关于MCU-Cortex M7的存储结构(flash与SRAM)

MCU并没有DDR，所以他把代码存储在flash上，临时变量和栈运行在SRAM上。之所以这么做是因为MCU的CPU频率很低，一般低于500MHZ，flash的读取速度能够满足CPU的取指需求，但flash 的写入速度很慢，所以引入了SRAM 作为临时变量和栈的运行空间。

• 关于flash的存储结构

STM32H753的内部flash分配如下图所示：

在编译前，通过链接脚本确定编译时的内存分配。

哪些放到flash，哪些放到RAM，都是通过连接脚本定好的静态内存管理策略，之后通过编译器编译，就刚好把内容编译到对应的地址。

flash起始地址0x08000000

中断向量表放置在flash的起始地址，privileged functions 特权模式下执行的指令

.isr_vector section的目的是把中断向量表放在 0x08000000 这个特定的内存位置，确保中断向量表占用的内存空间大小是 0x298 字节，将所有包含中断向量表的目标文件(*(.isr_vector))链接到这个 section。如下图编译后的map文件：

 *（.text section*）中定义的是中断服务的应用代码，如下图编译后的map文件：

flash地址0x08008000存操作系统代码

FreeRTOS系统调用被放置在起始地址0x08008000的flash地址，也就接着特权指令后的地址

如下图编译后的map文件：

FreeRTOS 通过.ld文件链接脚本(Linker Script)文件实现的，实现了内存映射，定义目标中不同类型的内存区域,如 Flash、RAM、外设，指定每个内存区域的起始地址和大小。以及实现MPU内存保护。不同芯片文件不一样，TC397用的vLinkGen.lsl文件实现。

flash地址0x08009000存放代码，常量，和一部分想要保存的数据

flash的链接脚本确定编译时静态内存分配

• 关于MCU的内存分配结构

通常情况下,我们会认为栈区应该位于较高的内存地址,而代码区应该位于较低的内存地址。但在MCU（微控制器）中,情况往往并非如此。这种内存布局方式与通常的PC系统有所不同,但对于MCU来说是一种更为优化的方式。

主要原因如下:

Flash Memory位置：在大多数MCU中,Flash Memory用于存储程序代码和部分静态数据。由于Flash具有较高的存储密度和非易失性,因此它通常被映射到较高的内存地址空间。

RAM地址空间分配：MCU的RAM通常被划分为若干个区域,如数据段、BSS段和栈区。其中,栈区被分配到较低的RAM地址空间,以便于栈指针的递增和递减操作。

内存访问优化：将代码区放在Flash的较高地址空间,可以减少程序访问代码时的地址转换开销。而将栈区放在较低的RAM地址,可以简化栈指针的管理。、

硬件结构差异：不同的MCU架构可能会有不同的内存布局策略。有些MCU将代码和数据分开存储,而有些则将它们集中在同一地址空间。这也会影响具体的内存分配方式。

对于MCU来说，栈区和bss段和data段一般是放在MCU的SRAM区，这些数据下电后不用保存

下面这些都是从RAM里获取的

下面都是从flash里获取的

关于MCU的寄存器地址

寄存器用于暂存CPU内部的数据和状态。
SRAM用于存储程序运行时的临时数据。
FLASH用于存储程序代码和持久性配置数据。