑门类型，代表"NOT AND"，即"非与"门。在数字电路中，NAND门的输出为两个输入的逻辑与运算的结果的补码。NAND门是基本的逻辑门之一，可以用来构建其他逻辑门和逻辑功能。在NAND Flash中，采用了NAND门技术来实现存储单元，因此得名"NAND Flash"。
NOR Flash：
- NOR Flash是一种基于NOR门技术构建的FLASH存储器，适合用于执行代码和快速读取。
- NOR Flash通常用于存储程序代码、引导程序等，如微控制器、嵌入式系统中的存储器。
NOR是一种逻辑门类型，代表**“NOT OR”，即"非或"门。在数字电路中，NOR门的输出为两个输入的逻辑或运算的结果的补码**。NOR门是基本的逻辑门之一，可以用来构建其他逻辑门和逻辑功能。在NOR Flash中，采用了NOR门技术来实现存储单元，因此得名"NOR Flash"。
SPI Flash：
- SPI Flash是一种通过SPI（Serial Peripheral Interface）接口进行通信的FLASH存储器，适合用于小容量应用。
- SPI Flash通常用于嵌入式系统、传感器、小型设备等，具有简单的通信接口和低成本的优点。
Managed NAND：
- Managed NAND是一种结合了NAND Flash和控制器的组合，提供更高级的管理功能，如错误纠正、垃圾回收等。
- Managed NAND通常用于需要更高可靠性和性能的应用，如工业控制、汽车电子等领域。